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公开(公告)号：KR101012514B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020080081458
申请日：2008-08-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/06
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 및 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되고 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층을 포함하며, 상기 양자장벽층의 알짜분극전하량은 상기 양자우물층의 알짜분극전하량보다 작거나 같고 GaN의 알짜분극전하량보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 양자장벽층과 양자우물층의 알짜분극전하량 차이를 최소화함으로써 고 전류에서도 높은 효율을 얻을 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 또한, 양자우물층의 에너지 준위가 벤딩되는 정도를 저감시킴으로써 고 효율의 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수도 있다.
발광소자, LED, 분극전하, 밴드갭 에너지, efficiency droop, 양자우물, 양자장벽Abstract translation: 本发明的氮化物涉及一种半导体发光装置，本发明的一个实施例中为n型和p型氮化物半导体层和所述n型和p型氮化物半导体层之间形成的多个量子势垒层和一个或多个量子阱 并且包括具有结构交替层叠的有源层的层，所述量子势垒层的净极化电荷量的氮化物半导体发光器件比在GaN小于或等于所述量子阱层的净极化电荷量的净极化电荷量较大 等等。
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公开(公告)号：KR1020090019732A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：KR1020080081458
申请日：2008-08-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/06
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to reduce bending of an energy level of the quantum well layer and to obtain high efficiency in a high current by minimizing deference of the net polarization charge between the quantum barrier layer and the quantum well layer. A nitride semiconductor light emitting device(200) includes an n-type nitride semiconductor layer(202), an active layer(203) and a p-type nitride semiconductor layer(204) which are successively formed on a substrate(201). An n type electrode(205a) and a p type electrode(205b) are formed in the predetermined region of the n type and p type nitride semiconductor layers. The active layer is formed between the n and p type semiconductor layers and includes a plurality of quantum barrier layers and one quantum well layer or more. The net polarization charge of the quantum barrier layer is smaller than or equal to the net polarization charge and is larger than the net polarization charge of GaN.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以减少量子阱层的能量的弯曲并且通过最小化量子势垒层和量子阱层之间的净极化电荷的偏差来获得高电流的高效率。 氮化物半导体发光器件（200）包括依次形成在衬底（201）上的n型氮化物半导体层（202），有源层（203）和p型氮化物半导体层（204）。 在n型和p型氮化物半导体层的预定区域中形成n型电极（205a）和p型电极（205b）。 有源层形成在n型和p型半导体层之间，并且包括多个量子势垒层和一个量子阱层。 量子势垒层的净极化电荷小于或等于净极化电荷，并且大于GaN的净极化电荷。
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公开(公告)号：KR101012515B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020080081459
申请日：2008-08-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/06
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 n형 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며 복수의 양자장벽층과 하나 이상의 양자우물층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층 및 상기 활성층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 전자차단층을 포함하며, 상기 전자차단층은 상기 복수의 양자장벽층 중 인접하는 양자장벽층과 비교하여 밴드갭 에너지는 크고, 알짜분극전하량은 작거나 같은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 양자장벽층과 전자차단층의 알짜분극전하량 차이를 최소화함으로써 모든 전류영역에서 높은 효율을 얻을 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
발광소자, LED, 분극전하, 밴드갭 에너지, 전자차단층-
公开(公告)号：KR100905884B1
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020080135772
申请日：2008-12-29
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 하부 반도체 물질층; 상기 하부 반도체 물질층의 일면의 일부분상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 상부 반도체 물질층; 상기 상부 반도체 물질층 상에 형성되며 상기 상부 반도체 물질층과 전기적으로 연결된 제1 전극층; 상기 하부 반도체 물질층의 상기 일면 상의 다른 부분에 형성되며, 상기 하부 반도체 물질층과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 전극층과의 사이에 공간을 형성하는 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층과 제2 전극층에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전극층과 제2 전극층 사이의 공간의 적어도 일부를 채우도록 형성되는 저항성 보호층을 포함하는 발광소자가 개시된다. 상기 제2 전극층에 대해 상대적으로 양의 전압이 제1 전극층에 인가될 때 상기 상부 반도체 물질층, 활성층 및 하부 반도체 물질층의 전기적 저항값을 Rf라 하고, 상기 제2 전극층에 대해 상대적으로 음의 전압이 제1 전극층에 인가될 때 상기 상부 반도체 물질층, 활성층 및 하부 반도체 물질층의 전기적 저항값을 Rr이라고 할 때, 상기 저항성 보호층의 저항값 Rs는 상기 Rf보다 크고 Rr보다 작을 수 있다.
발광소자, 보호회로, 모노리식-
公开(公告)号：KR1020090019733A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：KR1020080081459
申请日：2008-08-20
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/06
Abstract: A nitride semiconductor light emitting diode is provided to obtain the high efficiency from all current regions by minimizing the net polarization charge quantity difference of the electron injection barrier and quantum barrier layers. A nitride semiconductor light emitting diode comprises N-type and p-type nitride semiconductor layers. An active layer(203) is formed between n-type and p-type nitride semiconductor layers. A plurality of quantum barrier layers and one or more quantum-well layers are by turns included. The electron injection barrier is formed between the active layer and the p-type nitride semiconductor layer. The electron injection barrier has the band gap energy greater than the quantum barrier layers.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光二极管，以通过使电子注入势垒和量子势垒层的净极化电荷量差最小来从全部电流区域获得高效率。 氮化物半导体发光二极管包括N型和p型氮化物半导体层。 在n型和p型氮化物半导体层之间形成有源层（203）。 包括多个量子势垒层和一个或多个量子阱层。 在有源层和p型氮化物半导体层之间形成电子注入势垒。 电子注入势垒的带隙能量大于量子势垒层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070016897A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050089473
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
Abstract: 도전성 나노로드에 의해 형성된 투명 전도성 저굴절층을 가지는 단일지향성 반사기와 이를 적용하는 발광소자를 개시한다. 나노로드에 의한 저굴절층은 매우 우수한 저굴절성을 가지며, 따라서 매우 높은 반사율을 가지는 반사기를 얻게 된다. 저굴절층이 우수한 통전성을 가지기 때문에 별도의 통전 경로를 마련할 필요가 없다.
ODR, 반사기, 발광소자, 나노로드, 경사증착-
公开(公告)号：KR100425341B1
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：KR1020010001550
申请日：2001-01-11
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/2009 , H01S5/2013 , H01S5/3403 , H01S5/34333
Abstract: A semiconductor light emitting device including means for reducing strain and carrier overflow caused by injection of a number of carriers in semiconductor light emitting devices using GaN is provided. The semiconductor light emitting device includes a multi-quantum barrier formed by depositing an AlGaN/GaN double layer a predetermined number of times, or a strain-compensating multiple quantum barrier formed at either the upper or lower sides of an active layer by depositing an AlGaN/InGaN double layer a predetermined number of times, and does not need a p-type clad layer.
Abstract translation: 提供了一种半导体发光器件，其包括用于减少由使用GaN在半导体发光器件中注入多个载流子引起的应变和载流子溢出的装置。 该半导体发光器件包括通过沉积AlGaN / GaN双层预定次数形成的多量子垒，或者通过在有源层的上侧或下侧形成应变补偿多量子垒， / InGaN双层预定次数，并且不需要p型覆盖层。
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公开(公告)号：KR100891810B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070112701
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: A white light emitting diode is provided to improve the efficiency of the white luminescence by preventing the resorption of the light generated from the molding unit of the other region of the fluorescent substance. A white light emitting diode(100) comprises a package body(110), two or more LED chips(121,122), and the first and second molding units(141,142), and a mold lens part(150). The package body is made of the printed circuit board. The LED chip is mounted on the space of the package body and radiates the excitation light. The first and second molding units mold each LED chip by including the fluorescent substance in each LED chip region. A reflecting layer(111) is formed along the floor side of the space of the package body. The reflecting layer reflects the excitation light and the wavelength converter light. A reflective film(145) of the highly reflective metal material is built up at the boundary of the first and second molding units.
Abstract translation: 提供白色发光二极管以通过防止从荧光物质的另一区域的成型单元产生的光的吸收来提高白色发光的效率。 白色发光二极管（100）包括封装主体（110），两个或更多个LED芯片（121,122）以及第一和第二模制单元（141,142）和模具透镜部件（150）。 封装体由印刷电路板制成。 LED芯片安装在封装体的空间上并辐射激发光。 第一和第二成型单元通过在每个LED芯片区域中包含荧光物质来模制每个LED芯片。 沿着包装体的空间的地板侧形成反射层（111）。 反射层反射激发光和波长转换器光。 高反射性金属材料的反射膜（145）在第一和第二成型单元的边界处形成。
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公开(公告)号：KR1020090014327A
公开(公告)日：2009-02-10
申请号：KR1020080135772
申请日：2008-12-29
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A light emitting device having protection element is provided to protect lighting-emitting area from ESD by parallely setting up the resistive protection element as internal current bypass of the small current in the lighting-emitting area. An emitting device includes a lower semiconductor material layer, an active layer, a top semiconductor material layer, a first electrode layer(114), a second electrode layer(115) and resistive protection layer(120). The top semiconductor material layer, an active layer, a lower semiconductor material layer and active layer are defined as resistance Rf when a positive voltage is applied to the first electrode layer relative to the second electrode layer. The top semiconductor material layer, an active layer, a lower semiconductor material layer and active layer are defined as resistance Rf when a negative voltage is applied to the first electrode layer relative to the second electrode layer. The resistive protection layer, Rs is lower than Rr and larger than Rf.
Abstract translation: 具有保护元件的发光器件被提供以通过平行地将电阻保护元件设置为发光区域中的小电流的内部电流旁路来保护发光区域免受ESD。 发光器件包括下半导体材料层，有源层，顶部半导体材料层，第一电极层（114），第二电极层（115）和电阻保护层（120）。 上半导体材料层，有源层，下半导体材料层和有源层被定义为当相对于第二电极层向第一电极层施加正电压时的电阻Rf。 顶部半导体材料层，有源层，下半导体材料层和有源层被定义为当相对于第二电极层向第一电极层施加负电压时的电阻Rf。 电阻保护层Rs低于Rr且大于Rf。
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公开(公告)号：KR1020070016898A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050089474
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/02
Abstract: 모노리식 보호회로를 갖는 발광소자에 관해 개시된다. 본 발명의 발광소자는: 캐소드와 애노드를 가지는 발광부; 그리고 상기 캐소드와 애노드를 통해 상기 발광부에 병렬접속되는 저항성 보호소자;를 구비하고, 상기 저항성 보호소자의 저항(Rs)은 상기 발광부가 가지는 전류 흐름에 대해 순방향의 저항(Rf)과 역방향의 저항(Rr)의 사이의 값을 가진다.
이러한 본 발명의 발광소자는 구조가 간단하고 제작이 용이하다. 이러한 발광소자의 제조방법은 기존의 발광소자의 제조공정을 거의 그대로 이용함으로써 비용추가가 매우 적다.
발광소자, 보호회로, 모노리식
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