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公开(公告)号：KR1020080090839A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020070034194
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: A semiconductor light-emitting device is provided to improve current division or diffusion characteristics and to uniformly supply a carrier to an active layer, thereby increasing an operation voltage characteristic and light-emission efficiency. A semiconductor light-emitting device includes an emission unit, a first electrode(321) and a second electrode(321'). The emission unit has first and second sides facing with each other, and third and fourth sides facing with each other as including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer which are sequentially stacked. The first electrode is formed on an upper surface of the emission unit so as to be connected to one of an n-type layer and the p-type layer. The second electrode is formed on an upper surface of the emission unit so as to be connected to the other of the n-type layer and the p-type layer. The first electrode has first two main electrode parts(321b,321b') extending parallel to a diagonal line connecting corners of the first and four sides and corners of the second and third sides. The second electrode has second main electrode parts(322b,322c,322d) extending along the diagonal line and the first and second sides.
Abstract translation: 提供半导体发光器件以提高电流分配或扩散特性，并将载体均匀地提供给有源层，从而提高工作电压特性和发光效率。 半导体发光器件包括发射单元，第一电极（321）和第二电极（321'）。 发光单元具有彼此面对的第一和第二侧，并且第三和第四侧彼此面对，包括依次堆叠的n型半导体层，有源层和p型半导体层。 第一电极形成在发光单元的上表面上，以便连接到n型层和p型层之一。 第二电极形成在发射单元的上表面上，以便连接到n型层和p型层中的另一个。 第一电极具有平行于连接第一和第四边的角部和第二侧面和第三边缘的对角线延伸的前两个主电极部分（321b，321b'）。 第二电极具有沿对角线以及第一和第二侧延伸的第二主电极部分（322b，322c，322d）。
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公开(公告)号：KR1020080064060A
公开(公告)日：2008-07-08
申请号：KR1020070000801
申请日：2007-01-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to compensate total reflection effect due to refractive index difference by controlling a refractive index of a bending pattern to have the same value as that of a nitride semiconductor layer. A nitride semiconductor light emitting device includes a substrate(100), an n-type nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), a p-type nitride semiconductor layer(140), a bending pattern(145), a p-type electrode(150), and an n-type electrode(160). The n-type nitride semiconductor layer is formed on the substrate. The active layer is formed in a predetermined region on the n-type nitride semiconductor layer. The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The bending pattern is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The p-type electrode is formed on the p-type nitride semiconductor layer on which the bending pattern is formed. The n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer on which the active layer is not formed.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，通过将弯曲图案的折射率控制为与氮化物半导体层的折射率相同的值来补偿由于折射率差造成的全反射效应。 氮化物半导体发光器件包括衬底（100），n型氮化物半导体层（120），有源层（130），p型氮化物半导体层（140），弯曲图案（145）， p型电极（150）和n型电极（160）。 在衬底上形成n型氮化物半导体层。 有源层形成在n型氮化物半导体层上的预定区域中。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 弯曲图案形成在p型氮化物半导体层上。 p型电极形成在其上形成有弯曲图案的p型氮化物半导体层上。 n型电极形成在不形成有源层的n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：KR100721169B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도-
公开(公告)号：KR100714627B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050103752
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10
-2 Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，用于氮化物单晶生长用基板，形成在基板上的n型氮化物半导体层，形成在所述有源层形成在n型氮化物半导体层，p型上所述有源层 氮化物半导体层和形成在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层，其中与分布在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层的接触电阻为10
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公开(公告)号：KR1020070034980A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도Abstract translation: 本发明具有可以增加涉及一种基于氮化镓的半导体发光器件及其制造方法，为了提高蓝宝石衬底的热耗散能力的效果，能够通过热，以防止元件劣化的特性，该装置的发光效率 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100019779A
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080078497
申请日：2008-08-11
Applicant: 삼성전기주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A phase shifter using an amplifier as a switch is provided to operate a switch function in a high frequency region without a high loss by maintaining a difference between isolation rates in a on state and a off state. CONSTITUTION: A plurality of conductive lines(111,112,113) has a different electrical length. A plurality of input amplifiers(121,122,123) are one by one connected between one side of each conductive line and an input terminal(101). Each input amplifier switches the corresponding conductive line to the input terminal by a DC power supply. The gains of input amplifiers are respectively differently formed. The input amplifier comprises the CMOS FET. The CMOS FET comprises the common source CMOS FET.
Abstract translation: 目的：提供使用放大器作为开关的移相器，通过保持导通状态和断开状态下的隔离率之间的差异，在高频区域中操作开关功能而没有高损耗。 构成：多条导线（111,112,113）具有不同的电长度。 多个输入放大器（121,122,123）逐个连接在每条导线的一侧和输入端（101）之间。 每个输入放大器通过直流电源将相应的导线切换到输入端。 输入放大器的增益分别不同。 输入放大器包括CMOS FET。 CMOS FET包括公共源CMOS FET。
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公开(公告)号：KR100868361B1
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：KR1020070000801
申请日：2007-01-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 질화물 반도체층으로부터 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄 방법으로 형성된 굴곡 패턴과, 상기 굴곡 패턴이 형성된 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
발광소자, 광추출, 비평면, 굴곡, 인-시츄(in-situ)-
公开(公告)号：KR1020070105577A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060037876
申请日：2006-04-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A vertically structured GaN type light emitting diode device is provided to maximize light emitting efficiency by forming a nano-pattern on a top surface thereof and extending the nano-patterns to an upper surface of a structure supporting layer. A p-type electrode(220) is formed on a structure supporting layer(210). A p-type GaN layer, an activation layer, and an n-type GaN layer are sequentially laminated on the p-type electrode in order to form a light emitting structure(260). A transparent electrode layer(270) having a plurality of nano-patterns(280) is formed on the light emitting structure. The plurality of nano-patterns are formed at a predetermined interval on a surface of the transparent electrode layer. An n-type electrode(290) is formed on the transparent electrode.
Abstract translation: 提供了一种垂直结构的GaN型发光二极管器件，用于通过在其顶表面上形成纳米图案并将纳米图案延伸到结构支撑层的上表面来最大化发光效率。 在结构支撑层（210）上形成p型电极（220）。 为了形成发光结构（260），p型GaN层，活化层和n型GaN层依次层叠在p型电极上。 在发光结构上形成具有多个纳米图案（280）的透明电极层（270）。 在透明电极层的表面上以预定的间隔形成多个纳米图案。 在透明电极上形成n型电极（290）。
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公开(公告)号：KR100721142B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060023521
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 면적보다 큰 면적을 가지는 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 p형 전극 패드와, 상기 p형 전극 패드와 소정간격 이격되어 상기 p형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성된 투명전극과, 상기 p형 전극 패드로부터 뻗어 상기 투명전극 상에 직선형으로 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 소정 영역 상에 형성된 비저항 접촉층과, 상기 비저항 접촉층 상에 형성된 n형 전극 패드 및 상기 n형 전극 패드로부터 뻗어 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, 상기 p형 전극과 평행한 직선형으로 형성된 n형 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
질화물, 반도체, 전극, 전극패드, 전류확산, 휘도Abstract translation: 本发明是形成在氮化物系半导体光作为根据所述设备，特别是，在基板和形成于基板，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域中的有源层，所述有源层上的n型氮化物半导体层 和的第一区域和形成在所述p型氮化物半导体层的第一区域以及具有的面积大于所述第一区域的面积大于由第二区域隔开的顶表面的p型氮化物半导体层的p型电极垫 和p型电极焊垫和给予分开的p型氮化物形成在半导体层的第二区域中的第一透明电极和p从形成在上透明电极的p型电极的直线电极焊盘延伸，并且所述的距离 形成在非电阻接触层上的n型电极焊盘和形成在n型氮化物半导体层上的n型电极焊盘， 型氮化物半导体层，以及形成在n型氮化物半导体层上并沿平行于p型电极的直线延伸的n型电极。
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公开(公告)号：KR1020070047047A
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020050103752
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10
-2 Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)
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