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公开(公告)号：KR1020080090839A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020070034194
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: A semiconductor light-emitting device is provided to improve current division or diffusion characteristics and to uniformly supply a carrier to an active layer, thereby increasing an operation voltage characteristic and light-emission efficiency. A semiconductor light-emitting device includes an emission unit, a first electrode(321) and a second electrode(321'). The emission unit has first and second sides facing with each other, and third and fourth sides facing with each other as including an n-type semiconductor layer, an active layer and a p-type semiconductor layer which are sequentially stacked. The first electrode is formed on an upper surface of the emission unit so as to be connected to one of an n-type layer and the p-type layer. The second electrode is formed on an upper surface of the emission unit so as to be connected to the other of the n-type layer and the p-type layer. The first electrode has first two main electrode parts(321b,321b') extending parallel to a diagonal line connecting corners of the first and four sides and corners of the second and third sides. The second electrode has second main electrode parts(322b,322c,322d) extending along the diagonal line and the first and second sides.
Abstract translation: 提供半导体发光器件以提高电流分配或扩散特性，并将载体均匀地提供给有源层，从而提高工作电压特性和发光效率。 半导体发光器件包括发射单元，第一电极（321）和第二电极（321'）。 发光单元具有彼此面对的第一和第二侧，并且第三和第四侧彼此面对，包括依次堆叠的n型半导体层，有源层和p型半导体层。 第一电极形成在发光单元的上表面上，以便连接到n型层和p型层之一。 第二电极形成在发射单元的上表面上，以便连接到n型层和p型层中的另一个。 第一电极具有平行于连接第一和第四边的角部和第二侧面和第三边缘的对角线延伸的前两个主电极部分（321b，321b'）。 第二电极具有沿对角线以及第一和第二侧延伸的第二主电极部分（322b，322c，322d）。
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公开(公告)号：KR1020080064060A
公开(公告)日：2008-07-08
申请号：KR1020070000801
申请日：2007-01-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to compensate total reflection effect due to refractive index difference by controlling a refractive index of a bending pattern to have the same value as that of a nitride semiconductor layer. A nitride semiconductor light emitting device includes a substrate(100), an n-type nitride semiconductor layer(120), an active layer(130), a p-type nitride semiconductor layer(140), a bending pattern(145), a p-type electrode(150), and an n-type electrode(160). The n-type nitride semiconductor layer is formed on the substrate. The active layer is formed in a predetermined region on the n-type nitride semiconductor layer. The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The bending pattern is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The p-type electrode is formed on the p-type nitride semiconductor layer on which the bending pattern is formed. The n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer on which the active layer is not formed.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，通过将弯曲图案的折射率控制为与氮化物半导体层的折射率相同的值来补偿由于折射率差造成的全反射效应。 氮化物半导体发光器件包括衬底（100），n型氮化物半导体层（120），有源层（130），p型氮化物半导体层（140），弯曲图案（145）， p型电极（150）和n型电极（160）。 在衬底上形成n型氮化物半导体层。 有源层形成在n型氮化物半导体层上的预定区域中。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 弯曲图案形成在p型氮化物半导体层上。 p型电极形成在其上形成有弯曲图案的p型氮化物半导体层上。 n型电极形成在不形成有源层的n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：KR100721169B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도-
公开(公告)号：KR100714627B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050103752
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10
-2 Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，用于氮化物单晶生长用基板，形成在基板上的n型氮化物半导体层，形成在所述有源层形成在n型氮化物半导体层，p型上所述有源层 氮化物半导体层和形成在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层，其中与分布在p型氮化物半导体层上的欧姆接触层的接触电阻为10
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公开(公告)号：KR1020070034980A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020060131938
申请日：2006-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도Abstract translation: 本发明具有可以增加涉及一种基于氮化镓的半导体发光器件及其制造方法，为了提高蓝宝石衬底的热耗散能力的效果，能够通过热，以防止元件劣化的特性，该装置的发光效率 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070001350A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056762
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/14
Abstract: A flip chip type light emitting apparatus is provided to improve current concentration and diffusion by configuring current paths having the same resistance from a metal electrode of a sub-mount to n-side electrodes of a nitride semiconductor light emitting diode. A nitride semiconductor light emission diode(10) includes an n-type nitride semiconductor layer(12), n-side electrodes(15a,15b), an active layer(13), a p-type nitride semiconductor layer(14) and plural p side electrodes including a first p-side electrode and a second p-side electrode(16b). A sub-mount(20) includes a supporting substrate(21), a reflecting layer(22), a first passivation layer(23), first and second metal electrode layers(24a,24b), a second passivation layer(25), a transmission resistance layer(26) and a bonding pad(27). The n-side electrode and the second metal electrode layer are bonded by a conductive pump(30). The p-side electrode is bonded to the bonding pad by the conductive bump. The first p-side electrode is bonded to the bonding pad formed on an upper surface of the transmission resistance layer located in an upper portion of the exposed first metal electrode layer.
Abstract translation: 提供一种倒装芯片型发光装置，通过配置具有相同电阻的电流路径来改善电流集中和扩散，该电流路径从子载体的金属电极到氮化物半导体发光二极管的n侧电极。 氮化物半导体发光二极管（10）包括n型氮化物半导体层（12），n侧电极（15a，15b），有源层（13），p型氮化物半导体层（14）和多个 p侧电极，包括第一p侧电极和第二p侧电极（16b）。 子安装件（20）包括支撑基板（21），反射层（22），第一钝化层（23），第一和第二金属电极层（24a，24b），第二钝化层（25） 传输电阻层（26）和焊盘（27）。 n侧电极和第二金属电极层通过导电泵（30）接合。 p侧电极通过导电凸块与接合焊盘接合。 第一p侧电极被接合到形成在位于暴露的第一金属电极层的上部的传输电阻层的上表面上的接合焊盘。
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公开(公告)号：KR100650279B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050081144
申请日：2005-09-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: An LED device is provided to prevent the loss of light emitted from an LED chip by mounting horizontally the LED chip in a package using a socket type lead terminal with a predetermined groove. An LED device includes a lead frame, a package, an LED chip, a reflective member, and a molding material. The lead frame has a pair of socket type lead terminals with predetermined grooves. The package(20) is made of a synthetic resin material to hold partially the lead frame. The LED chip(60) is inserted into the predetermined groove of the lead terminal. The reflective member is formed along an inner surface of the package. The molding material(80) is filled in the package to protect the LED chip.
Abstract translation: 提供LED器件以通过使用具有预定凹槽的插座型引线端子将LED芯片水平地安装在封装中来防止从LED芯片发射的光的损失。 一种LED器件包括引线框架，封装，LED芯片，反射构件和成型材料。 引线框架具有一对具有预定凹槽的插座型引线端子。 包装（20）由合成树脂材料制成以部分地保持引线框架。 LED芯片（60）插入到引线端子的预定凹槽中。 反射构件沿着包装的内表面形成。 模制材料（80）填充在封装中以保护LED芯片。
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公开(公告)号：KR100616693B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020050072963
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고출력 질화물 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 갖는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 질화물 반도체 발광소자의 상면 중 서로 다른 영역에 각각 형성된 제1 및 제2 절연층과, 상기 제1 및 제2 절연층 상에 각각 형성된 제1 및 제2 본딩패드와, 상기 제1 및 제2 본딩패드로부터 각각 연장되며 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 접속된 제1 및 제2 연장전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따른 전극배열은 본딩패드가 발광소자와 직접 접속하는 것을 방지하므로, 연장전극만으로 보다 균일한 전류분산을 도모할 수 있는 대칭구조를 보다 용이하게 설계할 수 있다.
질화물 발광소자(nitride light emitting device), 본딩패드(bonding pad), 전류분산(current spreading)Abstract translation: 一种氮化物半导体发光器件，包括依次形成在衬底上的第一导电型氮化物半导体层，有源层以及第二导电型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光器件包括： 分别形成在第一和第二绝缘层上的第一和第二接合焊盘;分别形成在第一和第二接合焊盘上的第一和第二接合焊盘， 1以及分别连接到第二导电类型半导体层的第一和第二延伸电极。 根据本发明的电极阵列防止键合焊盘直接连接到发光器件，使得可以更容易地设计仅通过延伸电极可以实现更均匀电流扩散的对称结构。
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公开(公告)号：KR100878396B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070034194
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명의 반도체 발광소자는, 상호 대향하는 제1 및 제2 측면, 상호 대향하는 제3 및 제4 측면 및 사각 형상의 상면을 갖되, 순차적으로 적층된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광부; 상기 발광부의 상면에 형성되어, 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속되는 제1 전극; 및 상기 발광부의 상면에 형성되어, 상기 n형 및 p형 도전형 반도체층 중 다른 하나에 접속되는 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은, 상기 제1 및 4 측면 사이의 코너와 제2 및 3 측면 사이의 코너를 연결하는 대각선을 사이에 두고 서로 분리되어 배치되고 서로 반대방향으로 상기 대각선과 평행하게 연장된 2개의 제1 주전극지를 구비한다. 상기 제2 전극은 상기 대각선과 상기 제1 및 제2 측면을 따라 연장된 Z자형의 제2 주전극지를 구비한다.
발광 소자, LED, 동작 전압, 질화물 반도체-
公开(公告)号：KR100833309B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060030502
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극 패드와, 상기 p형 전극 패드로부터 뻗어 나와 상기 p형 전극 패드와 인접한 투명 전극의 일변에 대하여 0° 보다 크고 90° 보다 작거나 같은 경사각을 가지면서 선형으로 형성된 p형 연결 전극과, 상기 p형 연결 전극의 일단에서 연장되어 n형 전극 패드 방향으로 뻗어 있으며, 인접한 투명 전극의 일변과 평행하게 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 전극 패드와 서로 마주보도록 형성된 n형 전극 패드를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
발광소자, LED, 전극, 전류집중, 발광면, 휘도Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域中的有源层，形成在所述n型氮化物半导体层，所述活性层p 型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体和形成于所述层上的透明电极，和形成在透明电极上的p型电极焊垫，从电极焊盘透明电极的单变量和邻近该p型电极焊盘延伸的p出 0＆deg; 大于90°; 小于或同时保持相同的倾斜角度，并从由电极和p型连接电极形成，并延伸到n-型电极焊盘方向的线性p型连接的一端延伸，平行形成在p型电极与相邻的透明电极的单变量和 以及n型电极焊盘，其形成为面向其上未形成有源层的n型氮化物半导体层上的p型电极焊盘。
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