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公开(公告)号：KR100890740B1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：KR1020070015947
申请日：2007-02-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성되며, 서로 대향하는 적어도 하나의 제2 도전형 전극패드와, 상기 제2 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제2 도전형 전극과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 서로 대향하는 상기 제2 도전형 전극패드와 대향하는 적어도 하나의 제1 도전형 전극패드 및 상기 제1 도전형 전극패드로부터 인출된 복수의 제1 도전형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광소자, LED, 전극, 전류확산, 발광면Abstract translation: 本发明是一种氮化物基涉及一种半导体发光装置，特别地，在衬底和在衬底上形成第一导电型氮化物半导体层，形成在第一导电型氮化物半导体层的预定区域中的有源层，所述有源层 形成于第2导电型氮化物半导体层和被形成在所述透明电极，形成在层上的透明电极，和至少一个第二导电型电极焊盘，其被彼此相对，其中所述第二导电型氮化物半导体 多个第二导电类型电极，从第二导电类型电极焊盘延伸;以及至少一个第一导电类型电极，形成在第一导电类型氮化物半导体层上并且与第二导电类型电极焊盘相对， 类型电极焊盘和从第一导电类型电极焊盘引出的多个第一导电类型电极。
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公开(公告)号：KR100868361B1
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：KR1020070000801
申请日：2007-01-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 질화물 반도체층으로부터 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄 방법으로 형성된 굴곡 패턴과, 상기 굴곡 패턴이 형성된 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
발광소자, 광추출, 비평면, 굴곡, 인-시츄(in-situ)-
公开(公告)号：KR100813232B1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：KR1020050021935
申请日：2005-03-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, n형 전극; 상기 n형 전극 하면에 n형 질화갈륨층, 활성층, p형 질화갈륨층이 순차적으로 형성된 질화갈륨계 LED 구조물; 상기 질화갈륨계 LED 구조물 하면의 일부분에 형성되어 상기 활성층에서 생성된 광자를 반사하는 도전성 광자반사막; 상기 도전성 광자반사막이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 하면에 형성된 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막; 상기 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막 하면에 형성된 도전성 접합층; 및 상기 도전성 접합층 하면에 형성된 도전성 기판을 포함하는 것을 주요한 특징으로 함으로써, 활성층에서의 광생성 효율 및 외부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
LED, 수직구조 발광다이오드, 쇼트키 접촉막, 절연막, 금속막-
公开(公告)号：KR1020070105577A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060037876
申请日：2006-04-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A vertically structured GaN type light emitting diode device is provided to maximize light emitting efficiency by forming a nano-pattern on a top surface thereof and extending the nano-patterns to an upper surface of a structure supporting layer. A p-type electrode(220) is formed on a structure supporting layer(210). A p-type GaN layer, an activation layer, and an n-type GaN layer are sequentially laminated on the p-type electrode in order to form a light emitting structure(260). A transparent electrode layer(270) having a plurality of nano-patterns(280) is formed on the light emitting structure. The plurality of nano-patterns are formed at a predetermined interval on a surface of the transparent electrode layer. An n-type electrode(290) is formed on the transparent electrode.
Abstract translation: 提供了一种垂直结构的GaN型发光二极管器件，用于通过在其顶表面上形成纳米图案并将纳米图案延伸到结构支撑层的上表面来最大化发光效率。 在结构支撑层（210）上形成p型电极（220）。 为了形成发光结构（260），p型GaN层，活化层和n型GaN层依次层叠在p型电极上。 在发光结构上形成具有多个纳米图案（280）的透明电极层（270）。 在透明电极层的表面上以预定的间隔形成多个纳米图案。 在透明电极上形成n型电极（290）。
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公开(公告)号：KR100721142B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060023521
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 면적보다 큰 면적을 가지는 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 p형 전극 패드와, 상기 p형 전극 패드와 소정간격 이격되어 상기 p형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성된 투명전극과, 상기 p형 전극 패드로부터 뻗어 상기 투명전극 상에 직선형으로 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 소정 영역 상에 형성된 비저항 접촉층과, 상기 비저항 접촉층 상에 형성된 n형 전극 패드 및 상기 n형 전극 패드로부터 뻗어 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, 상기 p형 전극과 평행한 직선형으로 형성된 n형 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
질화물, 반도체, 전극, 전극패드, 전류확산, 휘도Abstract translation: 本发明是形成在氮化物系半导体光作为根据所述设备，特别是，在基板和形成于基板，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域中的有源层，所述有源层上的n型氮化物半导体层 和的第一区域和形成在所述p型氮化物半导体层的第一区域以及具有的面积大于所述第一区域的面积大于由第二区域隔开的顶表面的p型氮化物半导体层的p型电极垫 和p型电极焊垫和给予分开的p型氮化物形成在半导体层的第二区域中的第一透明电极和p从形成在上透明电极的p型电极的直线电极焊盘延伸，并且所述的距离 形成在非电阻接触层上的n型电极焊盘和形成在n型氮化物半导体层上的n型电极焊盘， 型氮化物半导体层，以及形成在n型氮化物半导体层上并沿平行于p型电极的直线延伸的n型电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100638730B1
公开(公告)日：2006-10-30
申请号：KR1020050031107
申请日：2005-04-14
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2933/0083
Abstract: The invention provides a vertical group III-nitride light emitting device improved in external extraction efficiency and a method for manufacturing the same. The method includes forming an undoped GaN layer and an insulating layer on a basic substrate. Then, the insulating layer is selectively etched to form an insulating pattern, and an n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer, an active layer and a p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer are sequentially formed on the insulating pattern. A conductive substrate is formed on the p-doped AlmGanIn(1-m-n)N layer. The basic substrate, the undoped gaN layer and the insulating pattern are removed, and an n-electrode is formed on a part of the exposed surface of the n-doped AlxGayIn(1-x-y)N layer.
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公开(公告)号：KR100588378B1
公开(公告)日：2006-06-09
申请号：KR1020050021731
申请日：2005-03-16
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 구조지지층이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 위에 패턴이 형성된 유리기판을 부착한 후 레이저 리프트 오프(LLO) 공정과 N형 전극 형성공정 및 소자분리(ISO) 공정을 진행한 다음 웨이퍼에 손상을 주지않고 상기 유리기판을 제거한 후 열처리 공정 및 칩(Chip) 형성 공정을 진행함으로써, Fab 공정시 실리콘 기판이 깨어진다거나 상기 구조지지층이 휘어지는 현상을 방지할 수 있고 또한 소자분리 공정을 용이하게 실시할 수 있기 때문에 Fab 공정의 가공성 및 수율을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다.
이를 위한 본 발명의 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법은 구조지지층이 형성된 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물(A)을 제공하는 단계; 상기 구조지지층 상에 소정의 패턴이 형성된 보조기판을 접착성 물질을 사용하여 소정의 온도에서 고착하는 단계; 상기 보조기판을 부착한 상태에서 Fab 공정을 진행하는 단계; 및 상기 Fab 공정을 진행한 후 상기 보조기판을 제거한 다음 공지의 열처리 및 칩 형성공정을 진행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
청색 발광다이오드, 질화갈륨, LED, 구조지지층, Fab 공정Abstract translation: 本发明涉及一种制造垂直结构氮化镓（GaN）发光二极管的方法，其包括将图案化的玻璃基板附着在其上形成有结构支撑层的氮化镓（GaN）LED结构上， 在进行N型电极形成工艺和器件隔离（ISO）工艺之后，移除玻璃基板而不损坏晶片，然后进行热处理工艺和芯片形成工艺。 可以防止结构支撑层弯曲，并且可以容易地执行元件分离工艺，从而提高Fab工艺的可加工性和成品率。
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公开(公告)号：KR100814464B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020060117208
申请日：2006-11-24
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride-based semiconductor light emitting device is provided to increase an effective area for light emission by eliminating the necessity of connection electrodes for connecting a plurality of electrode pads of first and second conductivity types or a plurality of electrodes of the first and second conductivity types. A nitride semiconductor layer(120) of a first conductivity type is formed on a substrate, An active layer is formed on a predetermined region of the nitride semiconductor layer. A nitride semiconductor layer of a second conductivity type is formed on the active region. A transparent electrode(150) is formed on the nitride semiconductor layer of the second conductivity type. At least two electrode pads(170a) of the second conductivity type are formed on the transparent electrode, not coming in direct contact with the transparent electrode and separated from each other. A plurality of electrodes(170) of the second conductivity type are made of a linear type, directly extended in one direction from the electrode pad of the second conductivity. At least one electrode pad(160a) of the first conductivity type is formed on the nitride semiconductor layer of the first conductivity type where the active layer is not formed, confronting the electrode pad of the second conductivity type. A plurality of electrodes(160) of the first conductivity type is made of a linear type, directly extended in one direction from the electrode pad of the first conductivity type and composed of a finger structure gearing with the electrode of the second conductivity type.
Abstract translation: 提供了一种氮化物系半导体发光器件，用于通过消除用于连接多个第一和第二导电类型的电极焊盘的连接电极或第一和第二导电类型的多个电极来增加发光的有效面积 。 在衬底上形成第一导电类型的氮化物半导体层（120）。在氮化物半导体层的预定区域上形成有源层。 在有源区上形成第二导电类型的氮化物半导体层。 在第二导电类型的氮化物半导体层上形成透明电极（150）。 第二导电类型的至少两个电极焊盘（170a）形成在透明电极上，不与透明电极直接接触并且彼此分离。 第二导电类型的多个电极（170）由直线型制成，从第二导电性的电极焊盘沿一个方向直接延伸。 在第一导电类型的氮化物半导体层上形成第一导电类型的至少一个电极焊盘（160a），其中没有形成有源层，面对第二导电类型的电极焊盘。 第一导电类型的多个电极（160）由直线型形成，从第一导电类型的电极焊盘直接沿一个方向延伸，并且由与第二导电类型的电极的手指结构构成。
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公开(公告)号：KR100812737B1
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020060064431
申请日：2006-07-10
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 플립칩용 질화물계 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 서브마운트의 리드 패턴 상에 범프 볼을 통해 플립 본딩되는 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되되, 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성되되, 서로 등간격을 이루며 균일하게 배치된 다수의 p형 전극 패드 및 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되되, 상기 p형 전극 패드와 서로 등간격을 이루며 균일하게 배치된 다수의 n형 전극 패드를 포함하는 플립칩용 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
플립-칩(flip-chip), 발광다이오드(LED), 전극패드, 발광면, 저항-
公开(公告)号：KR1020070099269A
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020060030502
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride-based semiconductor light-emitting device is provided to expand a light-emitting surface through a P-type connection electrode linearly formed at the corner of a transparent electrode at a tilt angle below 90 degrees. A nitride-based semiconductor light-emitting device includes a substrate, an n-type nitride semiconductor layer(120), an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent electrode(150), a p-type electrode pad(170a), a p-type connection electrode(170'), a p-type electrode(170), and an n-type electrode pad(160a). The n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on the substrate. The active layer is formed in a predetermined area of the n-type nitride semiconductor layer(120). The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The transparent electrode(150) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The p-type electrode pad(170a) is formed on the transparent electrode(150). The p-type connection electrode(170') is extended from the p-type electrode pad(170a), and is linearly formed at a tilt angle less than 90 degrees with respect of one side of the transparent electrode(150) adjacent to the p-type electrode pad(170a). The p-type electrode(170) is extended from one end of the p-type connecting electrode(170') toward the n-type electrode pad(160a), and is parallel to one side of the adjacent transparent electrode(150). The n-type electrode pad(160a) faces the p-type electrode pad(170a) on the n-type nitride semiconductor layer(120) without the active layer.
Abstract translation: 提供了一种氮化物系半导体发光器件，用于通过在透明电极的角部线性形成的P型连接电极以90度以下的倾斜角度使发光面膨胀。 氮化物系半导体发光元件包括基板，n型氮化物半导体层（120），有源层，p型氮化物半导体层，透明电极（150），p型电极焊盘 170a），p型连接电极（170'），p型电极（170）和n型电极焊盘（160a）。 n型氮化物半导体层（120）形成在基板上。 有源层形成在n型氮化物半导体层（120）的预定区域中。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 透明电极（150）形成在p型氮化物半导体层上。 p型电极焊盘（170a）形成在透明电极（150）上。 p型连接电极（170'）从p型电极焊盘（170a）延伸，并且相对于邻近于透明电极（150）的一侧的倾斜角小于90度线性地形成 p型电极焊盘（170a）。 p型电极（170）从p型连接电极（170'）的一端朝向n型电极焊盘（160a）延伸，并且与相邻的透明电极（150）的一侧平行。 n型电极焊盘（160a）面对没有活性层的n型氮化物半导体层（120）上的p型电极焊盘（170a）。
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