公开(公告)号：KR100891833B1

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020060101576

申请日：2006-10-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송준오 ,  성태연 ,  김경국 ,  홍현기 ,  최광기 ,  김현수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: 다층 전극 및 이를 구비한 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 다층 전극은, p형 반도체층 위에 적층되는 반사전극층, 상기 반사전극층의 집괴 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 집괴방지 전극층 및 상기 집괴방지 전극층의 확산을 방지하기 위하여 상기 반사전극층과 상기 집괴방지 전극층 사이에 삽입된 확산방지 전극층을 포함한다.
화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN

公开(公告)号：KR1020060041004A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040090351

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법이 개시된다. 개시된 전극 형성방법은, p형 화합물 반도체층 위에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 제1 전극층을 산소(O
2 )가 포함된 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR100896564B1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020040069151

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183

Abstract: 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층과 오믹콘택을 형성하는 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 상에 투명 전도성 산화물로 형성되는 제 2 전극층 및 상기 제 2 전극층 상에 광반사 물질로 형성되는 제 3 전극층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 반사전극이 제공된다. 또한 상기 반사전극을 구비하는 화합물 반도체 발광소자, 예를 들어 LED 또는 LD가 제공된다.

公开(公告)号：KR100862447B1

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020070012368

申请日：2007-02-06

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트

Inventor： 조제희 ,  몬트프랭크윌헬름 ,  손철수 ,  김종규 ,  송준오 ,  슈베르트이프레드

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 반도체 발광소자에서 광추출시 반도체 물질과 공기 또는 봉합물질과의 굴절률 차이에 따른 광반사 발생을 억제하여 광출력 손실을 줄이고 광투과 효율을 최대화 할 수 있도록 그 구조가 개선된 고투과 광학 박막 및 이를 구비한 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 광학 박막은, 제1 굴절률을 갖는 제1 물질층, 상기 제1 물질층 상에 형성된 것으로, 상기 제1 굴절률 보다 작은 제2 굴절률을 갖는 제2 물질층 및 상기 제1 물질층과 제2 물질층 사이에 개재되는 것으로, 상기 제1 물질층쪽에서 제2 물질층쪽으로 진행할수록 제1 굴절률과 제2 굴절률의 사이범위에서 그 굴절률 분포가 점차로 감소되는 다층구조로 형성된 그레이드식-굴절률층(graded-refractive index layer)을 포함한다.

公开(公告)号：KR100764458B1

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020040068295

申请日：2004-08-28

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  남옥현 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/40

Abstract: 전극층, 이를 구비하는 발광소자 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 p형 화합물 반도체 상에 제1 및 제2 전극층이 순차적으로 적층되어 형성된 전극층에 있어서, 상기 제1 전극층은 인듐산화물(In
2 O
3 )에 첨가원소가 첨가되어 형성된 것을 특징으로 하는 전극층을 제공하고, 이를 구비하는 발광소자, 예컨대 LED, LD를 제공하며, 상기 전극층의 제조방법을 제공한다. 상기 첨가원소는 Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr, Mn, Hg, Pr, La 계열의 원소 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100657909B1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020040090351

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법이 개시된다. 개시된 전극 형성방법은, p형 화합물 반도체층 위에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 제1 전극층을 산소(O
2 )가 포함된 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060020331A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040069151

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 곽준섭 ,  성태연 ,  송준오

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/183

Abstract: 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층과 오믹콘택을 형성하는 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 상에 투명 전도성 산화물로 형성되는 제 2 전극층 및 상기 제 2 전극층 상에 광반사 물질로 형성되는 제 3 전극층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 반사전극이 제공된다. 또한 상기 반사전극을 구비하는 화합물 반도체 발광소자, 예를 들어 LED 또는 LD가 제공된다.

Abstract translation: 公开了具有反射电极的反射电极和化合物半导体发光器件。 根据本发明，提供了一种形成在所述发光器件半导体层的化合物半导体的p型化合物的电极，在第一电极层上的透明导电氧化物的形成，所述第一电极层以形成p型化合物半导体层和欧姆接触 以及在第二电极层上由光反射材料形成的第三电极层。 此外，提供具有上述反射电极的化合物半导体发光器件，例如LED或LD。

公开(公告)号：KR1020080070475A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020070012368

申请日：2007-02-06

Applicant: 삼성전기주식회사 ,  렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트

Inventor： 조제희 ,  몬트프랭크윌헬름 ,  손철수 ,  김종규 ,  송준오 ,  슈베르트이프레드

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

Abstract: A high-transmitting optical thin film is provided to reduce optical loss and maximize light transmission efficiency by suppressing generation of optical reflection caused by a difference of refractive indexes between a semiconductor material and air or an encapsulation material. A second material layer(14) is formed on a first material layer(11) with a first refractive index, having a second refractive index smaller than the first refractive index. A graded-refractive index layer(12) is made of a multilayered structure whose distribution of the refractive index gradually reduces in a range from the first refractive index to the second refractive index as it goes from the first material layer to the second material layer, interposed between the first and second material layers. The first and second refractive indexes can be selected from a range of 1 to 4.

Abstract translation: 通过抑制由半导体材料与空气或封装材料之间的折射率的差异引起的光反射的产生，提供高透射性的光学薄膜，以减少光学损耗并使光的透射效率最大化。 在具有第一折射率的第一材料层（11）上形成第二材料层（14），其具有小于第一折射率的第二折射率。 渐变折射率层（12）由折射率分布在从第一材料层到第二材料层从第一折射率到第二折射率的范围内逐渐降低的多层结构制成， 介于第一和第二材料层之间。 第一和第二折射率可以从1到4的范围内选择。

公开(公告)号：KR1020080035215A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020060101576

申请日：2006-10-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송준오 ,  성태연 ,  김경국 ,  홍현기 ,  최광기 ,  김현수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: A multilayered reflective electrode layer is provided to avoid an agglomeration phenomenon occurring on the surface of a reflective electrode during a heat treatment process by using a diffusion barrier electrode layer and an agglomeration preventing electrode layer. A reflective electrode layer(122) is stacked on a p-type semiconductor layer. An agglomeration preventing electrode layer(126) is stacked on the reflective electrode layer to avoid agglomeration of the reflective electrode layer. A diffusion barrier electrode layer(124) is interposed between the reflective electrode layer and the agglomeration preventing electrode layer to avoid diffusion of the agglomeration preventing electrode layer. An oxidation preventing electrode layer(128) can be formed on the agglomeration preventing electrode layer to avoid oxidation of the agglomeration preventing electrode layer.

Abstract translation: 提供多层反射电极层，以通过使用扩散阻挡电极层和防结块电极层来避免在热处理过程中在反射电极的表面上发生的聚集现象。 反射电极层（122）层叠在p型半导体层上。 在反射电极层上堆叠防结块电极层（126），以避免反射电极层的聚集。 扩散阻挡电极层（124）插入在反射电极层和防结块电极层之间，以避免聚集阻止电极层的扩散。 可以在防结块电极层上形成氧化防止电极层（128），以防止防结块电极层的氧化。

公开(公告)号：KR100755656B1

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：KR1020060076368

申请日：2006-08-11

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김경국 ,  최광기 ,  송준오 ,  윤석호 ,  백광현 ,  김현수

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217

Abstract: A method for fabricating a nitride semiconductor light emitting device is provided to separate and remove easily a semiconductor device from a substrate through chemical lift-off. A sacrificial layer(12) having good wet etching ability is formed on a substrate(10). A protection layer(14) is formed on the sacrificial layer to protect it under a reaction gas atmosphere. A semiconductor device(30) comprising an n-type semiconductor layer(22), an active layer(24) and a p-type semiconductor layer(26) is formed on the protection layer. The sacrificial layer is wet-etched to separate and remove the substrate from the semiconductor device.

Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法，用于通过化学剥离从衬底中容易地分离和去除半导体器件。 在衬底（10）上形成具有良好湿蚀刻能力的牺牲层（12）。 在牺牲层上形成保护层（14）以在反应气体气氛下保护它。 在保护层上形成包括n型半导体层（22），有源层（24）和p型半导体层（26）的半导体器件（30）。 将牺牲层湿式蚀刻以从半导体器件分离和去除衬底。