公开(公告)号：KR100891833B1

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：KR1020060101576

申请日：2006-10-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송준오 ,  성태연 ,  김경국 ,  홍현기 ,  최광기 ,  김현수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: 다층 전극 및 이를 구비한 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 다층 전극은, p형 반도체층 위에 적층되는 반사전극층, 상기 반사전극층의 집괴 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 집괴방지 전극층 및 상기 집괴방지 전극층의 확산을 방지하기 위하여 상기 반사전극층과 상기 집괴방지 전극층 사이에 삽입된 확산방지 전극층을 포함한다.
화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN

公开(公告)号：KR1020080043648A

公开(公告)日：2008-05-19

申请号：KR1020060112449

申请日：2006-11-14

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김현수 ,  김경국 ,  김형근 ,  최광기 ,  이정욱

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/44

Abstract: A method for manufacturing a vertical light emitting element is provided to form reliably and easily a passivation layer by performing a passivation deposition process in a forwardly inclined state of a sidewall of a light emitting layer. A light emitting layer(120) including an n type semiconductor layer(122), an active layer(123), and a p type semiconductor layer(124) is formed on a substrate. A first trench is formed on the light emitting layer. A passivation layer(130) is formed on the light emitting layer. A p type electrode(140) is formed on the p type semiconductor layer of the light emitting layer. A metal supporting layer(150) is formed on the passivation layer and the p type electrode. The substrate is removed. The remaining part of the light emitting layer is removed by etching the exposed surface of the light emitting layer. A p type electrode(160) is formed on the n type semiconductor layer. The light emitting layer is divided into light emitting device units by cutting the metal supporting layer.

Abstract translation: 提供一种用于制造垂直发光元件的方法，以通过在发光层的侧壁的向前倾斜状态下进行钝化沉积工艺来可靠且容易地形成钝化层。 在基板上形成包括n型半导体层（122），有源层（123）和p型半导体层（124）的发光层（120）。 在发光层上形成第一沟槽。 在发光层上形成钝化层（130）。 在发光层的p型半导体层上形成p型电极（140）。 在钝化层和p型电极上形成金属支撑层（150）。 去除衬底。 通过蚀刻发光层的暴露表面来去除发光层的剩余部分。 p型电极（160）形成在n型半导体层上。 通过切割金属支撑层将发光层分成发光器件单元。

公开(公告)号：KR1020080022459A

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020060085897

申请日：2006-09-06

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 윤석호 ,  진성호 ,  김경국 ,  이정욱

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0079

Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to easily separate and remove a substrate from a semiconductor device through chemical lift-off. A sacrificial layer(12) having good wet etching property is formed on a substrate(10), and then a passivation layer(14) is formed on the sacrificial layer to protect the sacrificial layer under a reaction gas atmosphere. Plural masking dots of a metal nitride are formed on the passivation layer. A nitride-based semiconductor layer(30) is formed on the passivation layer through laterally epitaxially growing using the masking dots as masks. A semiconductor device(50) comprising an n-type semiconductor layer(42), an active layer(44), and a p-type semiconductor layer(46) is formed on the nitride-based semiconductor layer. The sacrificial layer is wet-etched to separate or remove the substrate from the semiconductor device.

Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，用于通过化学剥离容易地从半导体器件分离和去除衬底。 在衬底（10）上形成具有良好湿法蚀刻性能的牺牲层（12），然后在牺牲层上形成钝化层（14），以在反应气体气氛下保护牺牲层。 在钝化层上形成金属氮化物的多个掩蔽点。 通过使用掩模点作为掩模通过横向外延生长在钝化层上形成氮化物基半导体层（30）。 在氮化物基半导体层上形成包括n型半导体层（42），有源层（44）和p型半导体层（46）的半导体器件（50）。 将牺牲层湿式蚀刻以从半导体器件分离或去除衬底。

公开(公告)号：KR1020080035215A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020060101576

申请日：2006-10-18

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송준오 ,  성태연 ,  김경국 ,  홍현기 ,  최광기 ,  김현수

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32

Abstract: A multilayered reflective electrode layer is provided to avoid an agglomeration phenomenon occurring on the surface of a reflective electrode during a heat treatment process by using a diffusion barrier electrode layer and an agglomeration preventing electrode layer. A reflective electrode layer(122) is stacked on a p-type semiconductor layer. An agglomeration preventing electrode layer(126) is stacked on the reflective electrode layer to avoid agglomeration of the reflective electrode layer. A diffusion barrier electrode layer(124) is interposed between the reflective electrode layer and the agglomeration preventing electrode layer to avoid diffusion of the agglomeration preventing electrode layer. An oxidation preventing electrode layer(128) can be formed on the agglomeration preventing electrode layer to avoid oxidation of the agglomeration preventing electrode layer.

Abstract translation: 提供多层反射电极层，以通过使用扩散阻挡电极层和防结块电极层来避免在热处理过程中在反射电极的表面上发生的聚集现象。 反射电极层（122）层叠在p型半导体层上。 在反射电极层上堆叠防结块电极层（126），以避免反射电极层的聚集。 扩散阻挡电极层（124）插入在反射电极层和防结块电极层之间，以避免聚集阻止电极层的扩散。 可以在防结块电极层上形成氧化防止电极层（128），以防止防结块电极层的氧化。

公开(公告)号：KR100755656B1

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：KR1020060076368

申请日：2006-08-11

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김경국 ,  최광기 ,  송준오 ,  윤석호 ,  백광현 ,  김현수

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217

Abstract: A method for fabricating a nitride semiconductor light emitting device is provided to separate and remove easily a semiconductor device from a substrate through chemical lift-off. A sacrificial layer(12) having good wet etching ability is formed on a substrate(10). A protection layer(14) is formed on the sacrificial layer to protect it under a reaction gas atmosphere. A semiconductor device(30) comprising an n-type semiconductor layer(22), an active layer(24) and a p-type semiconductor layer(26) is formed on the protection layer. The sacrificial layer is wet-etched to separate and remove the substrate from the semiconductor device.

Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物半导体发光器件的方法，用于通过化学剥离从衬底中容易地分离和去除半导体器件。 在衬底（10）上形成具有良好湿蚀刻能力的牺牲层（12）。 在牺牲层上形成保护层（14）以在反应气体气氛下保护它。 在保护层上形成包括n型半导体层（22），有源层（24）和p型半导体层（26）的半导体器件（30）。 将牺牲层湿式蚀刻以从半导体器件分离和去除衬底。

公开(公告)号：KR100867541B1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：KR1020060112449

申请日：2006-11-14

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김현수 ,  김경국 ,  김형근 ,  최광기 ,  이정욱

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/44

Abstract: 수직형 발광 소자의 제조 방법이 개시된다. 개시된 수직형 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층을 포함하는 발광층을 형성하는 단계와, 상기 발광층을 개개의 발광 소자 단위로 구분하는 제1트랜치를 상기 발광층에 형성하되, 상기 제1트랜치 하부에 상기 발광층을 소정 두께로 잔존시키는 단계와, 상기 발광층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 발광층의 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션층과 p형 전극 상에 금속 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거함으로써 노출된 상기 발광층의 표면을 식각하면서 상기 발광층의 잔존 부분을 제거하는 단계와, 상기 발광층의 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 금속 지지층을 절단하여 상기 발광층을 개개의 발광 소자 단위로 분리하는 단계를 구비한다.

公开(公告)号：KR100867518B1

公开(公告)日：2008-11-07

申请号：KR1020060085897

申请日：2006-09-06

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 윤석호 ,  진성호 ,  김경국 ,  이정욱

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0079

Abstract: 고효율 및 고출력의 특성을 갖는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 습식 식각성이 우수한 특성을 갖는 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 형성되는 것으로, 결정성장을 위한 반응가스 분위기에서 상기 희생층을 보호하고 그 위에 형성되는 반도체층의 에피성장을 용이하게 하는 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층 상에 금속질화물로 이루어진 다수의 마스킹 도트들(masking dots)을 형성하는 단계, 상기 마스킹 도트들을 마스크로 이용하여 상기 보호층 상에 측면 에피택시(lateral epitaxy) 성장으로 질화물계 반도체층을 형성하는 단계, 상기 질화물계 반도체층 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계 및 상기 희생층을 습식식각하여 상기 기판을 상기 반도체 소자로부터 분리하는 단계를 포함한다.