公开(公告)号：KR1020050096509A

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：KR1020040021906

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조동현 ,  코이케마사요시 ,  이마이유지 ,  김민호 ,  오방원 ,  함헌주

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판과, 상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴과, 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사파이어기판 또는 SiC기판에 비해 우수한 열전도성과 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정 또는 비정질기판과 측면성장법을 이용하여 고품질 질화물 반도체층을 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 질화물 반도체 발광소자를 보다 저렴한 비용으로 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100568300B1

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：KR1020040021906

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 조동현 ,  코이케마사요시 ,  이마이유지 ,  김민호 ,  오방원 ,  함헌주

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판과, 상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴과, 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사파이어기판 또는 SiC기판에 비해 우수한 열전도성과 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정 또는 비정질기판과 측면성장법을 이용하여 고품질 질화물 반도체층을 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 질화물 반도체 발광소자를 보다 저렴한 비용으로 제공할 수 있다.
질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), AlN 다결정기판(AlN polycrystal substrate), 측면성장법(lateral epitaxial overgrowth)