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公开(公告)号：KR1020120012642A
公开(公告)日：2012-02-10
申请号：KR1020100074730
申请日：2010-08-02
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: C07F7/0854 , B82Y20/00 , C07B2200/11 , C08G77/04 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A nano-composite and a light emitting element package including the same are provided to improve the affinity to various matrices of the nano-composite and to stabilize nano-particles by including nano-particles and a silicon compound. CONSTITUTION: A nano-composite includes nano-particles and a silicon compound. The silicon compound is bonded to the surface of the nano-particles and is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, the R1, the R2, the R3, the R6, the R7, the R8, and the R9 are respectively methyl group or hydrogen; the R4 and the R5 are respectively aromatic hydrocarbon; the R6 is hydrogen, methyl group, or phenyl group; the Fn is NH_2, SH, COOH, CO(S)H, PPR3, or P(O)PR3; the x and the y are the integer of 1 to 100; and n is the integer of 1 to 100. The molecular weight of the silicon compound is in a range between 200 and 50,000. The nano-particles are one or more selected from silica, carbon black, metal powder, metal oxide, and quantum dots. The light emitting element package includes a light emitting diode element mounted on a substrate and a molding member covering the light emitting diode element and is dispersed with the nano-composite.
Abstract translation: 目的：提供纳米复合材料和包含其的发光元件封装，以提高对纳米复合材料的各种基体的亲和性，并通过纳入纳米颗粒和硅化合物来稳定纳米颗粒。 构成：纳米复合材料包括纳米颗粒和硅化合物。 硅化合物与纳米颗粒的表面结合并由化学式1表示。在化学式1中，R 1，R 2，R 3，R 6，R 7，R 8和R 9分别为甲基 基团或氢; R4和R5分别是芳烃; R6是氢，甲基或苯基; Fn是NH_2，SH，COOH，CO（S）H，PPR3或P（O）PR3; x和y是1到100的整数; n为1〜100的整数。硅化合物的分子量在200〜50,000的范围内。 纳米颗粒是选自二氧化硅，炭黑，金属粉末，金属氧化物和量子点中的一种或多种。 发光元件封装包括安装在基板上的发光二极管元件和覆盖发光二极管元件并与纳米复合材料分散的成型构件。
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公开(公告)号：KR1020110029856A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：KR1020090087704
申请日：2009-09-16
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L31/0322 , C01G15/00 , C01P2002/85 , C01P2006/40 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a compound semiconductor material and the compound semiconductor material thereof are provided to improve reaction efficiency by simplifying a reaction process. CONSTITUTION: A III-V family compound semiconductor material manufacturing method includes a reduction reaction between the metal oxide nano-particle of a III-family metal element and a V-family element contained compound. The shape of the metal oxide nano-particle is controlled before the reduction reaction. The metal oxide nano-particle of the III-family metal element is an indium oxide nano-particle. The V-family element contained compound tri(trimethylsilyl)phosphine.
Abstract translation: 目的：提供一种制备化合物半导体材料及其化合物半导体材料的方法，以通过简化反应过程来提高反应效率。 构成：III族V族化合物半导体材料的制造方法包括III族金属元素的金属氧化物纳米粒子与含有V族元素的化合物的还原反应。 在还原反应之前控制金属氧化物纳米颗粒的形状。 III族金属元素的金属氧化物纳米粒子是氧化铟纳米粒子。 V族元素含有化合物三（三甲基甲硅烷基）膦。
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公开(公告)号：KR100767604B1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020030017970
申请日：2003-03-22
Applicant: 주식회사 에스티앤아이 , 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 청색 LED칩 또는 자외선 LED칩을 사용하여 백색 LED 소자를 제조하는 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 백색 LED 소자의 제조방법에 의하면, 액상 에폭시 수지 및 반경화된 에폭시 수지 분말을 혼합한 몰딩 컴파운드에 형광 안료를 첨가한 조성물을 사용하여 몰딩 공정을 실시한다. 따라서, 에폭시 수지의 경화 반응이 2단계로 진행되기 때문에, 에폭시 수지보다 비중이 더 큰 형광 안료가 하부로 가라앉는 것을 방지할 수 있으며, 성능이 우수한 백색 LED 소자를 제조하는 것이 가능하다. 본 발명에 따른 제조방법에서는 몰딩 컴파운드에 실리콘 (silicone) 수지를 사용할 수도 있다.
액상에폭시, 백색 LED 소자, 형광 안료, 반경화된 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 수지-
公开(公告)号：KR100664985B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020040085789
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
압전필드효과(piezoelectric field effect), 터널링(tunneling), 내부양자효율(internal quantum efficiency)-
公开(公告)号：KR1020060038066A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087214
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 조동현
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 비정질 또는 다결정질의 질화물로 이루어진 중간층과, 상기 중간층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층을 포함한 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기한 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
질화물계 반도체(nitride based semiconductor), 발광소자(light emitting diode: LED), GaN(gallium nitride)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568300B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020040021906
申请日：2004-03-31
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, AlN로 이루어진 다결정 또는 비정질 기판과, 상기 AlN기판 상에 형성되며, 스트라이프형상 또는 격자형상으로 이루어진 복수개의 유전체 패턴과, 상기 유전체 패턴이 형성된 AlN기판 상에 측면성장법으로 형성된 측면성장 질화물 반도체층과, 상기 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자을 제공한다.
본 발명에 따르면, 사파이어기판 또는 SiC기판에 비해 우수한 열전도성과 기계적 특성을 갖는 AlN 다결정 또는 비정질기판과 측면성장법을 이용하여 고품질 질화물 반도체층을 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 질화물 반도체 발광소자를 보다 저렴한 비용으로 제공할 수 있다.
질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), AlN 다결정기판(AlN polycrystal substrate), 측면성장법(lateral epitaxial overgrowth)-
公开(公告)号：KR1020060010864A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020060004782
申请日：2006-01-17
Applicant: 주식회사 에스티앤아이 , 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 액상 에폭시 수지, 반경화된 에폭시 수지 분말 및 실리콘(silicone) 수지를 이용하여 몰딩 컴파운드 전체에 형광 안료가 균일하게 분포되는 백색 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 백색 LED 소자는, 인쇄회로기판 또는 리드프레임에 발광다이오드 칩이 장착되어 있으며, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 인쇄회로기판의 도전 패턴 또는 상기 리드프레임의 리드에 전기적으로 연결되어져 있고, 상기 발광 다이오드 칩은 에폭시 수지 및/또는 실리콘수지 및 형광 안료가 혼합된 백색 발광용 몰딩 컴파운드로 몰딩되어져 있어, 상기 형광안료는 상기 에폭시수지 및/또는 실리콘수지에 고르게 분포되는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에서 에폭시 수지의 경화 반응이 2단계로 진행되기 때문에, 에폭시 수지보다 비중이 더 큰 형광 안료가 하부로 가라앉는 것을 방지할 수 있으며, 성능이 우수한 백색 LED 소자를 제조하는 것이 가능하다.
액상에폭시, 백색 LED 소자, 형광 안료, 반경화된 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 수지-
公开(公告)号：KR1020130035447A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020110099749
申请日：2011-09-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: Y02W30/701 , Y02W30/706
Abstract: PURPOSE: A method for extracting a high molecular material from an alkaline solution is provided to have a simple pretreatment process, and to completely extract a polymer material without structural change. CONSTITUTION: A method for extracting a high molecular material from an alkaline solution comprises: a step of forming an aqueous solution layer, an emulsion layer, and an organic solvent layer by adding and mixing a non-aqueous organic solvent into a polymer material-containing alkali aqueous solution(S110); a step of adding an organic modifier to the aqueous solution layer, the emulsion layer, and the organic solvent layer, and transferring the polymer material to the organic solvent layer(S120); and a step of separating the organic solvent layer, evaporating the organic solvent, and extracting the polymer material. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Step of adding an organic solvent into an alkali aqueous solution; (S120) Step of adding an organic modifier into an aqueous solution layer, an emulsion layer, and an organic solvent layer; (S130) Step of separating the organic solvent layer; (S140) Step of extracting a polymer material by evaporating the organic solvent;
Abstract translation: 目的：提供从碱性溶液中提取高分子材料的方法以具有简单的预处理工艺，并且在没有结构变化的情况下完全提取聚合物材料。 构成：从碱性溶液中提取高分子材料的方法包括：通过将非水有机溶剂加入并混合到含聚合物材料的方法中，形成水溶液层，乳剂层和有机溶剂层的步骤 碱水溶液（S110）; 在水溶液层，乳剂层和有机溶剂层中添加有机改性剂，将聚合物材料转移到有机溶剂层的工序（S120）。 以及分离有机溶剂层，蒸发有机溶剂和萃取聚合物材料的步骤。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）将有机溶剂添加到碱性水溶液中的工序; （S120）将有机改性剂添加到水溶液层，乳剂层和有机溶剂层中的工序; （S130）分离有机溶剂层的工序; （S140）通过蒸发有机溶剂萃取聚合物材料的步骤;
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公开(公告)号：KR100826452B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060129522
申请日：2006-12-18
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: G02B3/0062 , G02B3/0075 , G02B7/02
Abstract: An optical component and a method for manufacturing the same are provided to form a precision structure of a micro-lens by using an electrostatic force supply unit for securing an optical path. A lens holder unit of a barrel structure includes a first electrode(12), an insulating structure(14) having a through-hole(H) as an optical path, and at least one second electrode(16) for surrounding the through-hole within the insulating structure. The insulating structure is formed on the first electrode. One or more micro-lens(18) is positioned within the through-hole and includes an outer circumference part. The outer circumference part of the micro-lens is surrounded by an inner sidewall of the though-hole of the lens holder unit. The micro-lens is made of a hardened transparent resin.
Abstract translation: 提供了一种光学部件及其制造方法，以通过使用用于固定光路的静电力供给单元来形成微透镜的精密结构。 圆筒结构的透镜保持器单元包括第一电极（12），具有作为光路的通孔（H）的绝缘结构（14）和用于围绕通孔的至少一个第二电极（16） 在绝缘结构内。 绝缘结构形成在第一电极上。 一个或多个微透镜（18）定位在通孔内并且包括外周部分。 微透镜的外周部分由透镜保持器单元的通孔的内侧壁包围。 微透镜由硬化的透明树脂制成。
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公开(公告)号：KR100788744B1
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020030041423
申请日：2003-06-25
Applicant: 주식회사 에스티앤아이 , 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 청색 LED칩 또는 자외선 LED칩을 사용하여 백색광, 청록색광 또는 핑크색광 등의 복합 파장의 광을 발생시키는 LED 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 의하면, 먼저 LED칩 상의 전극 패드를 마스크하는 마스크 패턴을 형성하고, Pulsed DC 또는 RF 스퍼터링법이나 PLD법을 사용하여 LED칩 상에 형광체막을 얇고 균일하게 증착한다. 스퍼터링법이나 PLD법에서는 SiO
2 또는 SiO에 형광체가 혼합된 물질을 사용하여 스퍼터링 공정 등의 타깃으로 만들어 형광체막을 증착하는데 사용한다. 형광체막을 증착시킨 다음에는 상기한 마스크 패턴을 제거함으로써 복합 파장의 광을 발생시키는 LED 소자를 제조한다.
LED, 형광체, 스퍼터링법, PLD법
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