公开(公告)号：KR100316774B1

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1019990000980

申请日：1999-01-15

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 백석순 ,  하병주 ,  오용수

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0132

Abstract: 본발명은유리와접합된두꺼운실리콘을고단면비로가공하는마이크로관성센서의제작방법을기재한다. 본발명에따른마이크로관성센서제작방법은유리기판위에실리콘을본딩해서본딩된실리콘을원하는두께로연마한다음, 연마된실리콘을 RIE로식각해서구조체를형성하고, 그리고식각된실리콘의홈을통해서실리콘구조체의바닥부분의유리를선택적으로식각해서실리콘구조물을바닥과분리시키는방법으로, 유리와접합된두꺼운실리콘을고단면비로가공하므로서측정면적과두께가커지고, 마스크를하나만사용하는간단한공정이다.

公开(公告)号：KR1020090044781A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020070111026

申请日：2007-11-01

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김철수 ,  하병주 ,  송인상 ,  김덕환 ,  박윤권 ,  신제식

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2059/0027

Abstract: MEMS 스위치가 개시된다. 본 MEMS 스위치는, 접지부, 구동 신호에 따라 이동하며, 입력단과 출력단 사이를 연결 또는 분리하는 이동부, 및 접지부의 일 측에 돌기 형태로 형성되어, 입력단 및 출력단 사이의 누설 신호를 접지부로 유도하는 전극부를 포함한다. 이에 의해 아이솔레이션 특성이 개선된다.
아이솔레이션, 스위치, MEMS 스위치

公开(公告)号：KR1020000050852A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990000980

申请日：1999-01-15

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 백석순 ,  하병주 ,  오용수

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0132

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a micro inertial sensor is provided to improve reliability and capability by processing a thick silicon joined to a glass in a high section ratio so that a measured surface and thickness becomes large, to eliminate parasitic capacitance generally caused by a silicon substrate by using glass as a substrate instead of silicon, and to reduce a manufacturing cost by a simple process using a mask. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro inertial sensor comprises the steps of: bonding a bulk silicon on a glass substrate; polishing the bonded bulk silicon to a desired thickness; forming an inertial sensor structure by etching the polished bulk silicon by an anisotropic etching method; forming a vacuum space by etching glass of a bottom portion of the silicon inertial sensor structure; and evaporating metal for an electrode on the entire surface of the etched chips.

Abstract translation: 目的：提供一种制造微惯性传感器的方法，以通过以高截面比加工连接到玻璃的厚硅，以便测量的表面和厚度变大，从而提高可靠性和能力，以消除通常由硅引起的寄生电容 通过使用玻璃作为基板代替硅，并且通过使用掩模的简单工艺来降低制造成本。 构成：微惯性传感器的制造方法包括以下步骤：将体硅结合在玻璃基板上; 将粘结体硅抛光至所需厚度; 通过各向异性蚀刻方法蚀刻抛光的体硅来形成惯性传感器结构; 通过蚀刻硅惯性传感器结构的底部的玻璃来形成真空空间; 并在蚀刻芯片的整个表面上蒸发用于电极的金属。