公开(公告)号：KR20210027983A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190109130A

申请日：2019-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강민규 ,  서승한 ,  정우철 ,  정의창

IPC: H04B7/06 ,  H04B7/0408 ,  H04B7/0456 ,  H04B17/12

CPC classification number: H04B7/0617 ,  H04B17/12 ,  H04B7/0408 ,  H04B7/0456 ,  H04B7/06

Abstract: 다양한 실시예에 따라서, 전자 장치는, 안테나 모듈, 메모리, 및 상기 메모리에 저장된 제1 반송 주파수(carrier frequency)에 대응하는 제1 빔북(beam book)을 확인하고 - 상기 제1 빔북은 상기 안테나 모듈에 포함된 각 안테나 엘리먼트(antenna element)에 대응하는 위상 값과 관련된 정보를 포함하며, 상기 안테나 모듈을 통해, 상기 확인된 제1 빔북에 기반하여 빔포밍(beamforming)을 수행하고, 상기 제1 반송 주파수와 다른 제2 반송 주파수로 변조하여 빔포밍을 수행하게 될 경우, 상기 제2 반송 주파수에 기반하여 상기 각 안테나 엘리먼트에 대응하는 위상 값이 보상된 제2 빔북을 확인하고, 상기 안테나 모듈을 통해, 상기 확인된 제2 빔북에 기반하여 빔포밍을 수행하도록 설정된, 프로세서를 포함할 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.

公开(公告)号：KR1020000059843A

公开(公告)日：2000-10-05

申请号：KR1019990007725

申请日：1999-03-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이운경 ,  김의도 ,  강민규

IPC: H01L21/033

Abstract: PURPOSE: A mask ROM of a semiconductor device and fabricating method thereof is to restrain an auto doping of a buried impurity diffusing area, thereby reducing a space between the impurity diffusing areas to a minimum and securing a punch through margin. CONSTITUTION: A mask ROM of a semiconductor device comprises a buried impurity diffusing area(72) formed around a surface of a semiconductor substrate(70), a buried insulating layer(76) formed on the buried impurity diffusing area, a pad conductive layer(78) formed between the buried impurity diffusing areas on the semiconductor substrate to be apart from each other at an interval and arranged in one direction, and a word line(80) for covering the pad conductive layer to be orthogonal to the buried impurity diffusing areas. A method for fabricating the mask ROM comprises steps of forming a gate insulating layer on the semiconductor substrate, forming a conductive pattern on the gate insulating layer in one direction, performing an ion implanting process using the conductive layer pattern as a mask to form the buried impurity diffusing area between the conductive layer patterns, burying a space between the conductive layer patterns with an insulating material to form the buried insulating layer, forming a conductive layer for the ward line and then forming a pad conductive layer at an overlapped area of the semiconductor substrate and the ward line.

Abstract translation: 目的：半导体器件的掩模ROM及其制造方法是抑制掩埋杂质扩散区域的自动掺杂，从而将杂质扩散区域之间的空间减小到最小限度，并确保穿孔余量。 构成：半导体器件的掩模ROM包括形成在半导体衬底（70）的表面周围的掩埋杂质扩散区域（72），形成在掩埋杂质扩散区域上的掩埋绝缘层（76），焊盘导电层 78），形成在所述半导体基板上的所述埋入的杂质扩散区域之间，以一定的间隔彼此分开并且沿一个方向排列;以及字线（80），用于覆盖所述焊盘导电层以与所述掩埋杂质扩散区域正交 。 一种制造掩模ROM的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅极绝缘层，在一个方向上在栅极绝缘层上形成导电图案，使用导电层图案作为掩模进行离子注入工艺以形成掩埋 在导电层图案之间的杂质扩散区域，用绝缘材料掩埋导电层图案之间的空间以形成掩埋绝缘层，形成用于区段线的导电层，然后在半导体的重叠区域形成焊盘导电层 底物和病房线。

公开(公告)号：KR1020030063641A

公开(公告)日：2003-07-31

申请号：KR1020020003871

申请日：2002-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강민규 ,  류원형

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/1126 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/112

Abstract: PURPOSE: A mask ROM device and its manufacturing method are provided to prevent short channel effect to be suitable for integration. CONSTITUTION: A gate insulation layer(110) and a lower conductive layer(125) are sequentially formed on a semiconductor substrate(100). A photoresist pattern is formed on the lower conductive layer. By using the photoresist layer as an ion implantation mask, a buried impurity region(140) is formed on the semiconductor substrate. The photoresist is removed and the lower conductive layer is exposed. An upper conductive layer(150) is formed on the lower conductive layer. The upper and lower conductive layer are sequentially patterned and an upper and lower conductive pattern crossing the buried impurity region is formed.

Abstract translation: 目的：提供掩模ROM器件及其制造方法，以防止短沟道效应适合于集成。 构成：在半导体衬底（100）上依次形成栅绝缘层（110）和下导电层（125）。 在下导电层上形成光刻胶图形。 通过使用光致抗蚀剂层作为离子注入掩模，在半导体衬底上形成掩埋杂质区（140）。 去除光致抗蚀剂并暴露下导电层。 在下导电层上形成上导电层（150）。 上下导电层依次构图，并形成与埋置杂质区交叉的上，下导电图案。

公开(公告)号：KR1019980036015A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960054485

申请日：1996-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상진 ,  강민규

IPC: H01L27/112

Abstract: 본 발명은 트랜지스터의 실제 활성 영역을 넓혀줌으로써 스트링 전류를 증가시켜줄 수 있는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법에 관한 것이며, 요지는 낸드 스트링 구조를 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법에 있어서, 활성 영역과 주변 영역의 필드산화막 두께를 다르게 유지하기 위하여 감광막으로 쎌 어레이만 개방되게 하기 위한 사진 마스크 과정과, 상기 활성 영역내의 스트링 전류를 증가시키기 위하여 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 활성 영역내의 상기 필드산화막만을 식각하는 과정을 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970030847A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950040263

申请日：1995-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상진 ,  강민규 ,  정칠희

IPC: H01L27/112

Abstract: 본 발명은 마스크 롬(ROM) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 마스크 ROM은 실리콘 기판 상에 형성된 복수개의 MOSFET와, 확산 방지막과, 보호층을 포함하는 마스크 ROM에 있어서, 상기 게이트 상에 상기 확산 방지막과 보호층이 형성된 상태에서도 ROM 코드 확인이 가능하도록 상기 보호층에 상기 보호층의 상면으로부터 소정의 깊이로 형성된 코딩 마크를 포함한다. 본 발명에 의하면, 칩 패키징을 할 때에 각각 ROM 코드가 다른 칩이 혼재된 상태로 패키징되는 것으로 인한 클레임을 방지하고, 소자의 불량 분석시 ROM 코드의 확인을 가능하게 함으로써 정확한 분석이 가능하다.

公开(公告)号：KR200182953Y1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR2019990027826

申请日：1999-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강민규 ,  이용범

IPC: H01L21/265

Abstract: 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 배치 타입 이온 주입 장치의 웨이퍼 지지 장치가 개시되어 있다. 상기 웨이퍼 지지 장치는 Y 방향 이온 주입을 위해 회전하는 디스크 및 상기 디스크의 외주면에 설치되는 웨이퍼 로딩 척을 포함한다. 상기 척은 상기 디스크의 표면으로부터 돌출되도록 형성되어 웨이퍼가 디스크 표면으로부터 소정 단차를 갖도록 한다. 따라서, 고전류에 의해 발진되는 이온 빔이 디스크를 스퍼터링함으로써 발생되는 오염 물질은 상기 단차로 인해 웨이퍼에 도달하지 못한다. 상기 웨이퍼 로딩 척은 디스크 방향으로 그 폭이 점점 좁아지는 형상, 즉 역사다리꼴 형상을 갖는다. 상기 척 근방에서 스퍼터링되는 오염 물질은 상기 척의 측면과 충돌하여 웨이퍼에의 도달이 방지된다.

公开(公告)号：KR1019960039401A

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019950010548

申请日：1995-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상진 ,  강민규 ,  안근옥

IPC: H01L27/112

Abstract: 마스크롬의 제조방법에 대해 기재되어 있다.
이는 반도체기판 상에 게이트전극 및 스페이서 형성후 롬 코딩을 위한 사진식각공정을 행하는 제1 공정과, 롬 코딩을 위한 이온을 주입하는 제2 공정을 포함하는 마스크롬 제조방법에 있어서, 제2 공정은, 반도체 기판에 불순물을 주입하는 1차 이온주입 공정과, 1차 이온주입 공정과는 그 주입에너지 및 도우즈가 각각 다른 2차 이온주입공정으로 진행되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 막의 불균일 또는 이상물질등에 의한 주입이온의 차단형상을 방지할 수 있으므로, 셀 문턱전압의 산포를 줄일 수 있고, 디바이스의 특성을 안정화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020160069990A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020150136190

申请日：2015-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이형주 ,  김태윤 ,  강민규 ,  이영포 ,  임채만 ,  장덕현

IPC: H04W52/02

CPC classification number: Y02D70/24

Abstract: 전자장치가개시된다. 상기전자장치는복수의기능을제어하는 AP, 상기 AP와연결된 CP, 및상기 CP와연결된센서모듈또는통신모듈을포함할수 있고, 상기 CP는상기 AP가슬립상태로진입하면, DRX 동작주기에따라상기센서모듈또는상기통신모듈로부터수집된정보에기초하여, 상기복수의기능중 적어도일부기능을제어할수 있다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.

Abstract translation: 公开了一种可以最小化不必要或无意义的功耗的电子设备。 电子设备包括：应用处理器（AP），用于控制多个功能; 连接到AP的通信处理器（CP）; 以及连接到CP的传感器模块或通信模块。 当AP进入休眠状态时，CP可以根据从传感器模块或通信模块收集的信息，根据不连续接收（DRX）操作周期来控制功能的至少一部分。 可以实现本说明书中公开的各种其它实施例。

公开(公告)号：KR100165389B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019950010548

申请日：1995-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상진 ,  강민규 ,  안근옥

IPC: H01L27/112

Abstract: 마스크 롬 제조방법에 관해 기재되어 있다.
이는 반도체기판 상에 게이트전극 및 스페이서 형성후 롬 코딩을 위한 사진식각공정을 행하는 제1 공정과, 롬 코딩을 위한 이온을 주입하는 제2 공정을 포함하는 마스크 롬 제조방법에 있어서, 제2 공정은, 반도체 기판에 불순물을 주입하는 1차 이온주입 공정과, 1차 이온주입 공정과는 그 주입에너지 및 도우즈가 각각 다른 2차 이온주입공정으로 진행되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 막의 불균일 또는 이상물질등에 의한 주입이온의 차단형상을 방지할 수 있으므로, 셀 문턱전압의 산포를 줄일 수 있고, 디바이스의 특성을 안정화할 수 있다.

公开(公告)号：KR101350068B1

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：KR1020120092647

申请日：2012-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영섭 ,  김상조 ,  강병호 ,  한춘우 ,  정화중 ,  강민규

IPC: H04N5/232 ,  G06T1/00

CPC classification number: H04N21/4728 ,  G06T3/4076

Abstract: An electronic device of the present invention includes a camera outputting view section images and interest section images corresponding to a part of the view section images according to setting information of an interest section; a first image signal processor setting the interest section in the view section images and outputting the setting information of the interest section; a second image signal processor converting a size or a resolution of the interest section image transmitted from the camera and outputting the converted interest section image; and a display unit displaying the converted interest section image for a user. [Reference numerals] (170) Camera

Abstract translation: 本发明的电子设备包括：摄像机，根据感兴趣部分的设定信息，输出与观看部分图像的一部分对应的观看部分图像和感兴趣部分图像; 第一图像信号处理器，将观看部分图像中的兴趣部分设置，并输出兴趣部分的设置信息; 转换从相机发送的感兴趣部分图像的大小或分辨率并输出转换的兴趣部分图像的第二图像信号处理器; 以及显示单元，显示用户的转换的兴趣部分图像。 （附图标记）（170）相机