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公开(公告)号：WO2022108099A1
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：PCT/KR2021/013393
申请日：2021-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 냉장고는 저장실을 갖는 본체와, 저장실을 개폐하도록 마련되고 도어 외판과 도어 내판과 연결 가이드를 포함하는 도어 바디와, 도어 바디의 전면에 분리 가능하게 결합되고 패널 바디와 마운트를 포함하는 도어 패널과, 연결 가이드와 마운트를 결합하는 체결 부재를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150073759A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161813
申请日：2013-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01F41/02
Abstract: 원료혼합물을얻는단계; 상기원료혼합물을 900도씨내지 1350도씨의온도에서하소하여, 하기일반식 1로나타내어지는 M-타입헥사페라이트또는하기일반식 2로나타내어지는 W-타입헥사페라이트를포함하는입자들을포함하는하소생성물을얻는단계; [일반식 1] ARFeMO여기서, A는 Sr, Ba, 및 Ca로부터선택된 1종이상이고, R은희토류원소로부터선택된 1종이상이고, M은 Co, Mn, Zn, Zr, Ni, Ti, Cu, Al, Ge, 및 As로부터선택된 1종이상이고, 0 ≤ x ≤ 0.6, 0 ≤ y ≤ 1.2 임; [일반식 2] AMeFeO여기서, A는 Sr, Ba, 및 Ca 로부터선택된선택된 1종이상이고, Me는 Co, Cu, Zn, Mn, ZrNi, Ti, Al, Ge, 및 As로부터선택된 1종이상이고, x 는 0 내지 2의수임; 상기하소생성물을 CoO, CoO, CoO, MnO, MnO, 및 BiO로부터선택된 1종이상의소결조제와혼합하여혼합물을얻는단계; 상기혼합물을압력하에성형하여성형체를얻는단계; 및상기성형체를 1000도씨내지 1300도씨의온도에서열처리하여소결자석을얻는단계를포함하는소결자석제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种烧结磁体的制造方法。 根据本发明，提供了一种制造烧结磁体的方法，包括以下步骤：获得原料混合物; 通过在900〜1350摄氏度的温度下烧结原料混合物获得烧结产品; 通过将烧结产物与选自CoO，Co 2 O 4，Co 3 O 4，Mn 2 O 3，Mn 3 O 4和Bi 2 O 3中的一种或多种烧结助剂混合来获得混合物; 通过在压力下形成混合物获得成形体; 通过在1000〜1300℃的温度下对成形体进行热处理而获得烧结磁体。 本发明的一个实施方案涉及制造高密度和改善磁性的六铁氧体烧结磁体的方法。
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公开(公告)号：KR1020140114720A
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020130063557
申请日：2013-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention relates to the support of a connection unit of a connector. Especially, disclosed in the present invention are a supporting module of a connection unit of a connector, which comprises a boss unit comprising at least one protrusion; a connection unit of a connector arranged to be adjacent to the boss unit; and a bracket arranged to cover at least one part of the connection unit of the connector and coupled with the boss unit, an electronic device comprising the supporting module, and assembling and disassembling methods of the electronic device.
Abstract translation: 本发明涉及连接器的连接单元的支撑。 特别地，在本发明中公开的是连接器的连接单元的支撑模块，其包括具有至少一个突起的凸台单元; 连接器，其布置成与所述凸台单元相邻; 以及托架，其被布置成覆盖连接器的连接单元的至少一部分并与凸台单元联接，包括支撑模块的电子设备以及电子设备的组装和拆卸方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090036698A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020070101871
申请日：2007-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/10882 , H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L21/28273 , H01L27/10885
Abstract: A semiconductor device and method of manufacturing the same is provided to obtain the open bit line structure by arranging a contact plug of one line between word lines and the contact plug of two lines between bit lines. The third interlayer insulating film(144) is formed on the top of the bit line(134) and the second inter metal dielectric(132). The top of the third interlayer insulating film is removed by the chemical mechanical polishing in order to expose bit lines. The fourth interlayer insulating film(146) is formed on the top of the planarized third interlayer insulating film and bit lines. The fifth photoresist pattern is formed on the top of the fourth interlayer insulating film. The fourth conductive film is formed in order to bury second contact holes. The barrier film(150) is formed on the top of contact plugs.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，以通过在字线和位线之间的两条线的接触插塞之间布置一条线的接触插塞来获得开放位线结构。 第三层间绝缘膜（144）形成在位线（134）的顶部和第二金属间电介质（132）上。 通过化学机械抛光去除第三层间绝缘膜的顶部，以暴露位线。 第四层间绝缘膜（146）形成在平坦化的第三层间绝缘膜和位线的顶部。 第五光致抗蚀剂图案形成在第四层间绝缘膜的顶部。 为了埋入第二接触孔，形成第四导电膜。 阻挡膜（150）形成在接触插塞的顶部。
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公开(公告)号：KR100724862B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050002330
申请日：2005-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/0227 , E05D11/1078 , E05Y2900/606 , H04M1/0233
Abstract: 본 발명은 제1 하우징과, 상기 제1 하우징에 대면한 상태로 상기 제1 하우징의 전면에 수직방향으로 연장된 힌지축을 중심으로 회전하는 제2 하우징과, 상기 제2 하우징을 상기 제1 하우징에 대면한 상태로 회전 가능하게 결합시키는 힌지 장치를 구비하는 스윙 타입 휴대용 단말기의 힌지 장치에 있어서, 상기 제1 하우징 상에 구속되어 상기 제1 하우징의 일면으로 노출되는 제1 힌지 캠; 상기 제2 하우징 내에 위치되고, 상기 힌지축 방향으로 연장되어 상기 제1 힌지 캠에 구속되는 힌지 샤프트; 및 상기 제2 하우징에 구속되고, 상기 제1 힌지 캠과 힌지 샤프트의 이에서 상기 힌지축 방향으로 직선 왕복운동 가능함과 동시에 상기 제1 힌지 캠과 대면한 상태로 상기 힌지축에 대하여 회전하는 제2 힌지 캠을 구비하는 스윙 타입 휴대용 단말기의 힌지 장치를 개시한다.
단말기, 힌지, 스윙-
公开(公告)号：KR101906946B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020110128366
申请日：2011-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C8/10 , G11C8/08 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C8/10 , G11C8/08 , G11C11/16 , G11C11/1653 , G11C11/1659
Abstract: 고밀도반도체메모리장치가제공된다. 이장치는하부구조체, 상부구조체, 및워드라인들을포함하면서상기하부및 상부구조체들사이에배치되는선택구조체, 그리고상기워드라인들에인가되는전압들을제어하는디코딩회로를포함할수 있다. 상기디코딩회로는, 입력되는하나의워드라인주소정보에대응하여, 서로인접하는한 쌍의워드라인들에제 1 전압을인가하고다른워드라인들에상기제 1 전압과는다른제 2 전압을인가하도록구성될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150104403A
公开(公告)日：2015-09-15
申请号：KR1020140026095
申请日：2014-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2896
Abstract: CPI 테스트 비어클 및 이를 이용한 CPI 테스트 방법이 제공된다. 상기 CPI 테스트 비어클은 메탈(metal) 패턴을 포함하는 칩을 포함하되, 상기 칩은 제1 및 제2 서브 영역을 포함하고, 상기 제1 서브 영역과 상기 제2 서브 영역은, 아래 (a)~(e) 중 어느 하나가 동일하고, 상기 (a)~(e) 중 다른 하나가 서로 다르다. (a) 상기 서브 영역의 크기 및 형상, (b) 상기 메탈 패턴의 금속 밀도, (c) 상기 메탈 패턴의 종류, (d) 상기 서브 영역과 상기 칩의 중심과의 거리, (e) 상기 메탈 패턴의 구조.
Abstract translation: 提供CPI测试车辆和使用其测试CPI的方法。 CPI测试车辆包括包括金属图案的芯片。 芯片包括第一和第二子区域。 在（a）至（e）中，第一和第二子区域是相同的，并且在另一个子区域中是不同的。 （a）至（e）是：（a）子区域的尺寸和形状，（b）金属图案的金属密度，（c）金属图案的种类，（d） 子区域和芯片的中心，以及（e）金属图案的结构。
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公开(公告)号：KR1020150048256A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020130126510
申请日：2013-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01F1/09 , H01F1/0577 , H01F41/02
Abstract: 하기일반식 1로나타내어지고 FeO를포함하는 M 타입헥사페라이트를포함하는자성분말이제공된다: [일반식 1] ARFeMO여기서, A는 Sr, Ba, 및 Ca로부터선택된 1종이상이고, R은희토류원소및 Bi로부터선택된 1종이상이고, M은 Co, Mn, Zn, Zr, Ni, Ti, Cu, Al, Ge, 및 As로부터선택된 1종이상이고, 0 0 임.
Abstract translation: 提供了包括具有FeO的M型六铁氧体的磁力，其呈现在以下通式A_1-xR_xFe_12-yM_yO_19-d中。 这里，A是选自Sr，Ba和Ca中的一种或多种; R是选自稀土元素和Bi中的一种或多种; M是选自Co，Mn，Zn，Zr，Ni，Ti，Cu，Al，Ge和As中的一种或多种。 0
0。
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