公开(公告)号：KR1020080007020A

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：KR1020060066498

申请日：2006-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김형용 ,  이용범 ,  박운기 ,  차광호 ,  정혁진

IPC: H01J37/30

Abstract: An ion implantation system and an inter-lock method of the same are provided to detect an ion implantation error by setting a dual interlock condition to a mass analyzer. An ion implantation system includes a mass analyzer(1), a power supply unit(5), a control unit(10), and a current sensing unit(15). The power supply unit supplies current to the mass analyzer. The control unit is electrically connected to the power supply unit. The current sensing unit senses the current from the power supply unit to the mass analyzer and transmits information related to the sensed current to the control unit. The control unit compares the sensed current information with the reference current information in order to generate an inter-lock signal for interrupting an operation of ion implantation equipment.

Abstract translation: 提供了一种离子注入系统及其互锁方法，通过将双重互锁条件设置为质量分析器来检测离子注入误差。 离子注入系统包括质量分析器（1），电源单元（5），控制单元（10）和电流检测单元（15）。 电源单元向质量分析仪提供电流。 控制单元电连接到电源单元。 电流感测单元感测从电源单元到质量分析器的电流，并将与感测到的电流相关的信息发送到控制单元。 控制单元将感测到的当前信息与参考电流信息进行比较，以产生用于中断离子注入设备的操作的互锁信号。

公开(公告)号：KR100706799B1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：KR1020050094486

申请日：2005-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권의희 ,  김태경 ,  금경수 ,  정원영 ,  차광호

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치의 이온 소스에 사용되는 필라멘트 부재에 관한 것이다. 필라멘트 부재는 중앙에 배치되는 원형의 애노드, 이를 감싸도록 배치되는 환형의 캐소드, 그리고 애노드와 캐소드에 연결되는 도전성 경로를 가진다. 도전성 경로는 복수개가 제공되며, 이들은 방사형으로 배치된다.
이온 소스, 아크 챔버, 필라멘트 부재, 애노드, 캐소드, 도전성 경로들

Abstract translation: 本发明涉及在离子注入机的离子源中使用的灯丝构件。 灯丝构件具有设置在中心的圆形阳极，设置成围绕阳极的环形阴极以及连接到阳极和阴极的导电路径。 提供多个径向布置的导电路径。

公开(公告)号：KR1020060019301A

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040067912

申请日：2004-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동우 ,  차광호

IPC: H01J37/30

Abstract: 본 발명은 수명을 향상시키기 위한 이온 주입 설비의 플라즈마 플루드 건 팔리멘트 인슐레이터(Plasma Flood Gun filament insulator : PFG filament insulator)에 관한 것이다. 본 발명의 PFG 필라멘트 인슐레이터는 필라멘트 인슐레이터의 수명 향상을 위하여, 필라멘트 인슐레이터의 내부 표면적을 증가시키는 것과, 필라멘트 인슐레이터와 아크 챔버와의 공간 확보 및 간격 유지 그리고, 아크 챔버와의 조립시 자동 얼라인되도록 구현된다. 따라서 본 발명에 의하면, 필라멘트 인슐레이터의 수명을 향상시킴으로써, 필라멘트 인슐레이터와 아크 챔버 간의 간격을 얼라인하는 공수를 줄일 수 있고, 인슐레이터와 아크 챔버 측벽 간의 쇼트 현상을 방지할 수 있으며, 그 결과, 플라즈마 플루드 건의 수명이 증가되어 생산성이 향상된다.
반도체 제조 설비, 이온 주입, 필라멘트, 인슐레이터, 수명 연장

公开(公告)号：KR1020080009568A

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：KR1020060069335

申请日：2006-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상국 ,  이용범 ,  차광호

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/67772

Abstract: A semiconductor apparatus having a monitoring system of temperature and humidity in a vacuum chamber and a method of analyzing temperature and humidity are provided to prevent the abnormal growth of a wafer oxide film and the condensation of a wafer by monitoring the state of temperature and humidity in a loadlock chamber through a temperature sensor and a humidity sensor. A semiconductor apparatus having a monitoring system of temperature and humidity in a vacuum chamber(100) includes the vacuum chamber, a pumping line(130), an upper temperature sensor(T1) and an upper humidity sensor(H1), a lower temperature sensor(T2) and a lower humidity sensor(H2), and a monitoring system. The pumping line is attached in the vacuum chamber. The upper temperature sensor and the upper humidity sensor are arranged at the upper part inside the vacuum chamber. The lower temperature sensor and the lower humidity sensor are arranged at the lower part inside the vacuum chamber. The monitoring system is arranged outside the vacuum chamber, and receives the data of the upper and lower temperature sensors and the upper and lower humidity sensors in real time.

Abstract translation: 提供具有真空室内的温度和湿度监测系统的半导体装置以及分析温度和湿度的方法，以防止晶片氧化膜的异常生长和通过监测晶片氧化膜的温度和湿度的状态来冷凝晶片 通过温度传感器和湿度传感器的负载锁定室。 具有真空室（100）中的温度和湿度监测系统的半导体装置包括真空室，泵送管线（130），上部温度传感器（T1）和上部湿度传感器（H1），下部温度传感器 （T2）和较低湿度传感器（H2），以及监控系统。 泵送线连接在真空室中。 上部温度传感器和上部湿度传感器布置在真空室内的上部。 下部温度传感器和下部湿度传感器布置在真空室内的下部。 监控系统布置在真空室的外面，实时接收上下温度传感器和上，下湿度传感器的数据。

公开(公告)号：KR1020070008296A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050063409

申请日：2005-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차광호 ,  임병기 ,  금경수 ,  김성구 ,  윤수한 ,  권의희 ,  김영태 ,  김영태

IPC: H01L21/265

Abstract: An ion source head of an ion implanting apparatus is provided to improve ionization efficiency of an ion source head by increasing the number of thermal electrons discharged from a filament and by minimizing a loss of thermal electrons when the thermal electrons collide with the inner wall of an arc chamber. A repeller(140) of a plate type is formed in one sidewall of an arc chamber(110). A filament(120) have a coil part which is bent a plurality of times on a surface parallel with the repeller, installed in the other sidewall of the arc chamber. A cathode plate(162) transfers the thermal electrons discharged from the filament to the inside of the arc chamber, positioned under the filament. The cathode plate is of a receptacle type which is open toward the center of the arc chamber, and the filament is positioned in the cathode plate.

Abstract translation: 提供了离子注入装置的离子源头，以通过增加从灯丝排出的热电子的数量来提高离子源头的离子化效率，并且通过最小化热电子与热电子的内壁碰撞时的损失最小化 电弧室。 在电弧室（110）的一个侧壁中形成有平板型的推斥板（140）。 灯丝（120）具有线圈部分，该线圈部分在平行于反射器的表面上弯曲多次，安装在电弧室的另一个侧壁中。 阴极板（162）将从灯丝排出的热电子传送到位于灯丝下方的电弧室内部。 阴极板是朝向电弧室的中心开口的插座型式，灯丝位于阴极板中。

公开(公告)号：KR100585160B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040075116

申请日：2004-09-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권의희 ,  금경수 ,  정원영 ,  차광호 ,  김영태 ,  채승기 ,  원제형 ,  박영관 ,  김태경

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31703

Abstract: 이온 주입 장치를 제공한다. 본 발명은 내부에 일정 공간을 갖는 아크 챔버를 포함한다. 상기 아크 챔버 내의 일측에는 열전자를 방출하는 필라멘트가 위치하고, 상기 아크 챔버 내의 타측에는 상기 열전자의 소모를 방지하는 리펠러가 위치한다. 본 발명은 상기 아크 챔버 내에 자기장을 제공하는 전자석을 구비하고, 상기 아크 챔버의 바디나 내벽 형태가 외측으로 볼록하게 되어 있다. 이에 따라, 본 발명은 열전자가 바디에서 소모되지 않아 전자 손실을 줄여 아크 챔버로부터 방출되는 양이온의 이온 전류 밀도를 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100553716B1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：KR1020040060811

申请日：2004-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차광호

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정의 이온 주입 공정에서 반응 가스를 이온화시키기 위한 이온 주입 설비의 이온 소스부에 관한 것이다. 본 발명의 이온 소스부는 아크 챔버로부터 분리 가능하게 설치되며, 아크 챔버 내부에서 발생된 이온 빔이 방출되는 이온방출구(ion discharge hole)를 갖는 소스 어퍼쳐 부재(source aperture member)를 포함한다. 소스 어퍼쳐 부재는 제1플레이트와, 이온 빔이 방출되는 방향으로 상기 제1플레이트에 접하는 제2플레이트 그리고 이온 빔으로부터로 노출되는 상기 제2플레이트를 보호하는 제3플레이트로 이루어진다.

Abstract translation: 本发明涉及用于在半导体制造工艺中的离子注入工艺中离子化反应气体的离子注入设施的离子源部分。 本发明的离子源部分包括可拆卸地安装在电弧室中并具有离子排出孔的源孔部件，通过离子排出孔在电弧室内部产生离子束。 源孔构件包括第一板，在发射离子束的方向上接触第一板的第二板和保护从离子束暴露的第二板的第三板。

公开(公告)号：KR1019980067120A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970002993

申请日：1997-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고석호 ,  이준호 ,  조연하 ,  차광호

IPC: H01L21/68

Abstract: 로드락 챔버 내부에서 진행되는 엘리베이터 포지션 위치이동 및 핸들러가 웨이퍼 로딩, 언로딩시 엘리베이터 슬롯 사이의 유격을 작업자가 유안으로 확인할 수 있도록 하는 반도체 제조용 로드락 챔버의 윈도우에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 상기 윈도우(13)의 크기를 가로 8.63인치, 세로 7.4∼10인치로 형성하여 로드락 챔버(11) 내부의 동작상태를 육안으로 확인할 수 있도록 된 것이다.
따라서 로드락 챔버 내부에서 진행되는 웨이퍼 스크래치 및 웨이퍼 슬라이딩 현상이 육안으로 확인되고, 엘리베이터의 카세트 및 핸들러의 위치 교정이 정확하게 이루어져 설비의 유지관리에 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100706788B1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：KR1020050110002

申请日：2005-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금경수 ,  원제형 ,  허노현 ,  김성구 ,  차광호 ,  권의희

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치의 이온 소스에 사용되는 필라멘트 부재에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 필라멘트 부재는 판으로서 제공되며, 판에 와이어 가공법 등을 이용하여 선형 홀들을 가공함으로써 열전자의 방출이 이루어지는 도전성 경로들을 복수개 형성한다.
이온 소스, 아크 챔버, 판 형상의 필라멘트 부재, 도전성 경로들,

Abstract translation: 本发明涉及在离子注入机的离子源中使用的灯丝构件。 根据本发明，该长丝构件设置为板，通过使用导线的加工方法等的板，以形成多个由热电子发射的导电路径处理所述直线孔。

公开(公告)号：KR1020070000297A

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：KR1020050055921

申请日：2005-06-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임병기 ,  차광호 ,  이환규

IPC: H01L21/68

Abstract: Load port fail detecting method and apparatus are provided to restrain the degradation of equipment efficiency by informing quickly a worker of the generation of a load port fail. A wafer carrier is loaded to a load port(S110). Each unit process is performed on wafers of the wafer carrier(S120). When each unit process is completed, a predetermined signal is transmitted from the load port to a host(S130). When the transmission of the predetermined signal to the host fails, an alarm is displayed to a work after an alarm generating reference time(S140,S150). The wafer carrier is re-loaded to the load port by the worker when the alarm is displayed.

Abstract translation: 提供负载端口故障检测方法和装置，以通过快速通知工作人员生成负载端口故障来抑制设备效率的下降。 晶片载体被加载到负载端口（S110）。 在晶片载体的晶片上执行每个单元处理（S120）。 当每个单元处理完成时，从负载端口向主机发送预定信号（S130）。 当向主机发送预定信号失败时，在报警产生参考时间之后向工作显示报警（S140，S150）。 当报警显示时，工作人员将晶片载体重新装载到负载端口。