公开(公告)号：KR1020010025870A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990036920

申请日：1999-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강현철

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: An apparatus for supplying slurry is provided to reduce an area occupied by the apparatus for supplying slurry, by manufacturing the slurry while supplying the slurry without a separate apparatus for mixing the slurry and deionized water. CONSTITUTION: A circulating pipe(30) is connected to a chemical mechanical polishing(CMP) apparatus. A slurry supply unit supplies a precise quantity of slurry by a slurry supply pipe. A deionized(DI) wafer supply unit(17) supplies a precise quantity of DI wafer by a DI supply pipe. One end of a mixing pipe(19) is connected to the slurry supply pipe and the DI water supply pipe wherein the slurry and the DI water are supplied and mixed. The other end of the mixing pipe is connected to the circulating pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种用于供应浆料的设备，用于通过在不提供用于混合浆料和去离子水的单独设备的同时供应浆料的同时制造浆料来减少用于供应浆料的设备占据的面积。 构成：循环管（30）连接到化学机械抛光（CMP）装置。 浆料供给单元通过浆料供给管供给精确量的浆料。 去离子（DI）晶片供应单元（17）通过DI供应管供应精确量的DI晶片。 混合管（19）的一端连接到浆料供给管和DI水供给管，其中供给和混合浆料和去离子水。 混合管的另一端与循环管连接。

公开(公告)号：KR100712519B1

公开(公告)日：2007-04-27

申请号：KR1020050067285

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우섭 ,  박준영 ,  홍성제 ,  조성범 ,  소병세 ,  강현철

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/3171 ,  G11C29/02 ,  G11C29/022 ,  G11C29/50012 ,  G11C29/56

Abstract: 테스트 장비 내부에서 생성된 아이 마스크(eye mask)와 반도체 장치의 입출력 회로를 거친 테스트 신호의 파형을 분석하여 상기 입출력 회로 특성을 검출할 수 있는 테스트 장비가 제공된다. 상기 테스트 장비는, 서로 다른 위상을 갖는 하나 이상의 클럭신호에 동기하여 아이 마스크(eye mask)를 생성하기 위한 아이 마스크 생성부와, 상기 아이 마스크 생성부로부터 상기 아이 마스크를 수신하며, 상기 테스트 신호와 상기 아이 마스크를 비교하여 에러 여부를 검출하기 위한 에러 검출부 및 상기 에러 검출부로부터 출력된 에러 검출신호를 입력받아 이에 응답하여 에러 신호를 출력하는 에러 신호 출력부를 구비한다. 특히 상기 아이 마스크 생성부는, 상기 하나 이상의 클럭신호에 동기하여 서로 다른 위상을 갖는 하나 이상의 사인파(sine wave)를 생성하는 사인파 제너레이터(sine wave generator) 및 상기 하나 이상의 사인파를 입력받아 상기 사인파의 진폭을 제한하여 출력함으로써 상기 아이 마스크를 생성하는 리미터 회로(limiter circuit)를 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020070012996A

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：KR1020050067285

申请日：2005-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우섭 ,  박준영 ,  홍성제 ,  조성범 ,  소병세 ,  강현철

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/3171 ,  G11C29/02 ,  G11C29/022 ,  G11C29/50012 ,  G11C29/56

Abstract: A test device and a test method for detecting the characteristic of a circuit by using an eye mask are provided to properly apply the test device for a semiconductor device by reducing the eye mask generating time and to execute a precise test operation by separately calculating upper and lower eye masks. A test device(100) for receiving a signal output from a semiconductor device to be tested through a transmission line and detecting an error by analyzing an input test signal(Rx) includes: an eye mask generating unit(120) generating an eye mask in synchronization with at least one clock signal having different phases; an error detecting unit(130) receiving the eye mask from the eye mask generating unit and detecting an error by comparing the test signal with the eye mask; and an error signal output unit(140) receiving an error detection signal output from the error detecting unit and outputting an error signal in response to the error detection signal. The eye mask generating unit comprises a sine wave generator generating at least one sine wave having different phases in synchronization with at least one clock signal and a limiter circuit generating the eye mask by receiving at least one sine wave and outputting the sine wave with restricting the amplitude of the sine wave.

Abstract translation: 提供一种通过使用眼罩来检测电路的特性的测试装置和测试方法，以通过减少眼罩生成时间来适当地应用半导体器件的测试装置，并且通过分别计算上眼睛和/ 下眼罩 一种用于通过传输线接收从待测试的半导体器件输出的信号并通过分析输入测试信号（Rx）来检测误差的测试装置（100），包括：眼罩生成单元（120），其生成眼罩 与具有不同相位的至少一个时钟信号同步; 从所述眼罩生成单元接收所述眼罩的误差检测单元，通过将所述测试信号与所述眼罩进行比较来检测误差; 以及误差信号输出单元（140），接收从误差检测单元输出的误差检测信号，并响应于误差检测信号输出误差信号。 眼罩生成单元包括正弦波发生器，其产生与至少一个时钟信号同步的具有不同相位的至少一个正弦波，以及限制器电路，通过接收至少一个正弦波并输出正弦波，限制 正弦波的振幅。

公开(公告)号：KR102037864B1

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：KR1020130001179

申请日：2013-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동석 ,  강현철 ,  노동현 ,  박판귀 ,  신거명 ,  이내인

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020140092959A

公开(公告)日：2014-07-25

申请号：KR1020130001179

申请日：2013-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동석 ,  강현철 ,  노동현 ,  박판귀 ,  신거명 ,  이내인

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636

Abstract: A gate electrode is formed on an active region. An embedded stressor which fills a trench formed in the active layer is arranged. The active region has a sigma shape (∑-shape) which is formed by the trench. The embedded stressor includes a lower semiconductor layer and the upper semiconductor layer of the lower semiconductor layer. The upper end of the upper semiconductor layer protrudes from the upper end of the active region to be higher than the active region. The upper semiconductor layer is narrower than the lower semiconductor layer. The lateral surface of the upper semiconductor layer is dislocated from the lateral surface of the lower semiconductor layer.

Abstract translation: 栅电极形成在有源区上。 布置填充有源层中形成的沟槽的嵌入式应力器。 有源区具有由沟槽形成的σ形（Σ形）。 嵌入式应力器包括下半导体层和下半导体层的上半导体层。 上半导体层的上端从有源区的上端突出成高于有源区。 上半导体层比下半导体层窄。 上半导体层的侧表面从下半导体层的侧表面脱位。