公开(公告)号：KR1020120012512A

公开(公告)日：2012-02-10

申请号：KR1020100074490

申请日：2010-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박환욱 ,  김우섭 ,  조성범

IPC: G01R1/073 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/045 ,  G01R1/0466

Abstract: PURPOSE: A test socket and a test device including the same are provided to reduce power impedance in an intermediate frequency area and a high frequency area and to improve the power source integrity of a test socket. CONSTITUTION: A frame(22) includes a first area and a second area. The first area and the second area are formed in the bottom side of a test board(10). A plurality of first contactors(21-1,21-2) is formed in the first area. The first contactor supplies a plurality of test signals to a DUT(Device Under Test)(30) from the test board. A plurality of second contactors(23-1,23-2) is formed in the second area. The second contactors supply a plurality of power sources which are outputted from the test board.

Abstract translation: 目的：提供一个测试插座和包括该测试插座的测试装置以减少中频区域和高频区域的功率阻抗，并提高测试插座的电源完整性。 构成：框架（22）包括第一区域和第二区域。 第一区域和第二区域形成在测试板（10）的底侧。 多个第一接触器（21-1,21-2）形成在第一区域中。 第一接触器从测试板向被测设备（被测器件）（30）提供多个测试信号。 多个第二接触器（23-1,23-2）形成在第二区域中。 第二接触器提供从测试板输出的多个电源。

公开(公告)号：KR1020060003434A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040052315

申请日：2004-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성범

IPC: G11C7/04 ,  G11C7/24

Abstract: 오버-스트레스 검출 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 반도체 메모리 시스템이 개시된다. 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치는 오버-스트레스 검출부 및 MRS 디코더를 구비하는 것을 특징으로 한다. 오버-스트레스 검출부는 검출 제어 신호에 응답하여 인에이블되거나 또는 디세이블되고, 인에이블될 때 메모리 클럭 신호, 외부 전압, 및 온도 중 어느 하나가 설정된 조건을 벗어나는지의 여부를 판단하고, 그 판단 결과에 따라 플래그 신호를 출력한다. MRS 디코더는 외부로부터 수신되는 커맨드 신호와 제1 어드레스 신호에 응답하여 검출 제어 신호를 발생한다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 오버-스트레스로 인한 반도체 메모리 장치의 손상을 적극적으로 보호할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100297552B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980031543

申请日：1998-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  조성범 ,  최백순 ,  이영구

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 식각장치의 절연창에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버의 외측 상부에 위치시키는 유도코일을 상기 공정챔버와 경계지우기 위하여 상기 공정챔버의 상부를 커버링시키는 반도체소자 제조용 식각장치의 절연창에 있어서, 상기 절연창은 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마의 분포를 기준으로 상기 플라즈마의 밀도가 낮은 부분에 위치하는 절연창의 두께보다 상기 플라즈마의 밀도가 높은 부분에 위치하는 절연창의 두께가 얇게 이루어지도록 형성시키거나, 또는 상기 공정챔버 내로 위치하는 절연창의 내면과 상기 공정챔버 내에 위치하는 웨이퍼와의 이격거리가 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마의 분포를 기준으로 상기 플라즈마의 밀도가 높은 부분이 상기 플라즈마의 밀도가 낮은 부분보다 더 이격되도록 상기 절연창을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행시 폴리머 등과 같은 부산물이 절연창에 흡착되어 발생하는 불량 등을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100292410B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019990022541

申请日：1999-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정혁 ,  김희덕 ,  조정훈 ,  최종욱 ,  조성범 ,  이영구 ,  김진성 ,  이장은 ,  정주혁 ,  박선후 ,  이재현 ,  남신우

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32431 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  Y10T117/10

Abstract: 본발명의반도체제조용반응챔버는플라즈마를이용하여반도체웨이퍼의물질막을식각하기위한것이다. 상기반도체제조용반응챔버는, 상기반도체웨이퍼를흡착하는정전기적척과, 상기정전기적척의상부에서반도체웨이퍼의측면을둘러싸는원형고리형태로설치되어반도체웨이퍼의이탈을방지하며, 상기반도체웨이퍼의측면과대향하는제1 측면이상기반도체웨이퍼의측면과밀착되도록설치되는에지링을구비한다.

公开(公告)号：KR100283425B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019980039667

申请日：1998-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최백순 ,  이재생 ,  신은희 ,  조성범

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 알루미늄 배선라인에서 발생되는 부식(corrosion) 불량을 억제할 수 있는 반도체소자의 금속배선 형성공정 및 시스템에 관한 것으로, 포토레지스트패턴이 금속배선물질층상에 형성되어 있는 반도체 웨이퍼를 식각챔버내로 로딩하는 단계; 식각챔버 내의 분위기를 안정화시키는 단계; 식각챔버 내로 클로라인(Chlorine)을 함유한 식각가스를 공급하여 상기 포토레지스트패턴을 식각마스크로 하여 상기 금속배선물질층을 식각종말점까지 주식각하는 단계; 상기 식각종말점을 지나 소정의 시간만큼 과식각하여 금속배선패턴을 형성하는 단계; 상기 과식각단계 후 상기 식각챔버내를 퍼지하는 단계; 및 식각공정이 수행된 상기 웨이퍼를 식각챔버로부터 언로딩하는 단계를 구비하여 이루어지며, 웨이퍼를 이송시키는 트랜스퍼모듈의 압력을 최적화시켰으며, 웨이퍼의 대기장소인 로드락챔버를 계속적으로 퍼지시킨다.
따라서, 부식불량의 유발요인이 전 시스템에서 억제되어 반도체소자의 수율향상 및 생산성의 향상효과를 가져온다.

公开(公告)号：KR1020000060412A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990008670

申请日：1999-03-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조성범 ,  이영철

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for verifying quality of a brush is provided to verify the quality of the brush for cleaning a wafer surface by setting an exchange time regarding the contaminated brush. CONSTITUTION: A method for verifying quality of a brush comprises the steps of: checking a physical characteristic by the size of a pore, a pore ratio, a tensile strength of the pore, a modulus of elongation, and a water absorptivity; checking a chemical resistance of the brush through a variation of the tensile strength and an expansion ratio of the brush regarding a constant chemical solution; checking a metal quantity contained in the brush by the fact that a metal component is stuck to the brush; enlarging the surface of the brush to check a surface combination; and contaminating the brush with the metal component by force, and performing a wafer cleaning process to check the capacity of the brush to eliminate the contamination.

Abstract translation: 目的：提供一种用于验证刷子质量的方法，以通过设置关于受污染的刷子的交换时间来验证用于清洁晶片表面的刷子的质量。 构成：用于验证刷子质量的方法包括以下步骤：根据孔的尺寸，孔比，孔的拉伸强度，伸长模量和吸水率来检查物理特性; 通过对恒定化学溶液的拉伸强度和刷子的膨胀比的变化来检查刷子的耐药性; 通过金属部件粘附到刷子上来检查刷子中包含的金属量; 放大刷子的表面以检查表面组合; 并且用力使金属部件污染刷子，并进行晶片清洗处理以检查刷子的容量以消除污染。

公开(公告)号：KR100244919B1

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019970001327

申请日：1997-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주진호 ,  조성범 ,  최백순 ,  강희세

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정에 사용되는 가스 및 가스공급용 기구를 용이하게 분석할 수 있는 반도체 공정용 가스 분석장치에 관한 것이다.
본 발명은, 서로 상이한 순수가스를 공급하는 복수의 순수가스공급원, 상기 복수의 순수가스공급원과 각각 연결되는 복수의 정화장치 및 상기 정화장치와 각각 연결되고, 상기 순수가스공급원에서 방출되는 순수가스와 동일한 특정농도의 표준가스를 방출하여 상기 정화장치를 통과한 순수가스를 희석시켜 상기 순수가스에 대한 기지농도를 갖는 표준가스의 불순물 농도를 측정하기 위한 분석설비에 공급하는 복수의 표준가스공급원을 구비하여 이루어진다.
따라서, 분석공정을 용이하게 진행할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990056589A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970076587

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강희세 ,  조성범 ,  김진성 ,  박재구

IPC: H01L21/205

Abstract: 저압기상증착 설비의 수직형 증착로(furnace)와 수직형 증착로로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 용이하게 연결되도록 하는 가요성 스테인레스관에 파티클이 데포(depo)된 후, 데포된 파티클이 가요성 스테인레스관으로부터 분리됨으로써 반응가스와 함께 수직형 증착로로 유입된 파티클에 의한 공정 불량이 발생하는 것을 방지한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비가 개시되고 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 보드가 로딩되어 웨이퍼에 증착막을 형성하는 증착로와, 증착로 내부에 일정 압력을 형성시켜주는 압력발생부와, 웨이퍼에 원하는 증착막이 형성되도록 증착로에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 포함하며, 반응가스 공급 시스템과 증착로 사이에는 가요성 튜브가 설치되어 있고, 가요성 튜브와 증착로 사이에는 가요성 튜브에서 발생하는 파티클을 필터링하는 가요성 튜브 필터부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980051966A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960070893

申请日：1996-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강희세 ,  조성범

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 제조공정을 위한 시스템 전체 및 특히 가스공급계의 오염평가를 단시간내에 효율적으로 그리고 정확하게 분석하는 반도체 제조공정용 가스공급계의 오염분석방법에 관한 것으로서, 공정 진행 중의 웨이퍼를 임의 추출하여 검사하고, 그 결과에 따라 불량유형을 분류하고, 웨이퍼의 검사에 의하여 나타난 불량 입자의 유형 및 성분 분석 등을 수행한 다음, 그 결과를 바탕으로 공정 및 설비 상의 불량유형을 분석하고, 그 결과를 바탕으로 가스공급계를 선행적으로 평가한 다음, 상기 가스공급계를 오염시키는 오염입자를 포집하여 분석하고, 처리되지 않은 깨끗한 상태의 웨이퍼의 조각으로 된 시뮬레이션웨이퍼를 준비하여 상기 가스공급계오염입자 분석단계의 분석결과를 바탕으로 상기 분석결과에 나타난 바 대로 다시 상기 시뮬레 이션웨이퍼를 인위적으로 가공된 입자를 사용하여 화학적으로 강제 오염시키고, 이를 평가하여 그 오염정도를 재분석함으로써 역으로 공정 중의 설비나 공정 자체에서의 불량의 원인을 규명하고, 실험결과를 확인하도록 이루어지며, 불량의 재발발생 가능성을 최소화하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019940012404A

公开(公告)日：1994-06-23

申请号：KR1019920020851

申请日：1992-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김우섭 ,  소진호 ,  조성범 ,  이화준

IPC: G11C29/00

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 테스트 방법 및 회로를 공개한다. 그방법은 메모리 셀 어레이를 구비한 반도체 메모리 장치의 테스트 방법에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이의 테스트를 위한 준비를 하는 준비 단계, 상기 준비 단계를 수행한 후에 모드를 결정하기 위한 모드 결정 단계, 상기 모드 결정 단계 후에 테스트 사이클을 결정하고, 결정된 사이클 타이밍에 응답하여 Y마아치 방법에 따라 어드레스를 발생하고 라이트, 리드 동작의 테스트를 수행하는 테스느 수행 단계, 만일 상기 테스트 수행단계의 결과 메모리 셀에 입력되는 어드레스와 메모리 셀로 부터 출력되는 데이타를 비교하는 비교단계, 및 상기 단계들을 수행하는 도중에 리플래쉬 요구 신호가 들어오면 리플래쉬를 수행하는 리플래쉬 수행단계로 이루어져 있다. 또한, 그 회로는 상기 방법을 구현하기 위하여 제어신호 발생수단, 기본신호 발생수단, 어드레스 발생수단, 데이타 발생수단, 비교수단, 및 리플래쉬 수단을 구비하고 있다.
따라서, 테스트 타임을 줄일 수 있고 더욱 더 신뢰성 있는 테스트를 수행할 수 있다.