公开(公告)号：WO2021187743A1

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：PCT/KR2021/000884

申请日：2021-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정성욱 ,  고경준 ,  김무상

IPC: G06F11/36

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 개시에 따른 전자 장치는, 적어도 하나의 함수를 호출하는 테스트 코드(code) 및 적어도 하나의 함수에 대한 라이브러리 코드를 저장하는 메모리 및 테스트 코드가 호출하는 함수에 대한 파라미터(parameter)를 함수에 대한 라이브러리 코드를 이용하여 식별하고, 식별된 파라미터를 기초로 함수의 호출과 관련된 퍼징 소스 코드(Fuzzing source code)를 제공하는 프로세서를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060018553A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：KR1020040066962

申请日：2004-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재철 ,  유승빈 ,  송민규 ,  고경준 ,  김상규

IPC: H03F1/30

CPC classification number: H03K5/2481

Abstract: 기준 전압 흔들림 보상 회로는 기준 전압 신호를 통과시키는 전송 게이트와 상기 전송 게이트를 통과한 기준 전압과 입력 전압의 차이를 증폭하는 증폭기를 포함한다. 상기 전송 게이트는 항상 턴온되어 상기 기준 전압 신호를 통과시킨다. 상기 전송 게이트는 제1 직류 전원 전압에 결합된 제1 선택 단자 및 제2 직류 전원 전압에 결합된 제2 선택 단자를 포함한다. NMOS 트랜지스터와 PMOS 트랜지스터 쌍으로 이루어진 전송 게이트의 기생 커패시턴스를 이용하여 프리 엠프 또는 비교기의 기준 전압의 흔들림을 줄일 수 있다.