公开(公告)号：KR1020090081070A

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：KR1020080006935

申请日：2008-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정주영 ,  최도연 ,  홍영기 ,  고한경

IPC: H01L27/105

Abstract: A ferroelectric random access memory and a manufacturing method thereof for improving the adhesion of ferroelectric and upper electrode are provided to prevent the defect of the interfacial property. A ferroelectric random access memory comprises a first interlayer insulating film(128), a contact(132) for a bottom electrode, a ferroelectric pattern(134), a second inter metal dielectric(138), and a first reaction-preventing film pattern. The first interlayer insulating film is equipped on the substrate. The contact for the bottom electrode is equipped within the first interlayer insulating film. The ferroelectric pattern contacts the contact for the bottom electrode. The second inter metal dielectric comprises the contact hole exposing one part of the ferroelectric pattern. The first reaction-preventing film pattern is equipped in the upper side of the second inter metal dielectric. The second reaction-preventing film pattern is equipped in the side wall of the contact hole.

Abstract translation: 提供了一种用于改善铁电体和上电极的粘附性的铁电随机存取存储器及其制造方法，以防止界面特性的缺陷。 铁电随机存取存储器包括第一层间绝缘膜（128），用于底部电极的触点（132），铁电图案（134），第二金属间介电层（138）和第一反应防止膜图案。 第一层间绝缘膜设置在基板上。 第一层间绝缘膜内装有用于底部电极的接触。 铁电图案接触底部电极的触点。 第二金属间电介质包括暴露一部分铁电图案的接触孔。 第一反应防止膜图案配置在第二金属间介电体的上侧。 第二反应防止膜图案装配在接触孔的侧壁中。

公开(公告)号：KR1020090052720A

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：KR1020070119350

申请日：2007-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정동진 ,  김휘산 ,  홍영기 ,  안우송 ,  정주영 ,  고한경 ,  최도연

IPC: H01L27/105

Abstract: 강유전체 메모리 장치 및 이를 제조하는 방법에서, 하부 전극 위에 절연막이 구비되고, 하부 전극과 오버랩되는 절연막의 일부분에는 곡면으로 정의되는 반구 형상의 콘택홀을 형성된다. 콘택홀을 정의하는 곡면 위에 배리어 도전막, 강유전체막, 및 상부 전극이 순차적으로 적층되고, 그 결과 상부 전극, 배리어 도전막, 강유전체막, 및 상부 전극으로 이루어지는 커패시터가 형성된다. 상부 전극은 콘택홀의 형상에 대응하여 하부 전극 측으로 볼록한 형상을 가져 면적이 증가한다. 따라서, 커패시터의 축전 용량이 증가한다.