公开(公告)号：KR1020170080928A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020150190834

申请日：2015-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권재홍 ,  이영호 ,  임훈 ,  장형순 ,  정은국

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법에관한것이다. 반도체소자는, 제1 게이트구조체의양측에배치되며제1 도전형의도펀트를포함하는제1 소스/드레인영역들과제1 소스/드레인영역들의상부에접하며제1 게이트구조체의양단아래에배치되며, 제1 도전형과상이한제2 도전형의도펀트를포함하는카운터영역들과, 제1 소스/드레인영역들아래에접하며제2 도전형의도펀트를포함하는제1 할로영역들을포함한다.

Abstract translation: 一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件中，被布置在所述第一栅极结构的两侧上的第一栅极结构的两端下被布置紧靠在第一源/漏区任务第一源极的顶部/漏极区包括第一导电类型的掺杂剂， 该区域包括计数器和，它们的源/漏区下抵靠第一晕圈区包括第二导电类型，其包括所述第二导电类型与第一导电类型的不同的掺杂剂的掺杂剂。