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公开(公告)号：KR1020060115522A
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：KR1020050037998
申请日：2005-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L29/78603
Abstract: An array substrate and a method for manufacturing the same are provided to prevent the bending of a flexible substrate or the crack defect of a signal line, by forming the signal line through electroless plating or electroplating. A first signal line(GL) is formed on a flexible substrate(110). A second signal line(DL) is formed across the first signal line. At least one of the first signal line and the second signal line is composed of a first signal line layer, a second signal line layer, and a third signal line layer, which are sequentially deposited. Herein, the second and third signal line layers are formed of a copper material. The flexible substrate is formed of a plastic material. The first signal line layer is formed of nickel or molybdenum.
Abstract translation: 通过化学镀或电镀形成信号线，提供阵列基板及其制造方法，以防止柔性基板的弯曲或信号线的裂纹缺陷。 第一信号线（GL）形成在柔性基板（110）上。 在第一信号线上形成第二信号线（DL）。 第一信号线和第二信号线中的至少一个由顺序地放置的第一信号线层，第二信号线层和第三信号线层组成。 这里，第二和第三信号线层由铜材料形成。 柔性基板由塑料材料形成。 第一信号线层由镍或钼形成。
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公开(公告)号：KR1020060064812A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103470
申请日：2004-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/66765
Abstract: 본 발명은, 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 절연기판 상에 게이트 라인 및 이와 연결된 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위에 반도체층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층 패턴 위에 저항성 접촉층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 저항성 접촉층 위에 서로 분리되어 형성되어 있으며 동일한 층으로 만들어진 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 라인을 포함한 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 분리는 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정을 통해 이루어지고, 상기 반도체층 패턴 및 상기 저항성 접촉층 패턴의 형성은 소정량의 산소 분자를 포함한 식각 가스를 사용한 건식 식각공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 저항성 접촉층 패턴 및 반도체층 패턴을 형성하는 과정에서 박막 트랜지스터의 채널영역 상의 감광막을 함께 제거함으로써 전체적인 제조공정을 단순화시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020080064342A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001134
申请日：2007-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor display panel is provided to realize dark black during driving of a black screen by removing particles generated on a surface of a first gate insulation layer. A method for manufacturing a thin film transistor display panel includes: forming a gate wire(22) having a gate electrode(26) on an insulation substrate; forming a first gate insulation layer covering the gate wire, carrying out first plasma processing on a surface of the first gate insulation layer; washing a surface of the first gate insulation layer; carrying second plasma processing on a surface of the first gate insulation layer; forming a second gate insulation layer on the first gate insulation layer; forming a semiconductor pattern on a second gate insulation layer; forming a data wire including source and drain electrodes that are separated from each other on the semiconductor pattern; and forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode.
Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管显示面板的方法，通过去除在第一栅极绝缘层的表面上产生的颗粒来在黑色屏幕的驱动期间实现暗黑色。 一种制造薄膜晶体管显示面板的方法包括：在绝缘基板上形成具有栅电极（26）的栅极线（22）; 形成覆盖所述栅极线的第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层的表面上进行第一等离子体处理; 洗涤第一栅极绝缘层的表面; 在第一栅极绝缘层的表面上承载第二等离子体处理; 在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层; 在第二栅极绝缘层上形成半导体图案; 形成包括在所述半导体图案上彼此分离的源极和漏极的数据线; 以及形成与漏电极电连接的像素电极。
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公开(公告)号：KR1020070040035A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020050095298
申请日：2005-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , G02F2201/42
Abstract: 잔상을 개선하기 위한 표시 기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시 기판은 플루오르(F)가 도핑된 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H(F))으로 이루어진 반도체층을 포함하며, Mo/Al/Mo 3층 구조로 이루어진 소스 배선 및 드레인 전극을 포함한다. Mo/Al/Mo를 금속 배선으로 적용한 4매 공정 표시 기판에 a-Si:H(F) 반도체층을 적용함으로써 광 누설 전류의 발생이 감소된다. 이에 따라 잔상이 개선되며, 영상의 표시 품질이 향상된 표시 기판을 제공할 수 있다.
광 누설 전류, 불화규소, SiF4 가스, 알루미늄 배선, 반도체층
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