公开(公告)号：KR101607265B1

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：KR1020090109154

申请日：2009-11-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱 ,  정현우 ,  오용철 ,  김희중 ,  김현기

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666

Abstract: 본발명은수직채널트랜지스터의제조방법에관한것으로, 기판상에액티브를형성하고, 상기액티브를양분하여상기액티브의양측에지각각에수직채널을형성하고, 상기수직채널들사이의액티브내에매립비트라인을형성하고, 그리고상기수직채널의일측면과접하는워드라인을형성하는것을포함할수 있다. 상기워드라인은상기수직채널의내측면과접하도록형성하거나, 상기수직채널의외측면과접하도록형성하거나, 혹은상기수직채널의외측면과접하되곡선형태를가져채널길이가확대되도록형성할수 있다.

公开(公告)号：KR101567976B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020090067407

申请日：2009-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김현기

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463

Abstract: 반도체소자를제공한다. 이소자에따르면, 소자분리패턴에의하여정의된활성부내에도핑영역이형성되고, 저저항도전패턴이도핑영역과접촉된다. 저저항도전패턴은활성부의상면보다낮은바닥면을갖는함몰영역내에배치된다. 채널필라가활성부의상면과접촉되고도핑영역과연결되고, 게이트전극이채널필라의측벽을둘러싼다.

公开(公告)号：KR101552971B1

公开(公告)日：2015-09-14

申请号：KR1020090025979

申请日：2009-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희중 ,  오용철 ,  윤재만 ,  정현우 ,  김현기 ,  김강욱

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L29/78

Abstract: 반도체장치는, 기판의제1 영역상에형성되며상기기판으로부터상방으로돌출되는필러및 상기필러의상부에불순물영역을갖는제1 트랜지스터, 상기기판의제2 영역의표면상에형성되는제2 트랜지스터, 상기제1 및제2 영역들에형성되어상기제2 트랜지스터를덮으며, 상기제1 영역의상기필러의상부면보다실질적으로높은상부면을가지고상기필러의상부면을노출시키는층간절연막패턴, 그리고상기필러상부의불순물영역상에형성되며상기불순물영역에전기적으로연결되는커패시터를포함한다.

Abstract translation: 第二晶体管的半导体器件被形成在其上所述第一晶体管的所述第二表面区域形成在所述衬底的第一区域中，具有在所述填料的上部的杂质区域和从所述基底向上伸出的填料基板 第一被mitje上覆盖所述第二晶体管第二区域形成时，第一层间绝缘膜以具有顶部比所述填料暴露第一区域图案的填料衣服面的棉实质上更高的顶表面，并且所述填料 并且在上部杂质区域上形成电容器并电连接到杂质区域。

公开(公告)号：KR1020150074629A

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：KR1020130162588

申请日：2013-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱 ,  김대익 ,  김지영 ,  손낙진 ,  황지혜

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/7685 ,  H01L27/10888

Abstract: 반도체장치제조방법이제공된다. 반도체장치제조방법은, 기판상에비트라인컨택홀을포함하는캡핑막패턴을형성하고, 상기비트라인컨택홀내에비트라인컨택을형성하되, 상기비트라인컨택은보이드(void)를포함하고, 상기비트라인컨택과상기캡핑막패턴상면을덮는커버막을형성하고, 상기커버막상에메탈막을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法。 半导体器件的制造方法形成包括衬底上的位线接触孔的覆盖膜图案，在位线接触孔中形成位线接触，其中位线接触包括空隙，形成覆盖膜的上表面的覆盖膜 位线接触和封盖膜图案，并且在覆盖膜上形成金属膜。

公开(公告)号：KR101320518B1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：KR1020070107417

申请日：2007-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재만 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김강욱 ,  박동건 ,  양원석

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/66666

Abstract: 본발명의집적회로반도체소자는, 하부기판에형성되고수직형트랜지스터및 평면형트랜지스터중적어도어느하나로구성된제1 트랜지스터를구비한다. 제1 트랜지스터상에는접합절연층이형성되어있고, 접합절연층에는상부기판이접합되어있다. 상부기판에는수직형트랜지스터및 평면형트랜지스터중적어도어느하나로구성된제2 트랜지스터가형성되어있다. 제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터는배선층으로연결되어있다. 제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터의수직형트랜지스터는, 하부기판또는상부기판에형성된제1 액티브패턴의측면을감싸는제1 게이트구조물과, 제1 액티브패턴의표면부위와제1 게이트구조물하부에구비되는제1 불순물영역들포함한다. 제1 액티브패턴은, 일방향으로연장하는핀 액티브패턴(fin active pattern)과, 핀액티브패턴상에구비되는기둥액티브패턴(pillar active pattern)으로이루어진다.

公开(公告)号：KR1020110078504A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090135332

申请日：2009-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현우 ,  김강욱 ,  오용철 ,  김희중 ,  김현기

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L21/28273

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device which is optimized in high integration and method of forming the same are provided to minimize an occupancy area of first and second storage cells including first and second buried gates respectively by arranging a first buried gate and a second buried gate, respectively controlled, in a groove. CONSTITUTION: In semiconductor memory device which is optimized in high integration and method of forming the same, a substrate(100) comprises a cell array region and a peripheral circuit region. A cell element isolation pattern(103a) defines a cell active part(105) extended to first direction. The first buried gate(127a) and the second buried gate(127b) are respectively arranged on the first inner wall and the second inner wall of the groove(112b). The gate dielectric layer(125) is allowed in between the first inner wall of the groove and the first buried gate. The first and the A -doped domain(150b) the second are respectively formed in the top of the active part of the groove either side.

Abstract translation: 目的：提供一种以高集成度优化的半导体存储器件及其形成方法，用于分别通过布置第一掩埋栅极和第二掩埋栅极来最小化包括第一和第二掩埋栅极的第一和第二存储单元的占用面积， 分别控制在一个凹槽中。 构成：在高集成度优化的半导体存储器件及其形成方法中，衬底（100）包括电池阵列区域和外围电路区域。 细胞元件隔离图案（103a）限定延伸到第一方向的细胞活性部分（105）。 第一掩埋栅极（127a）和第二掩埋栅极（127b）分别布置在槽（112b）的第一内壁和第二内壁上。 允许栅极电介质层（125）在沟槽的第一内壁和第一掩埋栅极之间。 第一和第二A的掺杂区域（150b）分别形成在槽的有效部分的顶部。

公开(公告)号：KR1020090107346A

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：KR1020080032816

申请日：2008-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤재만 ,  오용철 ,  김희중 ,  정현우 ,  김현기 ,  김강욱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: PURPOSE: A vertical pillar transistor is provided to secure high reliability since the adhesive force of the semiconductor pattern is improved. CONSTITUTION: A vertical pillar transistor is composed of an insulating layer(106), a conductive construct(148), a semiconductor pattern(140a), a gate(154), and impurity domain frames(143,156). The insulating layer covers the first substrate(100), and the conductive construct is equipped on the insulating layer. The conductive construct includes at least one metal silicide layer, and a semiconductor pattern is equipped on the conductive construct. The semiconductor pattern has a pillar shape, and the gate surrounds the center of the semiconductor pattern while being separated from the conductive construct.

Abstract translation: 目的：提供垂直柱晶体管，以确保高可靠性，因为半导体图案的粘合力得到改善。 构成：垂直柱晶体管由绝缘层（106），导电构造（148），半导体图案（140a），栅极（154）和杂质畴框架（143,156）组成。 绝缘层覆盖第一基板（100），并且绝缘层上装有导电构件。 导电构件包括至少一个金属硅化物层，并且导电结构上装有半导体图案。 半导体图案具有柱状，并且栅极围绕半导体图案的中心，同时与导电构造分离。

公开(公告)号：KR100830534B1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：KR1020070064738

申请日：2007-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강욱

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04M1/72522 ,  H04M1/274533 ,  H04M2201/50 ,  H04M2250/60 ,  H04N7/147

Abstract: A list operation device of a video telephony terminal and a method thereof are provided to capture transceived image data during a video call, and to store the captured image data as a call list together with a telephone number, so that a user can easily remember a speaker by confirming the call list. A controller confirms whether a video telephony call is formed(S101). If so, the controller confirms whether a video call list function is set(S105). If so, the controller captures an image received from the other party(S109). The controller controls size of the captured image(S111). The controller links the captured image with a telephone number(S113). The controller stores the image linked with the telephone number in a memory as a video telephony list(S115).

Abstract translation: 视频电话终端的列表操作装置及其方法被提供用于在视频呼叫期间捕获发送的图像数据，并且将拍摄的图像数据与电话号码一起存储为呼叫列表，使得用户可以容易地记住 扬声器通过确认呼叫列表。 控制器确认是否形成视频电话呼叫（S101）。 如果是，则控制器确认是否设置了视频呼叫列表功能（S105）。 如果是，控制器捕获从对方接收的图像（S109）。 控制器控制拍摄图像的大小（S111）。 控制器将拍摄的图像与电话号码相链接（S113）。 控制器将与电话号码链接的图像作为视频电话列表存储在存储器中（S115）。

公开(公告)号：KR100799670B1

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020060061123

申请日：2006-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정말남 ,  김강욱

IPC: H04N7/14 ,  H04B1/40 ,  H04M11/06 ,  H04N5/45

CPC classification number: H04N21/443 ,  H04M1/72519 ,  H04M1/72555 ,  H04N7/141 ,  H04N21/41407 ,  H04N21/4312 ,  H04N21/4314 ,  H04N21/4788

Abstract: 본 발명은 휴대단말에서 디지털 방송신호 수신 중 화상통신이 요청되는 경우에 디지털 방송신호 수신을 계속하면서 상기 방송신호의 방송화면 및 화상통신의 화상통화화면을 동시에 표시하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 디지털 방송신호 재생 및 화상통화 기능을 구비한 휴대단말에서 디지털 방송신호의 방송화면 및 화상통화화면 동시 출력 방법에 있어서, 디지털 방송신호를 수신하여 재생하는 단계; 상기 방송신호의 재생 중 화상통신이 요청될 시 표시부의 화면을 복수의 영역으로 구분하여, 제1영역에 방송화면을 할당하고, 제2영역에 화상통화화면을 할당하여 표시하는 단계; 문자 대화가 요청될 시 상기 제2영역 중 일 영역에 문자 대화용 화면을 생성하여 표시하는 단계를 포함한다.
디지털 방송, 화상통신, 방송화면, 화상통화화면

公开(公告)号：KR1020070060732A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050120707

申请日：2005-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용진 ,  김영일 ,  이성수 ,  윤병태 ,  김강욱 ,  박세현

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H01Q1/22 ,  H01Q1/242

Abstract: A mobile terminal having an RFID(Radio Frequency Identification) function is provided to improve RFID communication by accurately matching an operation band of an antenna to a frequency band of an RFID radio signal through an RFID matching circuit. An antenna(5) is mounted at one side of a mobile terminal and transmits/receives a radio signal. An RFID matching circuit(20) changes an operation band of an antenna into a frequency band allowing input/output of an RFID radio signal. A communication module(50) processes a mobile communication radio signal transmitted/received through the antenna(5). A switch(10) is mounted between the antenna(5) and the RFID matching circuit(20) and connects the antenna(5) to one of the communication module and the RFID matching circuit.

Abstract translation: 提供具有RFID（射频识别）功能的移动终端，以通过RFID匹配电路将天线的操作频带与RFID无线电信号的频带精确地匹配来改善RFID通信。 天线（5）安装在移动终端的一侧，并发送/接收无线电信号。 RFID匹配电路（20）将天线的工作频带改变为允许RFID无线电信号的输入/输出的频带。 通信模块（50）处理通过天线（5）发送/接收的移动通信无​​线电信号。 开关（10）安装在天线（5）和RFID匹配电路（20）之间，并将天线（5）连接到通信模块和RFID匹配电路之一。