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公开(公告)号：KR102223158B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140120782A
申请日：2014-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C7/04 , G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/0685 , G11C11/40626
Abstract: 데이터 처리 시스템은 제1온도 ID를 저장하는 제1저장 장치를 포함하는 제1메모리 칩과, 제2온도 ID(C)를 저장하는 제2저장 장치를 포함하는 제2메모리 칩과, 주변 온도를 감지하고 온도 신호를 생성하는 온도 센서와, 초기화 시 상기 제1온도 ID와 상기 제2온도 ID를 리드하여 메모에 저장하고, 상기 메모리(260)에 저장된 상기 제1온도 ID와 상기 제2온도 ID와 상기 온도 신호에 응답하여 상기 제1메모리 칩과 상기 제2메모리 칩 중에서 어느 하나를 인에이블시키는 컨트롤러를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2023068484A1
公开(公告)日：2023-04-27
申请号：PCT/KR2022/009650
申请日：2022-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는 이미지의 스타일을 변환하도록 학습된 제1 신경망 모델이 저장된 메모리 및 제1 이미지의 적어도 하나의 품질에 기초하여 제1 이미지에 대해 적어도 하나의 영상 처리 동작을 수행하여 영상 처리된 제1 이미지를 획득하고, 영상 처리된 제1 이미지를 제1 신경망 모델에 입력하여 스타일이 변환된 제2 이미지를 획득하고, 제1 이미지 및 제2 이미지 간의 색상 차이가 제1 임계 값 이상이면, 제1 이미지의 휘도 값 및 제2 이미지의 휘도 값을 가중합하여 가중합된 휘도 값을 획득하고, 제1 이미지의 휘도 값을 가중합된 휘도 값으로 변경하고, 상기 제1 이미지 및 상기 제2 이미지 간의 상기 색상 차이가 상기 제1 임계 값 미만이면, 상기 제2 이미지를 출력하는 프로세서를 포함한다.
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公开(公告)号：KR102211595B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020130151129
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 음성인식장치및 그제어방법이개시된다. 본발명에따르면, 음성인식장치는사용자의발화음성으로부터실행명령을나타내는제1 발화요소및 대상을나타내는제2 발화요소중 적어도하나를추출하는추출부, 제1 및제2 발화요소에기초하여발화음성에대한응답정보를제공하기위한현재도메인을결정하는도메인결정부및 현재도메인과사용자의이전발화음성으로부터기결정된이전도메인상에서의대화상태에기초하여현재도메인및 이전도메인중 적어도하나의도메인상에서발화음성에대한응답정보를제공하기위한후보대화프레임을결정하는제어부를포함한다. 이에따라, 음성인식장치는사용자의발화음성에대해서다양한경우의수를고려하여사용자의도에적합한응답정보를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170028716A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150125696
申请日：2015-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/436 , H04N21/4363 , H04N21/81 , H04N21/41
CPC classification number: G06F17/30743 , G06F3/165 , G06F17/30772 , G06F17/30867 , G10L19/018 , G11B27/102 , G11B27/34
Abstract: 디스플레이장치의배경음악제공방법이제공된다. 본배경음악제공방법은배경음악식별모드가활성화되는동안재생되는적어도하나의배경음악에대한오디오파라미터를저장하는단계, 배경음악식별명령이수신되면, 적어도하나의오디오파라미터를바탕으로적어도하나의배경음악에대한정보를획득하는단계및 적어도하나의배경음악에대한정보를외부기기로전송하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种背景音乐提供方法，包括：存储与正在激活背景音乐识别模式时再现的背景音乐相关的音频参数;当接收到背景音乐识别命令时，基于音频参数获取关于背景音乐的信息;以及发送信息 背景音乐到外部设备。
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公开(公告)号：KR1020160031165A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020140120782
申请日：2014-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C7/04 , G06F3/0619 , G06F3/065 , G06F3/0685 , G11C11/40626
Abstract: 데이터처리시스템은제1온도 ID를저장하는제1저장장치를포함하는제1메모리칩과, 제2온도 ID(C)를저장하는제2저장장치를포함하는제2메모리칩과, 주변온도를감지하고온도신호를생성하는온도센서와, 초기화시 상기제1온도 ID와상기제2온도 ID를리드하여메모에저장하고, 상기메모리(260)에저장된상기제1온도 ID와상기제2온도 ID와상기온도신호에응답하여상기제1메모리칩과상기제2메모리칩 중에서어느하나를인에이블시키는컨트롤러를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种存储器件，其包括制造成在不同温度范围内工作的不同存储器芯片，以及包括该存储器件的数据处理系统。 数据处理系统包括：第一存储器芯片，包括用于存储第一温度ID的第一存储装置; 第二存储器芯片，包括用于存储第二温度ID（C）的第二存储装置; 用于感测周围区域的温度并产生温度信号的温度传感器; 以及控制器，用于读取第一温度ID和第二温度ID，并且在初始化期间将第一温度ID和第二温度ID存储在存储器中，并且使得第一存储器芯片或第二存储器芯片能够对应于第一温度ID和 存储在存储器（260）中的第二温度ID。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140074229A
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020130151129
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G10L15/22 , G10L15/1822 , G10L2015/228
Abstract: Disclosed are a voice recognition device and a control method thereof. According to the present invention, the voice recognition device includes: an extraction unit which extracts one among a first speech element which indicates an execution order from the speech of a user and a second speech element which indicates a target; a domain determination unit which determines the current domain to provide response data for the speech based on the first and the second speech element; and a control unit which determines a dialog frame candidate to provide response data for the speech on at least one among the current domain and the previous domain based on the dialog status on the current domain and a predetermined previous domain from the previous speech of the user. By doing so, the voice recognition device is able to provide response data appropriate for user intention in consideration of a large number of cases for speeches from a user.
Abstract translation: 公开了一种语音识别装置及其控制方法。 根据本发明，语音识别装置包括：提取单元，从指示用户的语音的指示执行顺序的第一语音单元和表示目标的第二语音单元中提取单元; 域确定单元，其基于第一和第二语音元素确定当前域以提供用于语音的响应数据; 以及控制单元，其基于当前域的对话状态和来自用户的先前语音的预定的先前域，确定在当前域和先前域中的至少一个上为语音提供语音的响应数据的对话框候选 。 通过这样做，考虑到来自用户的演讲的大量情况，语音识别装置能够提供适合于用户意图的响应数据。
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公开(公告)号：KR1020140054643A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120120374
申请日：2012-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A voice recognition apparatus according to the present invention comprises a voice receiving part which receives the voice signal of a user; a first voice recognition engine which receives the voice signal and performs a voice recognition process; a communication part which receives the voice signal and transmits the voice signal to an external second voice recognition engine; and a control part which controls the transmission of the voice signal received by the voice receiving part so that the voice signal is transmitted to one among the first voice recognition engine and the communication part, based on the selection of the user.
Abstract translation: 根据本发明的语音识别装置包括接收用户的语音信号的语音接收部分; 第一语音识别引擎，其接收语音信号并执行语音识别处理; 通信部件，其接收所述语音信号并将所述语音信号发送到外部第二语音识别引擎; 以及控制部，其基于所述用户的选择，控制由所述语音接收部接收到的语音信号的发送，使得所述语音信号被发送到所述第一语音识别引擎和所述通信部中的一个。
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公开(公告)号：KR100645046B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040080080
申请日：2004-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 여기에 개시되는 불 휘발성 메모리 장치는 제 1 전압과 제어 노드 사이에 연결되며, 제 2 전압에 의해서 제어되는 제 1 트랜지스터와; 제 1 전압과 제어 노드 사이에 연결되며, 제 3 전압에 의해서 제어되는 제 2 트랜지스터와; 그리고 제어 노드의 전압에 응답하여 워드 라인을 구동하는 워드 라인 드라이버를 포함한다. 제 2 전압은 소거 동작시 접지 전압으로 설정되고 제 3 전압은 소거 동작시 전원 전압으로 설정된다.
Abstract translation: 本文公开的非易失性存储器件包括耦合在第一电压与控制节点之间的第一晶体管，第一晶体管由第二电压控制; 连接在第一电压和控制节点之间的第二晶体管，第二晶体管由第三电压控制; 以及用于响应于控制节点的电压来驱动字线的字线驱动器。 在擦除操作中将第二电压设置为地电压，并且在擦除操作中将第三电压设置为电源电压。
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公开(公告)号：KR1020020039095A
公开(公告)日：2002-05-25
申请号：KR1020000068999
申请日：2000-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/08
Abstract: PURPOSE: A row decoding circuit of a NOR type flash memory device is provided, which reduces an occupied layout area by embodying a local decoder using a depletion mode transistor. CONSTITUTION: The memory device includes a global word line decoder circuit(120), the first and the second local decoder circuits(140a,140b) and the first and the second sector selection circuits(160a,160b). Global word lines(GWL0-GWLn) are connected to the global word line decoder circuit. The first and the second local decoder circuits correspond to sectors(100a,100b) respectively, and the first and the second sector selection circuits correspond to the first and the second local decoder circuit respectively. The first and the second local decoder circuit include a plurality of depletion mode NMOS transistors(M0-Mn), and each transistor corresponds to the local word lines of a corresponding sector. The NMOS transistors of the first local decoder circuit have gates connected to a selection signal or a control signal(SWSa) supplied from the first sector selection circuit, and the NMOS transistors of the second local decoder circuit have gates connected to a selection signal or a control signal from the second sector selection circuit.
Abstract translation: 目的：提供NOR型闪速存储器件的行解码电路，其通过使用耗尽型晶体管实现本地解码器来减少占用的布局面积。 构成：存储器件包括全局字线解码器电路（120），第一和第二本地解码器电路（140a，140b）和第一和第二扇区选择电路（160a，160b）。 全局字线（GWL0-GWLn）连接到全局字线解码电路。 第一和第二本地解码器电路分别对应于扇区（100a，100b），并且第一和第二扇区选择电路分别对应于第一和第二本地解码器电路。 第一和第二本地解码器电路包括多个耗尽型NMOS晶体管（M0-Mn），并且每个晶体管对应于相应扇区的本地字线。 第一本地解码器电路的NMOS晶体管具有连接到从第一扇区选择电路提供的选择信号或控制信号（SWSa）的栅极，并且第二本地解码器电路的NMOS晶体管具有连接到选择信号或 来自第二扇区选择电路的控制信号。
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公开(公告)号：KR1020010046526A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1019990050322
申请日：1999-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김명재
IPC: G11C5/14
Abstract: PURPOSE: A rectifying circuit is provided to normally operates even when boosting voltage supplied from a charge pump boosting circuit reach the value near to internal boosting voltage. CONSTITUTION: The rectifying circuit rectifies the first voltage from the outside in response to a reference voltage and outputs the rectified voltage as the second voltage and includes first through fourth MOS transistors(102,106,104,110) and a resistance(108). The first MOS transistor has one current path and a gate. The second MOS transistor has one current path and a gate being controlled by the reference voltage. The current paths of the first and second MOS transistors are sequentially formed between the first voltage and the ground voltage in series. The third MOS transistor has a current path formed between the first voltage and the first node and a gate. The gates of the second and third transistors are connected to a connection node of the current paths of the first and second transistors. The resistance is connected between the first node and the ground voltage. The fourth MOS transistor has a current path formed between the first and second voltages and a gate connected to the first node.
Abstract translation: 目的：提供整流电路，即使从电荷泵升压电路提供的升压电压达到接近内部升压电压的值，也能正常工作。 结构：整流电路响应于参考电压对外部的第一电压进行整流，并输出整流电压作为第二电压，并包括第一至第四MOS晶体管（102,106,104,110）和电阻（108）。 第一MOS晶体管具有一个电流通路和一个栅极。 第二MOS晶体管具有一个电流路径，栅极由参考电压控制。 第一和第二MOS晶体管的电流路径依次形成在第一电压和接地电压之间。 第三MOS晶体管具有形成在第一电压和第一节点之间的电流路径和栅极。 第二和第三晶体管的栅极连接到第一和第二晶体管的电流路径的连接节点。 电阻连接在第一节点和地电压之间。 第四MOS晶体管具有形成在第一和第二电压之间的电流路径和连接到第一节点的栅极。
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