公开(公告)号：KR1020080079865A

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：KR1020070020424

申请日：2007-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김석재

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/76224

Abstract: A method for forming a silicon pattern in a contact hole, a method for manufacturing a diode employing the same, and a method for manufacturing a phase changeable memory are provided to form silicon layers without a seam of a void in a contact hole by depositing silicon layers in the contact hole having a high aspect ratio in two times. An interlayer dielectric(120) having a contact hole(122) is formed on a semiconductor substrate(100). A first silicon pattern(130a) gap-fills a part of the contact hole. A plasma cleaning process is performed on the first silicon pattern to remove a native oxide layer generated on the first silicon pattern. A second silicon pattern is formed in the contact hole on the first silicon pattern. The plasma cleaning process is performed by using cleaning gas including CF4 and ammonia. Before the plasma cleaning process is performed, a wet cleaning process is performed on the first silicon pattern. The first and second silicon patterns are respectively formed with an amorphous silicon layer and a polycrystal silicon layer.

Abstract translation: 提供一种在接触孔中形成硅图案的方法，使用该方法的二极管的制造方法和相变存储器的制造方法，以形成硅层，而不会通过沉积硅而在接触孔中形成空隙接缝 接触孔中的两层具有两倍的高纵横比。 在半导体衬底（100）上形成具有接触孔（122）的层间电介质（120）。 第一硅图案（130a）间隙地填充接触孔的一部分。 对第一硅图案进行等离子体清洁处理，以去除在第一硅图案上产生的自然氧化物层。 在第一硅图案的接触孔中形成第二硅图案。 通过使用包括CF 4和氨的清洁气体进行等离子体清洁处理。 在执行等离子体清洁处理之前，对第一硅图案进行湿式清洗处理。 第一和第二硅图案分别形成有非晶硅层和多晶硅层。

公开(公告)号：KR1020080102065A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020070048394

申请日：2007-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이공수 ,  한재종 ,  박상진 ,  김석재 ,  형용우 ,  유영섭

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28525

Abstract: A formation method of the epitaxial silicone structure, and a formation method of semiconductor device using the same are provided to suppress the formation of void and seam of the epitaxial silicone structure due to the hydrochloric acid gas. A formation method of the epitaxial silicone structure includes the step for providing the first source including the silicon(Si) and hydrochloride(HCl) onto the substrate; the step for forming the first silicon epitaxial layer(102) by performing the primary epitaxial growth process; the step for forming the second silicon epitaxial layer(104) by providing the second source including the silicon and the hydrochloric acid gas(Cl2) onto the first silicon epitaxial layer, and performing the second epitaxial growth process.

Abstract translation: 提供外延硅氧烷结构的形成方法和使用其的半导体器件的形成方法以抑制由于盐酸气体而导致的外延硅氧烷结构的空隙和接缝的形成。 外延硅氧烷结构的形成方法包括将包含硅（Si）和盐酸盐（HCl）的第一源提供到衬底上的步骤; 通过进行初始外延生长工艺来形成第一硅外延层（102）的步骤; 通过将包括硅和盐酸气体（Cl2）的第二源提供到第一硅外延层上并且进行第二外延生长工艺来形成第二硅外延层（104）的步骤。

公开(公告)号：KR1020060130997A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050050790

申请日：2005-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁운봉 ,  김석재 ,  차준길 ,  이병오

IPC: H01L21/68 ,  B65G49/07 ,  B65G47/91

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B65G49/063 ,  B65G2249/04 ,  H01L21/67706

Abstract: A panel transfer apparatus is provided to reduce an exchanging time by processing automatically an exchanging process according to a size of a display panel. A plurality of vacuum holes(A,B) are formed at a plurality of setting positions on a main plate(100). A main vacuum unit(400) provides vacuum force to the plurality of vacuum holes corresponding to the setting positions which are selected according to a size of a panel. The size of the panel includes a first and a second setting size. A first setting position corresponds to the first setting size. A second setting position corresponds to the second setting size. The main vacuum unit includes a first main vacuum pump(310), a second main vacuum pump(330), and a second main line part. The panel of the first setting size is positioned on the first setting position and is absorbed by the first main vacuum pump. The panel of the second setting size is positioned on the second setting position and is absorbed by the second main vacuum pump.

Abstract translation: 提供一种面板传送装置，通过根据显示面板的尺寸自动处理交换处理来减少交换时间。 在主板（100）上的多个设定位置形成有多个真空孔（A，B）。 主真空单元400对与根据面板尺寸选择的设定位置对应的多个真空孔提供真空力。 面板的尺寸包括第一和第二设定尺寸。 第一设定位置对应于第一设定尺寸。 第二设定位置对应于第二设定尺寸。 主真空单元包括第一主真空泵（310），第二主真空泵（330）和第二主管线部分。 第一设定尺寸的面板位于第一设定位置，被第一主真空泵吸收。 第二设定尺寸的面板位于第二设定位置，被第二主真空泵吸收。

公开(公告)号：KR1020070050511A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020050107776

申请日：2005-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김효정 ,  유영섭 ,  이공수 ,  유대한 ,  김석재

IPC: H01L21/76

Abstract: 소자 분리 영역을 형성 방법 및 이를 이용한 이미지 소자의 형성 방법에 있어서, 우선, 플라즈마 식각 공정을 통해 반도체 기판에 트렌치를 형성한다. 상기 플라즈마에 의한 상기 트렌치 내측 표면의 손상을 치유하기 위하여 수소 및 산소를 포함하고 상기 수소의 비율이 5 내지 60%인 챔버 분위기 하에서 열처리하여 상기 트렌치의 내측 표면상에 라디칼 산화막을 형성한다. 이어서, 상기 트렌치를 메우도록 상기 기판 상에 소자 분리막을 형성함으로써 소자 분리 영역을 형성한다. 계속해서, 상기 소자 분리 영역으로 형성된 액티브 영역 상에 트랜지스터를 형성하고, 상기 소자 분리 영역과 접하는 액티브 영역 표면 아래에 포토 다이오드를 형성한다. 이때, 상기 플라즈마 식각 공정에 의한 트렌치 내측 표면 손상을 5 내지 60%의 수소 가스를 주입함으로써 상기 트렌치 내측 표면상에 라디칼 산화막을 충분하게 형성함으로써 치유할 수 있다. 따라서, 상기 트렌치 내측의 손상에 의한 이미지 소자의 암신호 생성을 미연에 억제할 수 있다.