公开(公告)号：WO2020213884A1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：PCT/KR2020/004785

申请日：2020-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: G10L15/26 ,  G10L15/28 ,  G10L21/10 ,  H04N21/488 ,  H04N5/278

Abstract: 영상 및 음성을 포함하는 컨텐츠를 제공하는 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는, 영상을 표시하는 디스플레이, 음성 인식 모듈이 저장된 메모리, 컨텐츠에 대한 정보에 기초하여 음성에 포함될 가능성이 있는 예상 단어를 획득하고, 예상 단어를 이용하여 음성 인식 모듈을 통해 음성에 대한 음성 인식을 수행하고, 음성 인식에 기초하여 음성이 변환된 텍스트를 디스플레이에 표시하는 프로세서를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020150031730A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：KR1020130111298

申请日：2013-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: G06F1/32 ,  G06F3/14 ,  G06F13/14

CPC classification number: G09G3/20 ,  G09G2330/022

Abstract: 디스플레이 장치, 전원 공급 제어 장치 및 제어 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 외부 장치와 연결되어 데이터 신호를 수신하는 인터페이스부, 내부 구성 요소에 전원을 공급하는 전원부, 인터페이스부를 통해 외부 장치로부터 데이터 인에이블 신호가 수신되는지 여부에 따라 내부 구성 요소에 대한 전원 공급 여부를 결정하여 전원부에서 공급되는 전원을 내부 구성 요소에 공급하는 제어부를 포함한다. 이에 따라, 디스플레이 장치는 내부 구성 요소의 전원 공급에 따른 소비 전력을 최소화할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种显示装置，电源控制装置及其控制方法。 根据本发明，显示装置包括：连接到外部设备以接收数据信号的接口单元;被配置为向内部组件供电的电源单元; 以及控制单元，被配置为基于是否通过所述接口单元从外部设备接收到数据使能信号来确定是否向所述内部组件供电，并且基于所述内部组件来控制所述电源单元向所述内部组件供电 决定的结果。 因此，显示装置可以根据对内部组件的供电来最小化功耗。

公开(公告)号：KR1020130076682A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020120072082

申请日：2012-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최훈 ,  강호웅 ,  강진성 ,  김광연 ,  김영대 ,  정재현 ,  정창주

IPC: H04N21/426 ,  G09G5/00

CPC classification number: G06F8/65 ,  H04N21/4104

Abstract: PURPOSE: An image processing device, an upgrade device, a display system including thereof, and a control method are provided to install the upgrade device to easily add or expand the new or advanced function to the display device; thereby upgrading the display device. CONSTITUTION: A first image processing unit (130) of an image processing device (100) processes an input signal which is inputted by a signal input unit (110) and outputs a first output signal. An upgrade device (200) is connected to an upgrade device connection unit (160). If the upgrade device is connected, a first controller (140) transmits at least one of the input signal, which is processed by the first image processing unit, and the first output signal to the upgrade device, and controls to process the transmitted signal by a second image processing unit (220). [Reference numerals] (110) First signal input unit; (120) User input unit; (130) First image processing unit; (140,240) First controller; (150,230) First storage unit; (160) Upgrade device connection unit; (170) Display unit; (180) Conversion amplification unit; (190) Audio output unit; (210) Main body connecting unit; (220) Second image processing unit; (250) Second signal input unit

Abstract translation: 目的：提供一种图像处理装置，升级装置，包括其的显示系统和控制方法，以安装升级装置，以容易地将新功能或高级功能添加到展示装置; 从而升级显示设备。 构成：图像处理装置（100）的第一图像处理单元（130）处理由信号输入单元（110）输入的输入信号并输出​​第一输出信号。 升级装置（200）连接到升级装置连接单元（160）。 如果升级装置被连接，则第一控制器（140）将由第一图像处理单元处理的输入信号和第一输出信号中的至少一个发送到升级装置，并且控制以通过 第二图像处理单元（220）。 （附图标记）（110）第一信号输入单元; （120）用户输入单元; （130）第一图像处理单元; （140,240）第一控制器; （150,230）第一存储单元; （160）升级设备连接单元; （170）显示单元; （180）转换放大单元; （190）音频输出单元; （210）主体连接单元; （220）第二图像处理单元; （250）第二信号输入单元

公开(公告)号：KR100652435B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050094509

申请日：2005-10-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대 ,  전순권 ,  박현수

IPC: H01L23/544

公开(公告)号：KR1020060079808A

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020050000280

申请日：2005-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76829

Abstract: 이중 상감 공정 및 이 공정을 사용하여 형성된 층간절연막 구조를 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 하부 배선을 형성하고, 하부 배선이 형성된 결과물 상에 제 1 식각저지막, 하부 층간절연막, 제 2 식각저지막 및 상부 층간절연막을 차례로 형성하고, 상부 층간절연막 및 제 2 식각저지막을 패터닝하여 하부 배선의 상부에서 하부 층간절연막의 상부면을 노출시키는 예비 비아홀을 형성한 후, 노출된 하부 층간절연막을 등방성 식각하여 제 2 식각저지막의 아래에 언더컷 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 이후, 상부 층간절연막 및 하부 층간절연막을 동시에 패터닝하여, 하부 층간절연막을 관통하여 제 1 식각저지막의 상부면을 노출시키는 비아홀 및 비아홀의 상부를 가로지르면서 제 2 식각저지막의 상부면 일부를 노출시키는 트렌치를 형성하고, 노출된 제 1 및 제 2 식각저지막을 식각하여 하부 배선의 상부면을 노출시킨 후, 노출된 하부 배선에 접속하면서 비아홀 및 트렌치를 채우는 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100585142B1

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040031357

申请日：2004-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진국 ,  배용태 ,  김영대

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L22/32 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 본 발명의 플립칩 반도체 패키지는, 반도체칩과, 반도체칩의 일표면의 가장자리를 따라 배치되는 패드와, 반도체칩의 일표면위에서 패드와 소정 간격 이격되도록 배치되는 실장용 범프와, 패드와 실장용 범프를 전기적으로 연결시키는 재배치 연결선과, 그리고 패드 위에 배치되어 상기 재배치 연결선과 전기적으로 연결되며, 전기적 특성 테스트시 테스트 대상으로 사용되는 테스트용 범프를 구비한다. 본 발명에 의하면 범프형성까지의 모든 과정이 팹 라인(fab line)에서 이루어지므로 오염 등의 문제가 발생하지 않으며, 테스트용 범프를 테스트 대상으로 함으로써 저렴한 테스트용 프루브 카드를 이용하여 전기적인 특성 테스트를 수행할 수 있다.

Abstract translation: 半导体封装包括沿着半导体芯片的表面边缘设置的多个焊盘，形成在半导体芯片的表面上并以预定距离远离多个焊盘设置的多个安装凸块，多个再分配连接线 用于将多个焊盘电连接到多个安装凸块以及设置在多个焊盘上的多个测试凸块。

公开(公告)号：KR1020050121433A

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：KR1020040046560

申请日：2004-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류정수 ,  김병윤 ,  김영대

IPC: H01L23/48

CPC classification number: G11C29/028 ,  G11C29/48 ,  G11C29/50012 ,  G11C2029/2602 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 다른 칩을 경유하여 입력 신호를 전달하는 집적회로 장치 및 집적회로 멀티 칩 패키지가 개시된다. 상기 집적회로 멀티칩 패키지/집적회로 장치에서는, 제1 칩의 로직 회로에 필요한 입력신호가 제2 칩의 로직 회로에도 필요한 경우에, 동기화기를 경유하여 제1 칩과 제2 칩 각각의 로직 회로들에 동시에 입력신호를 전달한다. 3개 이상의 더 많은 칩들을 하나의 패키지 내에 패키징 하는 경우에도, 동기화기를 경유한 해당 입력신호를 다른 칩들에도 선택적으로 전달할 수 있다.

公开(公告)号：KR100455365B1

公开(公告)日：2005-02-28

申请号：KR1019970017398

申请日：1997-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115

Abstract: PURPOSE: A method for forming a polysilicon interlayer dielectric of an NVM(non-volatile memory) device is provided to prevent the oxygen in a tantalum oxide layer from being diffused to conductive layers for a floating gate electrode and a control gate electrode in a heat treatment process by forming the first and second nitride layers under and on the tantalum oxide layer, respectively. CONSTITUTION: A rapid thermal process using ammonia gas is performed on a conductive layer for a floating gate to sequentially form the first nitride layer(7) with a thickness of 5-20 angstroms and the first oxide layer(9). A tantalum oxide layer is formed on the first oxide layer. A rapid thermal process using ammonia gas is performed on the tantalum oxide layer to sequentially form the second nitride layer(13) with a thickness of 5-20 angstroms and the second oxide layer(15).

公开(公告)号：KR1020050017330A

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：KR1020030055952

申请日：2003-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: H01L23/48

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a fabricating method thereof are provided to prevent the lifting of patterns due to attacks by forming polyimide patterns on edges of both sides of a scribe line. CONSTITUTION: A substrate(100) includes an electrode pad, a plurality of semiconductor chips arranged in matrix, and a scribe line for separating the plural semiconductor chips from each other. A polyimide pattern(110) is formed on the semiconductor chip except for an electrode pad region and on edges of both sides of the scribe line. The polyimide pattern is formed to block 50 to 80 percents of an area of the scribe line. A bump(120) is formed on an upper surface of the electrode pad using a conductive material.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以防止由于通过在划线的两侧的边缘上形成聚酰亚胺图案而引起的图案的提升。 构成：衬底（100）包括电极焊盘，矩阵排列的多个半导体芯片和用于将多个半导体芯片彼此分离的划线。 除了电极焊盘区域和划线两侧的边缘之外，在半导体芯片上形成聚酰亚胺图案（110）。 形成聚酰亚胺图案以阻挡划线的面积的50-80％。 使用导电材料在电极焊盘的上表面上形成凸块（120）。

公开(公告)号：KR1020020030411A

公开(公告)日：2002-04-25

申请号：KR1020000061027

申请日：2000-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영대

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using a low dielectric layer as an interlayer dielectric is provided to control generation of a void in a plug and to form the interlayer dielectric including a stable structure of a contact hole, by forming an insulation layer composed of a plasma-enhanced tetraethoxysilane(PE-TEOS) layer and a high density plasma(HDP) layer in a region for a contact hole plug and by fabricating the low dielectric layer in a region except the contact hole plug region. CONSTITUTION: A metal layer(210) is formed on a semiconductor substrate(200). The contact hole plug(270) connects the semiconductor substrate with the metal layer. The first insulation layer(220) is composed of the PE_TEOS layer and the HDP layer, formed on the semiconductor substrate and surrounding the contact hole plug. The second insulation layer(250) surrounds the first insulation layer, formed on the semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种使用低电介质层作为层间电介质的半导体器件，以通过形成由等离子体电介质层构成的绝缘层来控制插塞中的空隙的产生，并形成具有稳定的接触孔结构的层间电介质， 增强的四乙氧基硅烷（PE-TEOS）层和用于接触孔塞的区域中的高密度等离子体（HDP）层，并且通过在接触孔插塞区域之外的区域中制造低介电层。 构成：在半导体衬底（200）上形成金属层（210）。 接触孔插头（270）将半导体衬底与金属层连接。 第一绝缘层（220）由PE_TEOS层和HDP层构成，形成在半导体衬底上并围绕接触孔插塞。 第二绝缘层（250）围绕形成在半导体衬底上的第一绝缘层。