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公开(公告)号：KR1020170055221A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020150158134
申请日：2015-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/677 , H01L21/60
Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예에의한기판이송장치는복수개의흡입구들이형성되며, 상기흡입구로부터연장하는흡입라인이내부에형성된가이드레일, 상기가이드레일을따라서기판을이송시키는이송그립퍼, 및상기흡입라인과연결되고, 상기흡입라인을통하여상기가이드레일주변의파티클을제거하는흡입부를포함하되, 상기가이드레일은, 상기기판의측면과마주하는제1 면과, 상기기판의바닥면의가장자리부를지지하는제2 면을포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明的具有多个吸入口的技术特征的实施例的基板传输设备形成，转印夹持器沿着导轨的底物，所述导轨形成的抽吸管线在其中从所述入口延伸转移，并且 连接到所述抽吸管线是，但包括抽吸，以除去在通过入口管线导轨的外围颗粒，所述导轨具有面对所述基板的侧面与所述衬底的所述底表面的边缘部分上的第一表面 和用于支撑第二电极的第二表面。
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公开(公告)号：KR100104792B1
公开(公告)日：1996-09-13
申请号：KR1019930003739
申请日：1993-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
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公开(公告)号：KR100092176B1
公开(公告)日：1995-11-28
申请号：KR1019920004123
申请日：1992-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김영래
IPC: G11C11/407
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公开(公告)号：KR1019950009852B1
公开(公告)日：1995-08-29
申请号：KR1019930007848
申请日：1993-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/00
Abstract: a latch amplifying portion for inputting a reference voltage and a data input signal and for latching and amplifying the inputted signals; a comparison sensing portion connected in parallel with the latch amplifying portion, for comparing output signals from the latch amplifying portion; and a driving portion for driving an output signal from the comparison sensing portion.
Abstract translation: 用于输入参考电压和数据输入信号并用于锁存和放大输入信号的锁存放大部分; 与锁存放大部分并联连接的比较检测部分，用于比较来自锁存放大部分的输出信号; 以及用于驱动来自比较感测部分的输出信号的驱动部分。
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公开(公告)号：KR1019940002860A
公开(公告)日：1994-02-19
申请号：KR1019920013439
申请日：1992-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 어드레스 변동 검출기에 있어서, 어드레스 발생수단과, 어드레스를 입력으로 하여 반전된 상태를 출력하는 제1반전수단과, 홀수개의 반전수단으로 이루어져 상기 어드레스를 소전시간 지연시킨 후 반전된 상태를 출력하는 제2반전수단과, 상기 제2반전수단의 출력측에 적어도 하나이상의 홀수개의 반전수단으로 이루어져 상기 어드레스를 소정시간 지연시키는지 연수단과, 상기 제1반전수단과 지연수단의 출력을 입력으로 하여 어드레스가 제1상태에서 제2상태로 변동될때 클록을 발생하는 제1클록 발생수단과, 상기 어드레스와 상기 제2반전수단의 출력을 입력으로 하여 어드레스가 제2상태에서 제1상태로 변동될때 클록을 발생하는 제2클록 발생수단과, 상기 각 클록발생수단의 출력을 입력으로하여 어느 한 입력에 록이 발생하였을 경우 상기 클록에 대응하는 클록을 발생하는 제3클록발생수단과, 상기 제3클록발생수단의 출력을 입력으로하고 소정노드와 접지사이에 채널이 연결된 트랜지스터와, 상기 소정노드의 전압상태를 입력으로 하여 각 어드레스 변동에 대응하는 클록을 발생하는 출력수단을 구비하여 어드레스를 변동상태에 관계없이 하나의 출력 단자에 클록을 발생 하는 어드레스 변동 검출기를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170054055A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150156746
申请日：2015-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , B23K3/06 , H01L23/488
CPC classification number: B23K3/0623 , B23K1/0016 , B23K2201/42 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/742 , H01L2224/03828 , H01L2224/1144 , H01L2224/131 , H01L2924/014
Abstract: 본발명의일 실시예에의한솔더볼어태치장치다수의솔더볼이수용되는볼 박스, 상기볼 박스와마주하는하면으로흡입압을인가하여상기볼 박스에수용된솔더볼을흡착하고, 대기상태인제1 위치와상기솔더볼을흡착하는제2 위치사이를이동하는솔더볼어태치툴, 및상기볼 박스와연결되는진동부재를포함한다. 상기볼 박스는, 일면이개방된몸체부, 상기솔더볼이수용되도록상기몸체부에구비된포켓부, 및상기포켓부로부터상기몸체부의외측면을향하여연장하는경사부를포함한다.
Abstract translation: 和施加抽吸压力施加到面对一个实施例中的焊料球连接球框时，视图盒单元是根据本发明的多个焊球yisuyong吸附容纳在所述焊球球盒，在西班牙第一位置和待机状态 一种焊球安装工具，其在用于吸引焊球的第一位置和用于吸引焊球的第二位置之间移动，以及振荡部件，其连接到球盒。 球盒包括一个侧面敞开的主体部分，设置在主体部分上以容纳焊球的袋部以及从袋部朝向主体部分的外侧表面延伸的倾斜部分。
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020050005589A
公开(公告)日：2005-01-14
申请号：KR1020030045531
申请日：2003-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김영래
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: An overlay observation apparatus and a method of estimating a distance on a Z-axis using a laser are provided to measure correctly a degree of overlay misalignment by obtaining rapidly and correctly an image of an overlay mark. CONSTITUTION: A photographing unit(600) includes a lens(61), which is installed at a predetermined position corresponding to a wafer(900) in order to photograph an overlay mark formed within the wafer. A laser distance measurement unit(700) is attached to the photographing unit in order to measure a distance between the lens of the photographing unit and a surface of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用激光来估计Z轴上的距离的覆盖观察装置和方法，以通过快速正确地获得重叠标记的图像来正确地测量重叠的未对准程度。 构成：拍摄单元（600）包括透镜（61），该透镜安装在与晶片（900）相对应的预定位置处，以便拍摄形成在晶片内的覆盖标记。 为了测量拍摄单元的透镜和晶片的表面之间的距离，激光距离测量单元（700）附接到拍摄单元。
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公开(公告)号：KR1019960002352A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940014756
申请日：1994-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김영래
IPC: G11C11/406
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리장치의 셀프리프레시방법 및 그 회로에 관한 것으로서, 다수개의 서브어레이를 가지며, 각 서브어레이는 미리 설정된 수의 메모리블럭들을 가지며, 각 메모리블럭은 다수개의 워드라인과 비트라인들로 이루어진 매트릭스상에 위치되는 다수개의 디램셀을 가지며, 상기 메모리블럭에는 일대일로 워드라인 선택수단이 제공되고, 각 워드라인 선택수단은 서브어레이에 일대일로 제공된 프리디코더에 동작제어되는 반도체 메모리장치에 있어서, 동작대기모드시 상기 각 서브어레이에 대응되는 프리디코더가 순차적으로 인에이블되도록 제어하여 각 서브어레이가 순차적으로 리프레시동작이 이루어지도록 제어하는 셀프리프레시 제어회로를 더 구비하여, 셀프리프레시동작시에 일시에 활성화되는 워드라인의 수를 감소시켜 동 전류의 피크치를 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치의 셀프리프레시방법 및 그 회로가 제공된다.
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