公开(公告)号：KR1020160077347A

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020140186308

申请日：2014-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서형원 ,  문대현 ,  이주영 ,  김일권 ,  정동진

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/762 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66734 ,  H01L21/32 ,  H01L29/78 ,  Y10S148/117

Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자의제조방법은, 셀영역및 주변영역을포함하는기판의상부면으로부터제1 깊이이격된제1 타깃위치에제1 도전형의제1 불순물을주입하여, 셀영역및 주변영역에제1 불순물영역을형성하고, 기판상부면으로부터상기제1 깊이보다작은제2 깊이이격된제2 타깃위치에제1 도전형의제2 불순물을주입하여, 셀영역및 주변영역에제2 불순물영역을형성하고, 기판의셀 영역에제1 불순물영역을채널로사용하는셀 트랜지스터를형성하고, 기판의주변영역에제2 불순물영역을채널로사용하는주변트랜지스터를형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供高度集成的高速半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：通过在第一目标位置处注入第一导电类型的第一杂质来形成第一杂质区域和第二杂质区域，所述第一导电型第一杂质从第一深度与上层隔开 包括单元区域和单元区域的周边区域的基板的表面; 通过在从所述基板的上表面分离第二深度小于所述第一深度的第二目标位置处注入第一导电类型的第二杂质，在所述单元区域和所述单元区域的周边区域中形成第二杂质区域; 使用所述第一杂质区域作为所述衬底的单元区域中的沟道形成单元晶体管; 以及使用所述第二杂质区域作为所述衬底的周边区域中的沟道来形成外围晶体管。

公开(公告)号：KR1020160073014A

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020140181262

申请日：2014-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류승태 ,  김일권

IPC: G06F3/048

CPC classification number: G06F3/0481 ,  G04G17/08 ,  G06F1/163 ,  G06F1/1632 ,  G06F3/048 ,  Y10S707/913

Abstract: 본발명의다양한실시예에따른전자장치의동작을처리하는방법은보조장치와의결합을확인하는동작과, 상기보조장치로부터제공되는데이터를사용하는사용자인터페이스를제공하는동작을포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，一种用于处理电子设备的动作的方法包括以下步骤：检查与辅助设备的耦合; 以及使用从辅助设备提供的数据提供用户界面。

公开(公告)号：KR101479087B1

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR1020070112363

申请日：2007-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박지현 ,  김지은 ,  조성백 ,  김일권

IPC: H04N7/14

CPC classification number: H04N7/14 ,  G09G2340/125 ,  H04L67/1095 ,  H04M1/274516 ,  H04M1/72519 ,  H04M1/7253 ,  H04M1/72552 ,  H04M2201/50 ,  H04N21/4424 ,  H04N21/4882

Abstract: 화상통화 제공방법이 제공된다. 본 화상통화 제공방법에 따르면, 연결된 외부기기의 전화번호부를 수신하여 방송수신장치의 전화번호를 업데이트할 수 있게 된다. 또한, 외부 방송수신장치가 파워오프 상태인 경우 외부 방송수신장치 사용자의 정보통신단말로 통화요청신호를 송신할 수 있게 된다. 그리고, 음성신호의 송수신이 있는지 여부에 따라 화상통화의 상태를 변경할 수 있게 된다. 또한, 복수개의 윈도우들 각각에 대하여 볼륨조절이 되도록 제어할 수 있게 된다. 이에 따라, 사용자는 화상통화를 더욱 편리하게 이용할 수 있게 된다.
화상통화, TV, 전화번호부

公开(公告)号：KR100678477B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020050051623

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 나노크리스탈을 갖는 비 휘발성 메모리소자가 제공된다. 이 소자는 기판 및 상기 기판 상에 배치된 터널유전막을 구비한다. 상기 터널유전막 상에 나노크리스탈이 배치된다. 상기 나노크리스탈은 불소함유 유전막(fluorinated dielectrics)으로 둘러싸인다. 상기 불소함유 유전막으로 둘러싸인 상기 나노크리스탈은 제어유전막으로 덮인다. 상기 제어유전막 상에 제어게이트전극이 배치된다. 나노크리스탈 비 휘발성 메모리소자의 제조방법 또한 제공된다.

公开(公告)号：KR100641365B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050084862

申请日：2005-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: H01L21/336

Abstract: MOS transistors having an optimized channel plane orientation, semiconductor devices including the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve a mobility degree of a carrier. A semiconductor substrate(11) includes a main surface on plane (100). A device isolation film(13) is provided at a predetermined region of the semiconductor substrate, and defines an active region. A source region and a drain region are provided in the active region. The source region and the drain region are arranged on a straight line, which is parallel with orientation . Gate electrodes(21a,21b) cover a channel region between the source region and the drain region. The semiconductor substrate(11) includes a flat zone plane perpendicular to the main surface. The source region and the drain region are disposed on a straight line, which is parallel with the flat zone plane.

Abstract translation: 提供具有优化的沟道面取向的MOS晶体管，包括其的半导体器件及其制造方法，以提高载流子的迁移率。 半导体衬底（11）包括平面（100）上的主表面。 器件隔离膜（13）设置在半导体衬底的预定区域处，并且限定有源区。 源区和漏区设置在有源区中。 源极区和漏极区排列在与取向平行的直线上。 栅极电极（21a，21b）覆盖源极区域和漏极区域之间的沟道区域。 半导体衬底（11）包括垂直于主表面的平坦区域平面。 源极区域和漏极区域设置在与平坦区域平面平行的直线上。

公开(公告)号：KR100555454B1

公开(公告)日：2006-04-21

申请号：KR1019980045721

申请日：1998-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명인 SOI 트랜지스터의 제조 방법은, 실리콘 기판상에 일정 깊이의 홀을 갖는 제1 산화막을 형성하는 단계와, 그 홀내에 제1 게이트 도전막을 형성하는 단계와, 제1 게이트 도전막의 상부 일정 부분이 노출되도록 제1 산화막의 일부를 식각하는 단계와, 제1 게이트 도전막의 노출 부분상에 제2 산화막을 형성하는 단계와, 제1 산화막 및 제2 산화막 상에 일정 두께의 실리콘막을 형성하는 단계와, 실리콘막 상에 게이트 산화막 및 제2 게이트 도전막을 형성하는 단계와, 제2 게이트 도전막의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 실리콘막의 선택된 영역에 소스 영역 및 드레인 영역을 각각 형성하는 단계, 및 제2 게이트 도전막, 소스 영역 및 드레인 영역상에 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100498436B1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1019980040275

申请日：1998-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배금종 ,  김일권

IPC: H01L21/335

Abstract: 본 발명의 전계 효과 트래지스터 소자의 트랜치의 측벽 이온 주입 방법은 반도체 기판 상에 물질막 패턴을 형성하여 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 단계와, 상기 물질막 패턴의 일측벽에 제1 스페이서와 상기 제1 스페이서의 일측벽에 상기 제1 스페이서와 식각선택비가 큰 제2 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 제2 스페이서에 얼라인되게 상기 반도체 기판을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 제2 스페이서를 제거하여 상기 트랜치 근방의 반도체 기판 표면을 노출시키는 단계와, 상기 제2 스페이서가 제거된 반도체 기판의 전면에 불순물을 이온주입하여 상기 트랜치의 양측벽에 측벽 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 본 발명은 트랜치 근방의 불순물이 도핑되는 영역 상부가 노출됨에 따라 수직하게 이온주입을 할 수 있고 제2 스페이서의 하부 면적을 미세하게 조절함으로써 측벽 불순물 도핑 영역의 미세한 조절이 가능하다.

公开(公告)号：KR100466978B1

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：KR1019970071285

申请日：1997-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 저전압 저전력 SOI 트랜지스터 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자층 상에 소자격리막을 형성한다. 상기 소자격리막을 포함하여 상기 반도체 소자층 상에 제 1 층간절연막 및 폴리실리콘막을 차례로 형성한다. 상기 폴리실리콘막을 NMOS 트랜지스터 형성 영역은 p+형 불순물 이온으로 도핑시키고, PMOS 트랜지스터 형성 영역은 n+형 불순물 이온으로 각각 도핑시킨다. 상기 도핑된 폴리실리콘막을 패터닝 하여 백 게이트를 형성한다. 상기 백 게이트를 포함하여 상기 제 1 층간절연막 상에 평탄화된 상부 표면을 갖는 제 2 층간절연막을 형성한다. 그리고, 상기 제 2 층간절연막과 반도체 기판을 본딩 시킨다. 상기 반도체 소자층을 상기 소자격리막을 식각 정지층으로 하여 평탄화 식각 하여 얇은 반도체 소자층을 형성한다. 또는 수소 이온주입에 의한 스마트 컷 방법에 의해 얇은 반도체 소자층을 형성한다. 후속 공정으로 상기 백 게이트 및 상기 반도체 소자층 상에 형성되는 프론트 게이트에 동시에 전기적으로 접속되는 금속 라인을 형성한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 백 게이트 형성 공정을 단순화시킬 수 있고, 소자의 신뢰도를 증가시킬 수 있으며, 따라서 안정된 저전압 저전력 소자를 형성할 수 있다. 또한, 본딩 공정 수를 줄임으로써 공정 단가를 줄일 수 있다

公开(公告)号：KR1020030062719A

公开(公告)日：2003-07-28

申请号：KR1020020003068

申请日：2002-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: H01R12/71

Abstract: PURPOSE: An RJ45 serial input/output(SIO) interface device is provided to determine the direction of SIO by controlling the position of a tap switch and the installation of RJ 45 parts, thereby simplifying the circuit arrangement and improving the reliability of the circuit arrangement. CONSTITUTION: In an RJ45 serial input/output interface device, a PCB(30), to which an RJ45 socket(20) is mounted, is provided with ground terminals on upper and lower lines symmetrically and a nodal switch(40) is provided between the PCB and a line driver for selecting the short of Tx and Rx according to the manipulation of a tap switch(41).

Abstract translation: 目的：提供RJ45串行输入/输出（SIO）接口设备，通过控制分接开关的位置和RJ 45部件的安装来确定SIO的方向，从而简化电路布置并提高电路布置的可靠性 。 构成：在RJ45串行输入/输出接口装置中，安装有RJ45插座（20）的PCB（30）对称地在上下线上设置有接地端子，并且节点开关（40）设置在 PCB和用于根据分接开关（41）的操纵选择Tx和Rx的短路的线路驱动器。

公开(公告)号：KR100382737B1

公开(公告)日：2003-05-09

申请号：KR1020010015648

申请日：2001-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일권

IPC: G11B20/10

CPC classification number: G11B20/1403 ,  G11B7/0906 ,  G11B7/0908 ,  G11B27/3027

Abstract: An apparatus and method for generating a radio frequency (RF) signal and control signals are provided. In an apparatus for generating a radio frequency (RF) signal and control signals in which the current output from a plurality of light receiving elements is converted into voltage signals and the RF signal and the control signals are generated in response to the voltage signals, the apparatus includes an input data processing unit, a digital filter, a servo signal generating unit, a digital RF data generating unit, and a reference comparator. The input data processing unit performs time-sharing sampling on the voltage signals and converts the voltage signals into first digital signals in response to an analog/digital conversion clock signal having a predetermined period and a sequentially applied selection signal. The digital filter filters each of the first digital signals to modify the shape of the waveforms of the first digital signals and outputs the modified waveforms as second digital signals. The servo signal generating unit corrects delay time of the second digital signals and generates the control signals for servo control in response to the corrected signals. The digital RF data generating unit corrects delay time of the second digital signals before summing them to generate digital RF data. The reference comparator compares an average value of the digital RF data with the voltage level of the digital RF data in response to a predetermined demodulation clock signal and generates a non-return to zero (NRZ) signal in response to a compared result.

Abstract translation: 提供了用于生成射频（RF）信号和控制信号的设备和方法。 在用于产生射频（RF）信号和控制信号的设备中，其中从多个光接收元件输出的电流被转换为电压信号并且响应于电压信号产生RF信号和控制信号， 装置包括输入数据处理单元，数字滤波器，伺服信号生成单元，数字RF数据生成单元和参考比较器。 输入数据处理单元对电压信号执行分时采样，并且响应于具有预定周期的模拟/数字转换时钟信号和顺序施加的选择信号将电压信号转换为第一数字信号。 数字滤波器对第一数字信号中的每一个进行滤波，以修改第一数字信号的波形的形状，并输出修改的波形作为第二数字信号。 伺服信号产生单元校正第二数字信号的延迟时间并且响应于校正的信号产生用于伺服控制的控制信号。 数字RF数据生成单元在对第二数字信号求和以产生数字RF数据之前对其延迟时间进行校正。 响应于预定的解调时钟信号，参考比较器比较数字RF数据的平均值和数字RF数据的电压电平，并且响应于比较结果产生不归零（NRZ）信号。