公开(公告)号：WO2016140377A1

公开(公告)日：2016-09-09

申请号：PCT/KR2015/001993

申请日：2015-03-02

Applicant: 한국전기연구원 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김근주 ,  김재홍 ,  김정일 ,  윤지녕 ,  임미현

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/07 ,  G01R23/00

CPC classification number: G01R1/07 ,  G01R23/00 ,  G01R31/26

Abstract: 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치에 있어서, 광원, 슬릿 안테나 프로브, 평행광 조사부, 광 집속부, 광분배부, 제1 광검출부, 제2 광검출부, 영상 신호 생성부 및 영상 신호 분석부를 포함하며, 슬릿 안테나 프로브는, 광원으로부터 발생된 테라헤르츠 광을 가이딩하는 가이딩부; 및 가이딩부와 슬릿 안테나 프로브의 외부 공간 사이를 관통하는 슬릿을 포함하고, 슬릿에는, 가이딩부를 지나 슬릿을 통과하는 테라헤르츠 광의 반사 정도를 감소시키기 위한 반사 감소 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 접합 반도체의 결함 검사 장치가 개시된다.

Abstract translation: 公开了一种用于检查根据本发明的实施例的多结半导体的缺陷的装置，其特征在于包括：光源; 狭缝天线探针; 平行光辐射部分; 光收集部分; 配光部分; 第一光检测部分; 第二光检测部; 图像信号生成部; 以及图像信号分析部，其中所述狭缝天线探针包括：用于引导由所述光源产生的太赫兹光的引导部; 以及穿过引导部和狭缝天线探针之间的外部空间的狭缝，其中，在狭缝上形成用于降低通过引导部并经过狭缝的太赫兹光的反射度的反射减少结构。

公开(公告)号：KR100940574B1

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020030030843

申请日：2003-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  이성영 ,  이백원 ,  장종웅

IPC: G02F1/136

Abstract: 표시 영역과 그 주변 영역을 가지는 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 복수의 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하여 표시 영역 내에 복수의 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터선, 주변 영역에 형성되어 있으며 게이트선과 절연되어 교차하는 더미 데이터선, 화소 영역마다 형성되어 있는 복수의 화소 전극, 화소 영역마다 형성되어 있으며 게이트선, 데이터선 및 화소 전극과 3단자가 각각 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 주변 영역에 형성되어 있는 더미 화소 전극, 주변 영역에 형성되어 있으며 게이트선, 더미 데이터선 및 더미 화소 전극과 3단자가 각각 연결되어 있는 복수의 더미 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
더미데이터선, 커플링용량

公开(公告)号：KR1020080040319A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020060108114

申请日：2006-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  곽윤희

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458

Abstract: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to enhance adhesive force of a data pad by forming a second active layer in a lower part of the data pad, thereby suppressing lifting faults of the data pad. A first metal pattern includes a gate line(GL), a gate pad and a gate electrode(G) protruded from the gate line. A gate insulating layer is formed on a substrate(110) where the first metal pattern is formed. A first active layer is overlapped with the gate electrode on the gate insulating layer. A second active layer(A2) is formed in the same layer as the first active layer in correspondence with a data pad(DP). A second metal pattern includes a data line(DL), the data pad, a source electrode(S) and a drain electrode(D). The data line is formed on the gate insulating layer where the first and second active layers are formed. The source electrode is protruded from the data line. The drain electrode is spaced from the source electrode as much as a predetermined width. A passivation layer(140) is formed on the substrate where the second metal pattern is formed.

Abstract translation: 提供显示基板及其制造方法，以通过在数据焊盘的下部形成第二有源层来提高数据焊盘的粘附力，从而抑制数据焊盘的提升故障。 第一金属图案包括从栅极线突出的栅极线（GL），栅极焊盘和栅电极（G）。 在形成第一金属图案的基板（110）上形成栅极绝缘层。 第一有源层与栅极绝缘层上的栅电极重叠。 第二有源层（A2）与数据焊盘（DP）相对应地形成在与第一有源层相同的层中。 第二金属图案包括数据线（DL），数据焊盘，源电极（S）和漏电极（D）。 数据线形成在形成第一和第二有源层的栅绝缘层上。 源电极从数据线突出。 漏电极与源电极间隔多达预定的宽度。 在形成第二金属图案的基板上形成钝化层（140）。

公开(公告)号：KR1020080020321A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020060083673

申请日：2006-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상진 ,  김정일 ,  조영준

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136277 ,  G02F1/1368

Abstract: A TFT substrate is provided to connect a pixel electrode with a drain electrode stably according as a profile of a contact hole is gently formed at a summit part. A TFT(Thin Film Transistor) substrate comprises a line(21,22,23), an insulating layer and a transparent electrode layer(61,62,63). The insulating layer is formed on the line. In the insulating layer, contact holes(71,72,73) for exposing the line are formed. The transparent electrode layer is electrically connected with the line through the contact hole. The contact holes face each other and have two sides where the angle of the sides is from 15 to 45 degrees.

Abstract translation: 提供TFT基板，以便在峰顶部分温和地形成一个接触孔的轮廓，从而稳定地连接像素电极和漏电极。 TFT（薄膜晶体管）基板包括线（21,22,23），绝缘层和透明电极层（61,62,63）。 绝缘层形成在线上。 在绝缘层中形成用于露出线的接触孔（71,72,73）。 透明电极层通过接触孔与线路电连接。 接触孔彼此面对，并且具有侧面角度为15至45度的两侧。

公开(公告)号：KR1020060012435A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：KR1020040061124

申请日：2004-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이백원 ,  김정일

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136272 ,  G02F2001/13629

Abstract: 표시특성을 향상시킬 수 있는 표시기판이 개시된다. 표시기판의 표시부에는 제1 금속물질로 이루어진 다수의 게이트 라인, 제2 금속물질로 이루어진 다수의 데이터 라인 및 제1 금속물질로 이루어진 다수의 보조전극라인이 구비된다. 공통전압라인은 제1 금속물질로 이루어져 표시부에 인접하는 주변영역에서 다수의 보조전극라인과 전기적으로 결합된다. 또한, 주변영역에는 공통전압라인과 절연되게 교차하고, 다수의 데이터 라인의 제1 및 제2 단부와 절연되게 교차하여 다수의 데이터 라인 중 오픈된 데이터 라인을 리페어하는 리페어부가 구비된다. 따라서, 표시기판에 형성된 라인들의 라인저항을 감소시킴으로써 표시특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000004561A

公开(公告)日：2000-01-25

申请号：KR1019980026005

申请日：1998-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  현종선

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device manufacturing apparatus is provided to minimize variation of a shuttle when wafers are transferred, so that productivity can be improved. CONSTITUTION: The apparatus has a shaft(14) and a fixing plate(16) to support a shuttle(12). The shuttle(12) has an electrode plate(10) where wafers(W) are settled. The shaft(14) is installed to the fixing plate(16) by a screw formation of fixing means(30). Thereby, variation of a shuttle is minimized when the shuttle(12) is driven and wafers(W) are transferred, so that defects due to the variation are minimized. Also, the transferring can be precisely performed without deviation. Accordingly, productivity can be improved.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件制造装置，用于使晶片转移时梭子的变化最小化，从而可提高生产率。 构成：该装置具有轴（14）和固定板（16），以支撑梭子（12）。 梭子（12）具有晶片（W）沉降的电极板（10）。 轴（14）通过螺钉形成固定装置（30）安装到固定板（16）上。 因此，当梭子（12）被驱动并且晶片（W）被转移时，梭子的变化被最小化，使得由于变化引起的缺陷被最小化。 此外，转印可以精确地执行而没有偏差。 因此，可以提高生产率。

公开(公告)号：KR1020000003268A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980024472

申请日：1998-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  현종선

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer transferring equipment is provided to increase productivity of the semiconductor device manufacture by minimizing wafer damage when the wafer(W) is transferred. CONSTITUTION: The semiconductor wafer delivering equipment comprises: a sensing device(26) sensing if the wafer is delivered when the wafer is reached to a certain place; and a lifter(28) lifting the wafer up and dawn by sensing the wafer and inputting the signal of the sensing device at the same time.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体晶片传送设备，以在晶片（W）被传送时最小化晶片损坏来提高半导体器件制造的生产率。 构成：半导体晶片传送设备包括：感测装置（26），用于感测当晶片到达某个位置时晶片是否被传送; 和升降器（28），通过感测晶片并同时输入感测装置的信号而将晶片提升和黎明。

公开(公告)号：KR101093226B1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020050002598

申请日：2005-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  기동현 ,  곽윤희

IPC: G02F1/136

Abstract: 본발명은 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것으로, 기판소재 상에 쇼팅바를 형성하는 단계와, 상기 쇼팅바 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 상기 쇼팅바와 교차하는 데이터선을 형성하는 단계와, 상기 데이터선 상에 데이터 절연막과 유기 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 유기 코팅층을 패터닝 및 큐어링하여 소정 영역에 브릿지 유기막홀을 가지며 상기 유기 코팅층과 실질적으로 같은 두께를 가지는 유기막을 형성하는 단계와, 상기 유기막을 마스크로 하여 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 절연막을 식각하여 상기 쇼팅바와 상기 데이터선을 노출시키는 접촉구를 형성하는 단계와, 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 쇼팅바와 상기 데이터선을 전기적을 연결하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 비표시영역에서 신호선이 손상되는 문제를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080035359A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020060101974

申请日：2006-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영준 ,  김정일 ,  전상진

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368

Abstract: An array substrate and a display panel having the same are provided to increase an area of a pixel electrode contacted with LC at a boundary part between the pixel electrode and a data line by forming a first concavo-convex unit in an area adjacent to the data line, thereby increasing the number of LC which can be controlled among LC existing between the pixel electrode and the data line. A data line(DL) defines a pixel area as crossing a gate line(GL) to be insulated. A TFT(Thin Film Transistor)(T) is installed in one side of the pixel area, and respectively connected with the gate line and the data line. A pixel electrode(170) is formed in the pixel area and electrically connected with the TFT. The pixel electrode has a first concavo-convex unit(172) in an area adjacent to the data line. A second concavo-convex unit(222) is prolonged from a first black matrix(221) towards the first concavo-convex unit of the pixel electrode. According as the second concavo-convex unit is engaged with the first concavo-convex unit, light leakage generated in a peripheral part of the first concavo-convex unit is prevented.

Abstract translation: 提供阵列基板和具有该阵列基板的显示面板，以通过在与数据相邻的区域中形成第一凹凸单元来增加在像素电极与数据线之间的边界部分处与LC接触的像素电极的面积 从而增加在像素电极和数据线之间存在的LC之间可以控制的LC的数量。 数据线（DL）将像素区域定义为与待绝缘的栅极线（GL）交叉。 TFT（薄膜晶体管）（T）安装在像素区域的一侧，分别与栅极线和数据线连接。 像素电极（170）形成在像素区域中并与TFT电连接。 像素电极在与数据线相邻的区域中具有第一凹凸单元（172）。 第二凹凸单元（222）从第一黑矩阵（221）延伸到像素电极的第一凹凸单元。 根据第二凹凸单元与第一凹凸单元接合，防止在第一凹凸单元的周边部分产生的漏光。

公开(公告)号：KR1020060081918A

公开(公告)日：2006-07-14

申请号：KR1020050002598

申请日：2005-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정일 ,  기동현 ,  곽윤희

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136272 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1244

Abstract: 본발명은 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것으로, 기판소재 상에 쇼팅바를 형성하는 단계와, 상기 쇼팅바 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 상기 쇼팅바와 교차하는 데이터선을 형성하는 단계와, 상기 데이터선 상에 데이터 절연막과 유기 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 유기 코팅층을 패터닝 및 큐어링하여 소정 영역에 브릿지 유기막홀을 가지며 상기 유기 코팅층과 실질적으로 같은 두께를 가지는 유기막을 형성하는 단계와, 상기 유기막을 마스크로 하여 상기 게이트 절연막과 상기 데이터 절연막을 식각하여 상기 쇼팅바와 상기 데이터선을 노출시키는 접촉구를 형성하는 단계와, 투명전도막을 증착하고 패터닝하여 상기 쇼팅바와 상기 데이터선을 전기적을 연결하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 비표시영역에서 신호선이 손상되는 문제를 감소시킬 수 있다.