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公开(公告)号：KR102234041B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140074564A
申请日：2014-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L29/861
Abstract: 플로팅 디퓨전 노드의 전압을 부스팅할 수 있는 이미지 센서 반도체 기판의 내부에 형성된 플로팅 디퓨전 노드와 저장 다이오드와, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 위에 형성된 제1차광 물질과, 상기 제1차광 물질과 서로 분리되고, 상기 저장 다이오드의 위에 형성된 제2차광 물질을 포함한다. 상기 이미지 센서는 상기 제1차광 물질로 제1전압을 공급하기 위한 제1전압 공급라인과 상기 제2차광 물질로 상기 제1전압보다 낮은 제2전압을 공급하기 위한 제2전압 공급라인을 더 포함한다.
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公开(公告)号：KR102253003B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020140087538
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서의픽셀어레이는복수의로우들및 복수의컬럼들을가지는매트릭스형태로배치된복수의화소들을포함한다. 복수의화소들각각은광전변환소자, 전하저장소자, 저장게이트, 전송게이트및 플로팅확산노드를포함한다. 복수의화소들중 동일한로우에위치한적어도두 개의화소들의저장게이트는일체로형성된다. 또한, 일체로형성된저장게이트는저장게이트에저장게이트제어신호를전달하는저장게이트제어라인에평행하게배치될수 있다. 이에따라, 저장게이트제어신호의딜레이가감소될수 있고, 이미지센서의동작속도및 프레임레이트가증가될수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100650632B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050107534
申请日：2005-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: A capacitor manufacturing method and a method for manufacturing a semiconductor device using the same are provided to form uniformly a conductive layer and to obtain an aiming width capable of forming a dielectric film and an upper electrode from an etch stop layer at a lower portion of a contact hole structure by restraining the difference of width between contact holes of a mold layer and the etch stop layer. An insulating layer with a pad is formed on a substrate. An etch stop layer(110) is formed on the insulating layer. A mold layer(115) is formed on the etch stop layer. A first contact hole for exposing the etch stop layer to the outside is formed on the resultant structure by performing a first etching process on the mold layer. A second contact hole having a larger width than that of the first contact hole is formed by performing a second etching process on the mold layer. A third contact hole(124) for exposing the pad to the outside is formed by performing a third etching process on the etch stop layer. A capacitor contact hole is formed on the resultant structure by removing a native oxide layer from the exposed pad using a fourth etching process. A conductive layer is then formed on the capacitor contact hole.
Abstract translation: 提供一种电容器制造方法和使用该电容器制造方法的半导体器件的制造方法，以均匀地形成导电层，并且获得能够从蚀刻停止层形成电介质膜和上电极的瞄准宽度， 通过抑制模制层的接触孔与蚀刻停止层之间的宽度差异来实现接触孔结构。 在衬底上形成带有焊盘的绝缘层。 蚀刻停止层（110）形成在绝缘层上。 在蚀刻停止层上形成模具层（115）。 通过在模制层上执行第一蚀刻工艺在所得结构上形成用于将蚀刻停止层暴露于外部的第一接触孔。 通过在模制层上执行第二蚀刻工艺来形成具有比第一接触孔的宽度大的宽度的第二接触孔。 通过在蚀刻停止层上执行第三蚀刻工艺来形成用于将焊盘暴露到外部的第三接触孔（124）。 通过使用第四蚀刻工艺从暴露的焊盘去除自然氧化层，在所得结构上形成电容器接触孔。 然后在电容器接触孔上形成导电层。
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公开(公告)号：KR100572216B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1019980062635
申请日：1998-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김태한
IPC: H05K3/40
Abstract: 본 발명은 이방성 도전 필름에 관한 것으로, 본딩 공정 진행전에 이방성 도전 필름의 특성 변화를 색상변화로 확인하여 특성 변화된 이방성 도전 필름을 본딩 공정 진행 전에 사용되는 것을 미연에 방지하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 이방성 도전 필름을 이용한 본딩 공정 후에 이방성 도전 필름에서 나타나는 색상 변화를 확인하여 본딩 공정 진행 결과를 확인함으로써 제품의 신뢰성 향상을 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100283166B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980021306
申请日：1998-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김태한
IPC: H04N1/00
Abstract: 본 발명의 팩시밀리 시스템에서의 알람메시지 전송방법은, 송신국의 팩시밀리 장치에서 알람 대상이 되는 상대 팩시밀리에 알람기능을 등록해 두기 위하여, 원격알람 메시지를 통신 프로토콜시에 송신되는 특정한 코드에 실어 전송하고, 상대 팩시밀리에서 상기 메시지를 분석하여 그에 따른 알람을 등록된 시간에 송출하거나 메모리 수신내용을 프린트하는 것을 특징으로 한다.
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