-
公开(公告)号：KR102234041B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140074564A
申请日：2014-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L29/861
Abstract: 플로팅 디퓨전 노드의 전압을 부스팅할 수 있는 이미지 센서 반도체 기판의 내부에 형성된 플로팅 디퓨전 노드와 저장 다이오드와, 상기 플로팅 디퓨전 노드의 위에 형성된 제1차광 물질과, 상기 제1차광 물질과 서로 분리되고, 상기 저장 다이오드의 위에 형성된 제2차광 물질을 포함한다. 상기 이미지 센서는 상기 제1차광 물질로 제1전압을 공급하기 위한 제1전압 공급라인과 상기 제2차광 물질로 상기 제1전압보다 낮은 제2전압을 공급하기 위한 제2전압 공급라인을 더 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020130091553A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020120012930
申请日：2012-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N13/271 , G01S7/4863 , H01L27/14656 , H04N5/37452 , H04N5/369 , H04N5/2625 , H04N13/20
Abstract: PURPOSE: A three-dimensional image sensor and a mobile device including the same are provided to improve a demodulation contrast by emitting surplus photocharges without the need to increase the frequency of a master clock signal which is a base of transmission control signals, thereby reducing depth error. CONSTITUTION: Each depth pixel (100) includes a Photo Detector (PD) (101), Floating Diffusion (FD) regions (104, 105), Transfer Transistors (TX) (102, 103), Reset Transistors (RX) (106, 107), and an overflow transistor (110) which emits surplus photocharges, which are generated outside the unit time determined by the photo detector, to a second power supply terminal if a drive gating signal is applied. If a photocharge transmission section to a first FD region and a photocharge transmission section to a second FD region do not overlap, the logic unit (120) of a readout circuit applies a transmission gating signal to each transfer transistor. If the photocharge transmission sections overlap, the logic unit applies a drive gate signal to the overflow transistor.
Abstract translation: 目的：提供三维图像传感器和包括该三维图像传感器的移动设备，以通过发射多余的光电荷来提高解调对比度，而不需要增加作为传输控制信号的基础的主时钟信号的频率，从而减少深度 错误。 构成：每个深度像素（100）包括光检测器（PD）（101），浮动扩散（FD）区域（104,105），传输晶体管（TX）（102,103），复位晶体管（RX） 107），以及溢出晶体管（110），如果施加了驱动门控信号，则在由光电检测器确定的单位时间之外产生的剩余光电荷发射到第二电源端子。 如果到第一FD区域的光电荷传输部分和到第二FD区域的光电荷传输部分不重叠，则读出电路的逻辑单元（120）向每个传输晶体管施加传输门控信号。 如果光电荷传输部分重叠，则逻辑单元向溢出晶体管施加驱动栅极信号。
-
公开(公告)号：KR1020130085228A
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020120006229
申请日：2012-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/3559 , H04N5/378
Abstract: PURPOSE: An image sensor including a pixel, an operation method, and a portable apparatus including the same are provided to increase the transmission efficiency of an electric charge by controlling the electric potential of a storing unit. CONSTITUTION: A photo detector (11) accumulates an electric charge in response to an incident light. A storage unit (13) stores the electric charge. The electric charge is transmitted to the storing unit from the photo detector through a first transmission gate (17). The electric charge is transmitted to a floating diffusion node from the storing unit through a second transmission gate (23). A reset gate signal is applied to reset the floating diffusion node in a reset gate (27).
Abstract translation: 目的：提供包括像素的图像传感器，操作方法和包括该像素的便携式设备，以通过控制存储单元的电位来增加电荷的传输效率。 构成：光检测器（11）响应于入射光积累电荷。 存储单元（13）存储电荷。 电荷通过第一传输门（17）从光电检测器传输到存储单元。 电荷通过第二传输门（23）从存储单元传输到浮动扩散节点。 复位门信号被施加以复位复位门（27）中的浮动扩散节点。
-
公开(公告)号：KR1020100060612A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119274
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/14634
Abstract: PURPOSE: An image sensor and an image sensing system including of the same are provided to improve the operation efficiency of an image sensor by blocking heat generated from a circuit region. CONSTITUTION: A pixel array unit(100) is formed in the pixel region defined in a semiconductor substrate. The pixel array unit comprises a plurality of photovoltaic converting units. A plurality of driver circuits are formed in the circuit region defined in the semiconductor substrate. At least one heat shielding units(200a, 200b) are formed between the pixel region and the circuit region of the semiconductor substrate. The heat shielding unit prevents the heat generated from the circuit region from transferring to the pixel region through the semiconductor substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种图像传感器和包括其的图像感测系统，以通过阻止从电路区域产生的热量来提高图像传感器的操作效率。 构成：像素阵列单元（100）形成在半导体衬底中限定的像素区域中。 像素阵列单元包括多个光伏转换单元。 在半导体衬底中限定的电路区域中形成多个驱动电路。 在像素区域和半导体衬底的电路区域之间形成至少一个热屏蔽单元（200a，200b）。 热屏蔽单元防止从电路区域产生的热量通过半导体衬底转移到像素区域。
-
公开(公告)号：KR102253003B1
公开(公告)日：2021-05-17
申请号：KR1020140087538
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 이미지센서의픽셀어레이는복수의로우들및 복수의컬럼들을가지는매트릭스형태로배치된복수의화소들을포함한다. 복수의화소들각각은광전변환소자, 전하저장소자, 저장게이트, 전송게이트및 플로팅확산노드를포함한다. 복수의화소들중 동일한로우에위치한적어도두 개의화소들의저장게이트는일체로형성된다. 또한, 일체로형성된저장게이트는저장게이트에저장게이트제어신호를전달하는저장게이트제어라인에평행하게배치될수 있다. 이에따라, 저장게이트제어신호의딜레이가감소될수 있고, 이미지센서의동작속도및 프레임레이트가증가될수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102215822B1
公开(公告)日：2021-02-16
申请号：KR1020140046109
申请日：2014-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 이미지센서의단위픽셀은광전변환영역, 제1 플로팅확산영역, 전송게이트, 제2 플로팅확산영역및 이중변환이득게이트를포함한다. 광전변환영역은반도체기판내에형성되고, 입사광에기초하여광전하들을수집한다. 제1 플로팅확산영역은광전변환영역과이격하여반도체기판내에형성된다. 전송게이트는반도체기판상에형성되고, 전송제어신호에기초하여광전하들을제1 플로팅확산영역으로전송한다. 제2 플로팅확산영역은제1 플로팅확산영역과이격하여반도체기판내에형성된다. 이중변환이득게이트는제1 및제2 플로팅확산영역들과인접하도록반도체기판의제1 면으로부터수직으로형성되고, 이중변환이득제어신호에기초하여광전하들을제2 플로팅확산영역으로선택적으로전송한다.
-
-
公开(公告)号：KR101848771B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020120012930
申请日：2012-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N13/271 , G01S7/4863 , H01L27/14656 , H04N5/37452
Abstract: 3차원이미지센서및 3차원이미지센서를포함한휴대용장치가개시된다. 본발명의실시예들에따른 3차원이미지센서는광전하를생성하는광 검출부, 플로팅확산영역, 전송게이팅신호가인가되면, 상기생성된광전하를플로팅확산영역으로전송하는트랜스퍼트랜지스터,제1 단자와상기플로팅확산영역사이에연결되어상기광전하들을상기제1 단자로전송하는리셋트랜지스터; 및드라이브게이팅신호가인가되면, 상기광 검출부으로부터기설정된단위시간외에서발생하는잉여광전하를제2 단자로방출하는오버플로우트랜지스터를포함하는복수의깊이픽셀들이배열된픽셀어레이및 상기픽셀어레이로부터센싱된깊이정보를리드아웃하기위한리드아웃회로를포함한다. 상기리드아웃회로는제1 플로팅확산영역으로의상기광전하전송구간과제2 플로팅디퓨전영역으로의상기광전하전송구간이오버랩되지않는경우상기트랜스퍼트랜지스터에상기전송게이팅신호를각각인가하고, 상기광전하전송구간이오버랩되는경우상기오버플로우트랜지스터에상기드라이브게이팅신호를인가하는로직부를포함한다.
-
公开(公告)号：KR101797014B1
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：KR1020110092499
申请日：2011-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01S17/89 , G01S7/4816 , G01S7/4865 , H04N5/341 , H04N5/361 , H04N5/3745
Abstract: 3차원이미지센서의단위픽셀은광학적으로차폐되어암전류를발생시키고, 암전류를비행시간동안누적시켜누적암전류를생성하는누적부, 누적암전류에기초하여비행시간에상응하는출력전압을생성하여출력하는출력전압생성부, 광원에서조사된후 목표물에반사되어돌아온광 신호에응답하여출력전압생성부의동작을제어하는제어부, 및기 설정된주기마다누적부를초기화시키는초기화부를포함한다. 따라서, 3차원이미지센서의단위픽셀은암전류및/또는누설전류에기초하여비행시간을측정할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020160015712A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140098325
申请日：2014-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/374 , H04N5/357 , H04N5/3592
Abstract: 이미지촬상장치및 방법이제공된다. 상기이미지촬상장치는, 포토다이오드와스토리지다이오드를각각포함하는복수의액티브픽셀을포함하는 APS 어레이로서, 상기복수의액티브픽셀은 NxM(N, M은 2 이상의자연수) 배열로배치되는 APS 어레이, 및상기 APS 어레이가출력한이미지신호를보정하는화상신호처리부를포함하되, 상기 APS 어레이는 N개의픽셀센서로우(pixel sensor row)를포함하고, 상기화상신호처리부는이웃하는상기픽셀센서로우에서비순차적으로출력된이미지신호를이용하여, 상기이미지신호의노이즈를제거한다.
Abstract translation: 提供了一种用于拍摄图像的装置和方法。 用于拍摄本发明的图像的装置包括：有源像素传感器（APS）阵列，其包括单独包括光电二极管的多个有源像素和存储二极管，其中有源像素设置在N×M阵列（N和 M是大于或等于2的自然数）; 以及用于校正由APS阵列输出的图像信号的图像信号处理单元。 APS阵列包括“N”个像素传感器行，并且图像信号处理单元通过使用从相邻像素传感器行非顺序输出的图像信号来去除图像信号的噪声。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.022 seconds)
