-
公开(公告)号：KR1020170065730A
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020150171656
申请日：2015-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/369
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14605 , H01L27/14612 , H04N5/3456 , H04N5/3458 , H04N5/347 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는열 방향으로순차적으로배열되는제 1 픽셀유닛내지제 4 픽셀유닛을포함하는액티브픽셀센서어레이를포함할수 있으며, 각각의픽셀유닛은복수의픽셀들로구성될수 있다. 제 1 픽셀유닛및 제 2 픽셀유닛을포함하는제 1 픽셀그룹은제 1 컬럼라인에연결되고, 제 3 픽셀유닛및 제 4 픽셀유닛을포함하는제 2 픽셀그룹은제 2 컬럼라인에연결될수 있다. 이미지센서는제 1 픽셀그룹중 선택된픽셀에의해감지된제 1 감지전압및 제 2 픽셀그룹중 선택된픽셀에의해감지된제 2 감지전압을상관이중샘플링신호들로변환하는제 1 상관이중샘플러및 제 2 상관이중샘플러를포함할수 있다. 제 1 감지전압과제 2 감지전압은제 1 상관이중샘플러와제 2 상관이중샘플러중 서로다른상관이중샘플러에의해상관이중샘플링신호들로각각변환될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像传感器可以是有源像素传感器阵列，其包括第一像素单元至所述第四像素单元被顺序排列在列方向上，每一个像素单元可以由多个像素的 有。 第一像素单元和包含像素单元的第二第一像素组被连接到第一列线，和包含像素单元和第四像素单元中的第三第二像素组可以连接到第二列线 。 图像传感器，包括：用于转换由所述第一感测电压的所选择的像素，并通过相关双采样信号的选择的像素和所检测的像素的第二组检测到的第二检测电压的像素的组的第一相关双采样器 2相关双采样器。 第一感测电压任务2检测电压可通过第一相关双采样器的不同的相关双采样器和第二相关双采样器被转换成各信号的相关双采样。
-
公开(公告)号：KR1020040014710A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：KR1020020047341
申请日：2002-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a via of a semiconductor device is provided to connect a top copper line to a bottom copper line by forming an oxide layer on a bottom of a via hole, removing selectively the oxide layer, and forming discontinuously a barrier metal layer. CONSTITUTION: A via hole is formed by etching an insulating layer formed on a metal pattern(105) to expose partially the metal pattern(105). The metal pattern exposed by the via hole is oxidized. A lower part of the via hole is enlarged by etching an oxidized part of the metal pattern. The metal pattern is partially exposed by forming a barrier metal layer(160) on a bottom of the via hole corresponding to each size of a side and an entrance of the via hole. The via hole is buried by a metal material.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的通孔的方法，通过在通孔的底部形成氧化层，将顶部铜线连接到底部铜线，选择性地去除氧化物层，并且不连续地形成阻挡金属 层。 构成：通过蚀刻形成在金属图案（105）上的绝缘层以使部分地暴露金属图案（105）而形成通孔。 由通孔露出的金属图案被氧化。 通过蚀刻金属图案的氧化部分来扩大通孔的下部。 通过在通孔的底部形成阻挡金属层（160）来部分地暴露金属图案，该阻挡金属层对应于通孔的侧面和入口的每个尺寸。 通孔被金属材料掩埋。
-
-
公开(公告)号：KR1019930010869A
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：KR1019910021933
申请日：1991-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김효상
IPC: G11B5/31
Abstract: 본 발명은 자기정보 기록 기기의 정보를 자기매체에 기록하는 박막 자기 헤드에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는 자성재료로 된 자기회로와 전기 자기 회로중에 최소한 자기 기록 및 재생을 위한 공극과 도전체 박막으로 된 코일(coil)부로 구성되는 유도형 박막 자기 헤드의 기록 또는 신호 검출시 자기회로에 유도되는 자기장에 의해 공극내부에 누설자속이 발생하는 것에 있어서, 상기 누설자속애 의해 가전력을 발생시켜 전류를 흐르게 함으로서 제2의 자기장이 발생되게 하여 기록 또는 신호 검출자계를 증가시키는 박막 자기 헤드에 관한 것이다.
따라서 상기 공극 부분내에 Cu, Ag. Au, A1등의 낮은 비저항 금속재료 중 하나를 선택하여 제조된 적어도 하나의 누설 자속 감소용 도전체 패턴을 형성하였다.
종래의 자기 박막헤드는 도전층에 기록전류를 흘러 자기 기록용 매체에 기록시 코일에서 유도된 자기장이 완전히 기록자계로 변환되지 못하고 많은 부분이 공극 내부에서 누설되는 현상이 발생하여 자기 헤드의 전체적인 효을을 저하시키는 단점이 있었으므로 박막 자기 헤드의 공극 내부에 적어도 하나의 자속 누설 감소용 도전체 패턴을 형성시켜 기록 자계 및 검출신호를 증가시켰다.-
公开(公告)号：KR1020040077042A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020030012427
申请日：2003-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김효상
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a damascene metal line is provided to reduce the manufacturing cost by using a barrier layer including a diffusion barrier and a titanium wetting layer as a barrier layer of a copper layer. CONSTITUTION: A bottom metal line(12), the first diffusion barrier(14), and an interlayer dielectric(16) are sequentially formed on an insulating layer(10) of a semiconductor substrate. An opening part is formed on the interlayer dielectric. The second diffusion barrier is formed on the inside of the opening part. The bottom metal line is exposed by removing the first and the second diffusion barriers from the bottom of the opening part. A wetting liner(38) is coated on the exposed bottom metal line and the second diffusion barrier of the sidewall of the opening part. A copper seed liner(40) is coated on the wetting liner.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成镶嵌金属线的方法，通过使用包括扩散阻挡层和钛润湿层的阻挡层作为铜层的阻挡层来降低制造成本。 构成：在半导体衬底的绝缘层（10）上依次形成底部金属线（12），第一扩散阻挡层（14）和层间电介质（16）。 在层间电介质上形成开口部。 第二扩散阻挡层形成在开口部的内侧。 通过从开口部的底部除去第一和第二扩散阻挡层来露出底部金属线。 润湿衬垫（38）涂覆在露出的底部金属线和开口部分的侧壁的第二扩散阻挡层上。 将铜种子衬垫（40）涂覆在润湿衬垫上。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR1019970052949A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950057215
申请日：1995-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김효상
IPC: H01L21/3205
Abstract: 금속 배선의 측면에 발생하는 힐락을 방지하여 금속 배선 사이의 합선에 의한 불량을 감소시킨 반도체 장치의 배선 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 여러 가지 소자를 포함하는 반도체 기판 위에 금속층 및 제1보호층을 순서대로 증착하고, 상기 금속층 및 상기 제1보호층을 사진 식각하여 상기 반도체 기판 위에 금속 패턴 및 보호층 패턴을 형성하고, 상기 금속 패턴을 포함하는 상기 반도체 기판의 전면에 2보호층을 증착하고, 상기 제2보호층을 이방성 식각하여 상기 금속 패턴의 측벽에 상기 제2보호층으로 측벽 보호층을 형성한다. 본 발명에 따른 반도체 장치의 배선 방법에 의해서 반도체 장치가 고집적화되어 상기 금속 패턴 사이의 거리가 가까워지는 경우에도 상기 측벽 보호층에 의하여 상기 금속 패턴의 측벽에 발생하는 힐락을 억제하여, 상기 금속 패턴 사이에 합선이 일어나는 것을 방지한다.
-
-
-
公开(公告)号：KR1020000000952A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020908
申请日：1998-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김효상
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: An apparatus for sputtering semiconductor devices is provided to improve a reliability by minimizing defects due to a leakage of bellows by transferring the position of the bellows. CONSTITUTION: The sputtering apparatus comprises: a clamp(22) for loading and fixing a wafer; a shift(24) for driving the clamp in direction of up and down; and a bellows(26) connected to the shift, wherein the bellows(26) is located in a chamber(20). Thereby, it is possible to minimize the leakage and out gassing.
Abstract translation: 目的：提供一种用于溅射半导体器件的设备，以通过转移波纹管的位置来最小化由于波纹管泄漏引起的缺陷来提高可靠性。 构成：溅射装置包括：用于加载和固定晶片的夹具（22）; 用于在上下方向上驱动夹具的移位（24）; 以及连接到所述位移的波纹管（26），其中所述波纹管（26）位于室（20）中。 因此，可以使泄漏和排气最小化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.018 seconds)
