반도체 소자 제조 방법
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020060069754A

    公开(公告)日:2006-06-22

    申请号:KR1020040108430

    申请日:2004-12-18

    CPC classification number: H01L21/76802 H01L21/31053 H01L21/31111

    Abstract: 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자 제조 방법은 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 제1 CMP를 행하는 단계, 층간 절연막 상에 습식 식각막을 형성한 후, 습식 식각막과 층간 절연막의 소정의 영역을 식각하여 콘택홀들을 형성하는 단계, 콘택홀 내부가 채워지도록 제1 금속을 습식 식각막 전면에 도포한 후, 제2 CMP를 행하여 습식 식각막 상의 제1 금속을 제거하고 그 하부의 습식 식각막과 콘택홀들을 노출시키는 단계, 습식 식각을 통해 노출된 습식 식각막을 선택적으로 제거하여 습식 식각막 하부의 평탄화된 층간 절연막을 노출시키고, 노출된 층간 절연막 상에 금속간 절연막을 도포하고 제3 CMP를 행하여 금속간 절연막 상부를 평탄화 하는 단계를 포함한다.
    반도체 소자, 평탄화

    전기적인 퓨즈, 이를 갖는 반도체 소자, 및 전기적인퓨즈의 프로그래밍과 리딩 방법
    2.
    发明授权
    전기적인 퓨즈, 이를 갖는 반도체 소자, 및 전기적인퓨즈의 프로그래밍과 리딩 방법 有权
    电保险丝,具有该保险丝的半导体器件及其编程及其读取方法

    公开(公告)号:KR100827664B1

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:KR1020060134045

    申请日:2006-12-26

    Abstract: An electrical fuse, a semiconductor device having the same, and a method for programming and reading the electrical fuse are provided to improve blowing reliability of the fuse by arranging the fuse to form a fuse link. An electrical fuse includes first and second anodes(32a,32b), a cathode(32c), a first fuse link(34a), and a second fuse link(34b). The first and second anodes are arranged to be apart from each other. The cathode is arranged between the first and second anodes. The first fuse link couples the first anode with the cathode. The second fuse link couples the second anode with the cathode. Each of the first and second anodes is greater than the cathode. The first and second fuse links are narrower than the first and second anodes and the cathode.

    Abstract translation: 提供电熔丝,具有该电熔丝的半导体器件,以及用于编程和读取电熔丝的方法,以通过布置熔丝形成熔丝来提高熔丝的吹塑可靠性。 电熔丝包括第一和第二阳极(32a,32b),阴极(32c),第一熔断体(34a)和第二熔断体(34b)。 第一和第二阳极被布置成彼此分开。 阴极布置在第一和第二阳极之间。 第一个熔丝连接第一个阳极和阴极。 第二熔断体将第二阳极与阴极连接。 第一和第二阳极中的每一个都大于阴极。 第一和第二熔断体比第一和第二阳极和阴极窄。

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