公开(公告)号：KR1020060079958A

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020050000381

申请日：2005-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 타카시노구치 ,  후아샹잉 ,  정지심 ,  선우문욱 ,  권장연 ,  노용한 ,  정석원 ,  정성훈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 개시된 실리콘 박막트랜지스터는: 기판에 형성되는 실리콘 채널과; 상기 실리콘 채널 위에 형성되는 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 위에 마련되는 게이트를; 구비하고, 상기 게이트 절연층은 HfOx
박막을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 박막트랜지스터는 낮은 전류누설특성을 가진다.
다결정, 실리콘, 게이트 절연층, HfOx, HfO2