公开(公告)号：KR1020160107784A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020150031060

申请日：2015-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신재진 ,  김경현 ,  노정헌 ,  성충기 ,  정승필 ,  지정근

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/66825 ,  H01L21/31055 ,  H01L2924/1443

Abstract: 비휘발성메모리소자의제조에서, 기판에포함되는제1 방향으로연장되는액티브패턴상에예비터널절연막패턴, 예비전하저장패턴을형성한다. 상기예비전하저장패턴, 터널절연막패턴및 액티브패턴사이의트렌치표면에라이너막을형성한다. 상기라이너막상에상기라이너막과다른물질을포함하는예비소자분리막패턴을형성한다. 상기예비전하저장패턴및 상기예비소자분리막패턴상에유전막및 콘트롤게이트전극막을형성한다. 상기콘트롤게이트전극막, 상기유전막, 상기예비전하저장패턴및 상기예비터널절연막패턴을패터닝하여, 터널절연막패턴, 전하저장패턴, 유전막패턴및 콘트롤게이트전극이적층되는게이트구조물들을형성한다. 상기예비소자분리막패턴의일부를등방성건식식각을통해제거하여, 소자분리막패턴및 상기소자분리막패턴상에제1 에어갭을형성한다. 상기제1 에어갭을유지하면서, 상기게이트구조물들사이에층간절연막을형성한다. 상기비휘발성메모리소자는기생커패시턴스가낮고막의손상이감소되어우수한전기적특성을가질수 있다.

Abstract translation: 在非易失性存储器件的制造中，在包括在衬底中的第一方向延伸的有源图案上形成预备隧道绝缘膜图案和预备电荷存储图案。 在初步电荷存储图案，隧道绝缘膜图案和活性图案之间的沟槽表面上形成衬垫膜。 在衬垫膜上形成包括不同于衬垫膜的材料的初步器件隔离膜图案。 在初步电荷存储图案和预备元件隔离膜图案上形成电介质膜和控制栅极电极膜。 对控制栅极电极膜，电介质膜，预备电荷存储图案和预备隧道绝缘膜图案进行图案化以形成栅极结构，其中隧道绝缘膜图案，电荷存储图案，电介质膜图案和控制 栅电极层叠。 通过各向同性干蚀刻蚀刻去除初步器件隔离膜图案的一部分，以在器件隔离膜图案和器件隔离膜图案上形成第一气隙。 在保持第一气隙的同时，在栅极结构之间形成层间绝缘膜。 非易失性存储器件可以获得优异的电特性，因为寄生电容低，并且膜的损伤降低。