로직 반도체 소자
    1.
    发明公开
    로직 반도체 소자 审中-实审
    逻辑半导体器件

    公开(公告)号:KR1020170047582A

    公开(公告)日:2017-05-08

    申请号:KR1020150147869

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 로직반도체소자는수평방향으로연장하며수직방향으로서로이격된복수의액티브패턴들, 액티브패턴들을한정하는소자분리막, 액티브패턴들및 소자분리막상부에서수직방향으로연장하며수평방향으로서로이격된복수의게이트패턴들, 게이트패턴들의상부에서수평방향으로연장하는복수의하층배선들, 하층배선들의상부에서수직방향으로연장하는상층배선들, 및상층배선의저면으로부터하층배선의저면아래까지연장되며상층배선들중 적어도하나의상층배선과상기게이트패턴들중 적어도하나의게이트패턴을연결시키는관통콘택을포함한다.

    Abstract translation: 在水平方向上延伸并且在多个在垂直方向上彼此间隔开的延伸逻辑半导体器件中,在器件隔离膜,有源图案和所述器件隔离膜顶部限定在垂直方向上的有源图案,以及多个在水平方向上彼此间隔开的所述有源图案 栅极图案,多个从所述栅极图案的顶部的水平方向延伸的下层布线的,并从上层布线线路延伸,并且在垂直方向上从上述下层布线的顶部延伸到下层布线上布线的底表面的底部上布线的底面 以及至少一个栅极图案的至少一个栅极图案。

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