公开(公告)号：KR1020170054220A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020160110475

申请日：2016-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍준구 ,  오브라도빅보르나 ,  로더마크

IPC: H01L29/732 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 전계효과트랜지스터및 이의제조방법이제공된다. 전계효과트랜지스터의제조방법은, 기판상에, 희생층을포함하는복수의층을형성하고, 상기복수의층을관통하도록식각하여제1 트랜치를형성하고, 상기제1 트랜치내에, 수직반도체시트(vertical semiconductor sheet)를성장시켜채널을형성하고, 상기희생층을식각하여제1 갭(gap)을형성하고, 상기제1 갭에전도체층(conductive layer)을형성하여게이트를형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供场效应晶体管及其制造方法。 一种制造场效应晶体管的方法包括：在衬底上形成包括牺牲层的多个层，并且蚀刻所述多个层以形成第一沟槽; 通过生长垂直半导体片形成沟道;蚀刻牺牲层以形成第一间隙;以及在第一间隙中形成导电层以形成栅极。

公开(公告)号：KR1020170045103A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020160104226

申请日：2016-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 팔레다멘다레디 ,  홍준구 ,  로더마크 ,  오브라도빅보르나

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 전계효과트랜지스터가제공된다. 전계효과트랜지스터는, 게이트, 상기게이트에인접한제1 영역에서제1 유전상수를갖는제1 스페이서, 및상기게이트에인접한제2 영역에서상기제1 유전상수보다큰 제2 유전상수를갖는제2 스페이서를포함한다.

Abstract translation: 提供场效应晶体管。 一种场效应晶体管，栅极，具有比在所述第一间隔物的第一介电常数的较大的第二介电常数的第二间隔物，并且相邻的第二区域，所述栅极在邻近的第一区域具有第一介电常数栅极 它包括。

公开(公告)号：KR1020170057820A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：KR1020160087824

申请日：2016-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 센굽타르윅 ,  홍준구 ,  로더마크

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판, 상기기판상에배치되는파워레일, 상기기판상에배치되고, 상기파워레일과같은레이어에배치되는액티브레이어로, 소오스/드레인터미널을포함하는액티브레이어및 상기파워레일과상기액티브레이어를전기적으로연결하는컨택을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 一种半导体器件，包括衬底，设置在衬底上的功率轨，设置在衬底上并与功率轨布置在同一层上的有源层，包括源极/漏极端子的有源层， 和一个电连接有源层的接触。

公开(公告)号：KR1020170119278A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020160149428

申请日：2016-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 락싯티타시 ,  로더마크 ,  센굽타르윅

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0948 ,  H01L29/73 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391

Abstract: 본발명은반도체장치와그 제조방법및 로직마이크로프로세서에관한것이다. 상기반도체장치는, 복수의 CMOS 트랜지스터(Complementary Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors; CMOSFETs)를포함하는회로블록(circuit block), 및상기회로블록을파워게이팅(power gating)하기위해, 상기회로블록및 접지(ground) 사이에배치되는터널링전계효과트랜지스터(tunnel field-effect transistor; 이하, TFET)를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和逻辑微处理器。 该半导体器件包括：包括多个CMOS晶体管（互补金属氧化物半导体场效应晶体管; CMOSFET）的电路块以及用于对该电路块进行功率门控的电源电路， 和布置在地和地之间的隧道场效应晶体管（以下称为TFET）。

公开(公告)号：KR1020170031606A

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：KR1020160065229

申请日：2016-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오브라도빅보르나 ,  락싯티타시 ,  로더마크 ,  보우엔크리스 ,  팔레다멘다

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/80 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 수직전계효과장치및 이의제조방법이제공된다. 수직전계효과장치는, 기판, InGaAs를포함하는수직채널로, 상기기판으로부터연장되는필러및 서로마주보는수직표면을포함하는수직채널, 상기수직채널의서로마주보는수직표면상에형성되는스트레서층으로, 상기수직채널상에에피텍셜하게(epitaxially) 형성되는에피텍셜결정질물질층(layer of epitaxial crystalline material)을포함하는스트레서층, 상기스트레서층 상에형성되는유전체층 및상기유전체층 상에형성되는게이트전극을포함하고, 상기에피텍셜결정질물질층은, 상기수직채널의서로마주보는수직표면중 어느하나에상응하는수직평면에서제1 격자상수를갖고, 상기제1 격자상수는, 상기수직평면에상응하는상기수직채널의제2 격자상수보다크다.

Abstract translation: 提供了一种垂直场效应器件及其制造方法。 一种垂直场效应器件，具有在基板上形成seuteureseo层，垂直表面看入垂直通道，在垂直通道和包括垂直表面看填料和彼此面对并从该衬底包括在InGaAs延伸的垂直通道彼此面对 ，形成在seuteureseo层，电介质层和形成在seuteureseo层包括外延结晶材料层（外延结晶材料的层）上的电介质层上的栅电极，其是外延至（外延）形成在所述垂直通道 并且其中，所述外延结晶材料层，所述具有在垂直平面内的第一晶格常数的第一晶格常数，对应于任何上彼此面对的垂直沟道和垂直对应于垂直平面的垂直表面中的一个 大于通道的第二个晶格常数。