公开(公告)号：KR1020170031606A

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：KR1020160065229

申请日：2016-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오브라도빅보르나 ,  락싯티타시 ,  로더마크 ,  보우엔크리스 ,  팔레다멘다

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/80 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 수직전계효과장치및 이의제조방법이제공된다. 수직전계효과장치는, 기판, InGaAs를포함하는수직채널로, 상기기판으로부터연장되는필러및 서로마주보는수직표면을포함하는수직채널, 상기수직채널의서로마주보는수직표면상에형성되는스트레서층으로, 상기수직채널상에에피텍셜하게(epitaxially) 형성되는에피텍셜결정질물질층(layer of epitaxial crystalline material)을포함하는스트레서층, 상기스트레서층 상에형성되는유전체층 및상기유전체층 상에형성되는게이트전극을포함하고, 상기에피텍셜결정질물질층은, 상기수직채널의서로마주보는수직표면중 어느하나에상응하는수직평면에서제1 격자상수를갖고, 상기제1 격자상수는, 상기수직평면에상응하는상기수직채널의제2 격자상수보다크다.

Abstract translation: 提供了一种垂直场效应器件及其制造方法。 一种垂直场效应器件，具有在基板上形成seuteureseo层，垂直表面看入垂直通道，在垂直通道和包括垂直表面看填料和彼此面对并从该衬底包括在InGaAs延伸的垂直通道彼此面对 ，形成在seuteureseo层，电介质层和形成在seuteureseo层包括外延结晶材料层（外延结晶材料的层）上的电介质层上的栅电极，其是外延至（外延）形成在所述垂直通道 并且其中，所述外延结晶材料层，所述具有在垂直平面内的第一晶格常数的第一晶格常数，对应于任何上彼此面对的垂直沟道和垂直对应于垂直平面的垂直表面中的一个 大于通道的第二个晶格常数。

公开(公告)号：KR102135017B1

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：KR1020170027655

申请日：2017-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 키틀조지에이. ,  보우엔크리스 ,  이마이키요타카 ,  로더마크에스.

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR1020170132656A

公开(公告)日：2017-12-04

申请号：KR1020170027655

申请日：2017-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 키틀조지에이. ,  보우엔크리스 ,  이마이키요타카 ,  로더마크에스.

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7869

Abstract: 변형된채널의제조방법이제공된다. 채널을포함하는핀을갖는 finFET(fin field effect transistor) 장치를위한변형된채널(strained channel)의제조방법으로, 그일부에적어도 200 MPa 이상의스트레스(stress)를받는더미게이트를핀 상에형성하고, 핀의제1 말단에제1 SD 리세스를형성하고, 핀의제2 말단에제2 SD 리세스를형성하고, 제1 SD 리세스내에제1 SD를형성하고, 제2 SD 리세스내에제2 SD를형성하고, 더미게이트를제거하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种制造改进的通道的方法。 一种制造具有包括沟道的鳍片的鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的应变沟道的方法，所述方法包括：在接收至少200MPa的应力的鳍片上形成伪栅极， 第一SD凹槽形成在销的第一端处，第二SD凹槽形成在鳍状物的第二端处，第一SD形成在第一SD凹槽中， 形成第二个SD，并去除伪栅。