公开(公告)号：KR1020160023152A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020140109041

申请日：2014-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마노롯쿨와닛 ,  신중한 ,  구봉진 ,  최한메 ,  미쿨리크드미트리

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/11575 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/32055 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11521

Abstract: 집적회로소자는기판상에형성된수직으로오버랩되도록배치된제1 레벨반도체소자와제2 레벨반도체소자와의사이에개재된다결정실리콘박막을포함한다. 다결정실리콘박막은적어도하나의실리콘단결정을포함한다. 실리콘단결정은제2 레벨반도체소자의활성영역을제공하는평탄부와, 평탄부로부터제1 레벨반도체소자를향하여돌출된핀 형상돌출부를포함한다. 다결정실리콘박막을형성하기위하여, 핀홀내부를채우면서소자간절연막의상면을덮는비정질실리콘층을형성한다. 비정질실리콘층에열을가하여비정질실리콘층의일부를용융시킨다. 비정질실리콘층중 핀홀내부에서용융되지않고고체상태로남아있는부분을시드로이용하여상기비정질실리콘층의용융된부분을결정화한다.

Abstract translation: 集成电路器件包括多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜介于形成在垂直重叠的基板上的第一级半导体器件和第二级半导体器件之间。 多晶硅薄膜包括至少一个硅单晶。 硅单晶包括提供第二级半导体器件的有源区的平坦化部分和从平坦化部向第一级半导体器件突出的销状突出部。 为了形成多晶硅薄膜，在填充针孔内部的同时形成覆盖器件间电介质层的上表面的非晶硅层。 非晶硅层的一部分通过向非晶硅层施加热而熔化。 非晶硅层的熔融部分通过使用保持固态的部分而不熔化在非晶硅层的针孔中作为种子而固化。

公开(公告)号：KR102171263B1

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：KR1020140109041

申请日：2014-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 마노롯쿨와닛 ,  신중한 ,  구봉진 ,  최한메 ,  미쿨리크드미트리

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/20