公开(公告)号：KR1020090131173A

公开(公告)日：2009-12-28

申请号：KR1020080057020

申请日：2008-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상용 ,  심재황 ,  이영호 ,  박재관 ,  문경렬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method of forming fine patterns of a semiconductor device are provided to form various shapes of patterns with different pattern density by performing etching process with an etching mask which is obtained through one photo lithography. CONSTITUTION: In a device, a low density mask is formed at a second region(400B) of a substrate(400). A plurality of narrow mold mask patterns and wide mold mask patterns are formed at a first region(400A) and at the second region at the same time. A plurality of first spacers covering the sidewall of a plurality of narrow mold mask patterns are formed in the first region. A plurality of second spacers covering the sidewall of a plurality of wide width mold mask patterns is formed in the second region. A plurality of low density mask patterns are formed by removing a part of the low density mask. A plurality of narrow patterns are formed in the first region. The wide pattern is formed in the second region.

Abstract translation: 目的：提供一种形成半导体器件的精细图案的方法，以通过通过一次光刻法获得的蚀刻掩模进行蚀刻工艺，形成具有不同图案密度的各种图案形状。 构成：在器件中，在衬底（400）的第二区（400B）处形成低密度掩模。 在第一区域（400A）和第二区域同时形成多个窄模具掩模图案和宽模具掩模图案。 在第一区域中形成覆盖多个窄模具掩模图案的侧壁的多个第一间隔件。 在第二区域中形成覆盖多个宽幅模具掩模图案的侧壁的多个第二间隔件。 通过去除低密度掩模的一部分来形成多个低密度掩模图案。 在第一区域中形成多个窄图案。 宽图案形成于第二区域。

公开(公告)号：KR101618749B1

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：KR1020090017156

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영호 ,  심재황 ,  박상용 ,  문경렬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 미세패턴들과광폭패턴들을인접한위치에동시에형성하는반도체소자의패턴형성방법에대하여개시한다. 기판의제1 영역및 제2 영역을각각덮는제1 막을형성한다. 제1 영역에서제1 막의일부를덮는블로킹패턴과제2 영역에서제1 막의일부를덮는저밀도광폭패턴을동시에형성한다. 제1 영역에서제1 막및 블로킹패턴위에복수의희생마스크패턴을형성한다. 복수의희생마스크패턴각각의노출된측벽을덮는복수의스페이서를형성한다. 희생마스크패턴을제거한다. 제1 영역에서는복수의스페이서및 블로킹패턴을식각마스크로이용하고제2 영역에서는저밀도광폭패턴을식각마스크로이용하여제1 영역및 제2 영역에서제1 막을동시에식각한다.

公开(公告)号：KR101468028B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：KR1020080057020

申请日：2008-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상용 ,  심재황 ,  이영호 ,  박재관 ,  문경렬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판상의서로다른패턴밀도를가지는복수의영역에서고밀도패턴들을형성하는데 필요한마스크패턴과저밀도패턴들을형성하는데 필요한마스크패턴을 1 회의포토리소그래피공정을통해동시에형성하는반도체소자의미세패턴형성방법을개시한다. 제1 영역및 제2 영역을포함하는기판상에서제2 영역에저밀도마스크층을형성한다. 제1 영역의협폭몰드마스크패턴과제2 영역의광폭몰드마스크패턴을동시에형성한다. 제1 영역에서는협폭몰드마스크패턴의측벽을덮는제1 스페이서를형성한다. 이와동시에, 제2 영역에서는광폭몰드마스크패턴의측벽을덮는제2 스페이서를형성하고저밀도마스크층의일부를제거하여저밀도마스크패턴을형성한다. 제1 영역에제1 스페이서가전사된복수의협폭패턴을형성한다. 이와동시에, 제2 영역에저밀도마스크패턴이전사된광폭패턴을형성한다.

公开(公告)号：KR1020170084820A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020160004135

申请日：2016-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 동진쎄미켐

Inventor： 류진아 ,  이정열 ,  문경렬 ,  강율 ,  김현진 ,  정유진 ,  한만호

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G18/022 ,  C09D175/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L28/00

Abstract: 포토레지스트의하부막조성물은적어도서로다른 2 종의이소시아누레이트유닛들이연결된반복단위를포함하는자가-가교(cross-linkable) 고분자, 및용매를포함한다.

Abstract translation: 光致抗蚀剂的下部膜组合物包含可交联聚合物和溶剂，所述可交联聚合物包含其中连接至少两个不同异氰脲酸酯单元的重复单元。

公开(公告)号：KR1020100098135A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017156

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영호 ,  심재황 ,  박상용 ,  문경렬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L2924/0002 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/32139 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method of forming patterns for a semiconductor device is provided to implement a plurality patterns having different widths by using an etching mask. CONSTITUTION: A first film covering a first area and a second area of a substrate(400) is formed. A blocking pattern(420B) covering a part of the first film and a low density wide pattern(420C) covering a part of the first film from a second area are formed on the first region simultaneously. A plurality of scarifying masks are formed on the first area and the blocking pattern. A plurality of spacers(340) covering the sidewall exposing a plurality of the scarifying mask pattern is formed. The scarifying mask pattern is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种形成用于半导体器件的图案的方法，以通过使用蚀刻掩模实现具有不同宽度的多个图案。 构成：形成覆盖基板（400）的第一区域和第二区域的第一膜。 同时在第一区域上形成覆盖第一膜的一部分的阻挡图案（420B）和从第二区域覆盖第一膜的一部分的低密度宽图案（420C）。 在第一区域和阻挡图案上形成多个划痕掩模。 形成多个覆盖侧壁的间隔物（340），露出多个划痕掩模图案。 去除划痕的掩模图案。