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公开(公告)号：KR102235521B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020150022302A
申请日：2015-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/26 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/3495 , G11C5/147 , G11C2207/2272
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 데이터를 저장하는 메모리 장치와, 및 데이터 스트로브 라인 및 복수의 데이터 라인을 통해 상기 메모리 장치와 연결되는 메모리 컨트롤러를 포함한다. 저장 장치는 읽기 또는 쓰기 동작 시에 데이터 앞에 미리 설정된 특정 패턴을 부가하고, 특정 패턴 다음에 입력되는 데이터를 유효 데이터로 처리한다.
상기 특정 패턴은 DQS 레이턴시 사이클에 맞추어(aligned) 제공된다. 상기 메모리 컨트롤러는 읽기 동작 시에 상기 메모리 장치로부터 입력되는 특정 패턴을 검출하고, 상기 검출된 특정 패턴이 내부에 저장된 특정 패턴과 일치하는 경우에, 상기 특정 패턴 다음에 입력되는 데이터를 유효 데이터로 처리한다.-
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公开(公告)号：KR1020160017580A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140126730
申请日：2014-09-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의스토리지장치는읽기, 쓰기, 및소거를수행하는불휘발성메모리및 메모리컨트롤러를포함한다. 상기메모리컨트롤러는허용범위내의기준전압레벨로설정된전압신호를상기불휘발성메모리와교환하거나외부로부터수신하는동작모드로동작할수 있다. 상기메모리컨트롤러가동작모드로동작시, 메모리컨트롤러는상기전압신호의전압레벨및 온도에따라상기불휘발성메모리의동작주파수를최적화할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，存储装置包括非易失性存储器和存储器控制器，其中非易失性存储器执行读，写和擦除操作。 存储器控制器在操作模式下操作，其中存储器控制器将设置为可允许范围内的参考电压电平的电压信号与非易失性存储器交换或从外部设备接收电压信号。 当存储器控制器在操作模式下操作时，存储器控制器根据电压信号的电压电平和温度优化非易失性存储器的工作频率。
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公开(公告)号：KR1020160007988A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087001
申请日：2014-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/789 , G11C2029/4402
Abstract: 본발명의실시예에따른스토리지시스템은불휘발성메모리및 장치메모리를포함하고상기장치메모리에대한테스트를요청하는저장장치; 및상기저장장치로부터메모리테스트요청을받고, 상기장치메모리에대한테스트를실행하며, 테스트결과를상기불휘발성메모리에저장하는호스트를포함한다. 본발명에의하면, 저장장치의메모리테스트요청에따라메모리를테스트하기때문에, 제품사용중에, 스토리지시스템의성능저하없이, 발생한런 타임배드셀을실시간으로찾아내고관리할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的存储系统包括：存储装置，其包括非易失性存储器和设备存储器，并且需要对所述设备存储器进行测试; 以及从存储装置接收存储器测试请求的主机，对设备存储器执行测试，并将测试结果存储在非易失性存储器中。 根据本发明，由于根据存储装置的存储器测试请求来测试存储器，所以可以在不使存储系统恶化的情况下，使用产品生成的运行时坏电池被细化和管理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130006195A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110068089
申请日：2011-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0292 , G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/202 , G06F2212/7207 , G11C16/0483 , G11C16/22 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , G11C16/06 , G06F12/00 , G11C7/10
Abstract: PURPOSE: A memory controller, an operating method thereof, and electronic devices including the memory controller are provided to increase randomness of programmed data by reducing seed correlation between a plurality of adjacent pages. CONSTITUTION: A microprocessor(22) selects a seed included in a seed group about a current programmed page among a plurality of seed groups. A randomizer generates a pseudo-random number using the selected seed. The randomizer randomizes the programmed data in a page according to the generated pseudo-random number and outputs the randomized data.
Abstract translation: 目的：提供存储器控制器及其操作方法以及包括存储器控制器的电子设备，以通过减少多个相邻页面之间的种子相关性来增加编程数据的随机性。 构成：微处理器（22）在多个种子组中选择关于当前编程的页面的种子组中包含的种子。 随机化器使用所选择的种子生成伪随机数。 随机化器根据生成的伪随机数将页面中的编程数据随机化并输出随机数据。
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公开(公告)号：KR1020130006190A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110068083
申请日：2011-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/00 , G06F12/14 , G06F12/1408 , G06F12/1425 , G06F13/16 , G11C11/5642 , G11C16/22 , G11C16/06 , G06F13/14 , G11C16/04
Abstract: PURPOSE: A memory controller and a memory system including the same are provided to improve reliability by uniformly distributing the cell state of a plurality of multi level cells in which data is programmed. CONSTITUTION: A cell state generator(33-1) generates each cell state of a plurality of multi level cells in a nonvolatile memory device using data of pages. A pseudo-random number generator(33-2) generates a pseudo-random number. An operator(33-3) converts each cell state of the plurality of multi level cells using the pseudo-random number and outputs the converted cell state. The operator converts each cell state of the plurality of multi level cells using a hash function.
Abstract translation: 目的：提供包括该存储器控制器和存储器系统的存储器控制器和存储器系统，以通过均匀地分配数据被编程的多个多电平单元的单元状态来提高可靠性。 构成：单元状态发生器（33-1）使用页面数据来生成非易失性存储器件中的多个多电平单元的每个单元状态。 伪随机数生成器（33-2）生成伪随机数。 运算符（33-3）使用伪随机数转换多个多电平单元的各单元状态，并输出转换的单元状态。 操作者使用散列函数来转换多个多级单元的每个单元状态。
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公开(公告)号：KR1020120117612A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110079104
申请日：2011-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G06F12/0246 , G11C16/0483 , G11C16/20
Abstract: PURPOSE: A flash memory device and a memory system including the same are provided to de-randomize the randomized data and randomize data to be programmed by applying seeds allocated in a page to access requested segments. CONSTITUTION: A page buffer circuit(400) reads or writes data from or in the selected page of a memory cell array. A randomizing and de-randomizing circuit(600) randomizes and de-randomizes data transmitted from the page buffer circuit based on a seed allocated in the selected page. The selected page is composed of a plurality of segments.
Abstract translation: 目的：提供闪速存储器件和包括其的存储器系统以使随机数据去随机化，并通过应用分配在页面中的种子来访问所请求的片段来随机化待编程的数据。 构成：页面缓冲器电路（400）从存储单元阵列的选定页面读取或写入数据。 随机化和去随机化电路（600）基于在所选择的页面中分配的种子随机化和去随机化从页面缓冲器电路发送的数据。 所选择的页面由多个段组成。
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公开(公告)号：KR101800284B1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020110068972
申请日：2011-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 문귀연
Abstract: 본발명에따른플래시메모리장치의리드전압조절방법이제공된다. 상기리드전압조절방법에따르면, 적어도하나의페이지를갖는플래시메모리셀들의프로그램시에, 상기플래시메모리셀들의제1 페이지에프로그램되는데이터의비트들중에서제1 논리값을갖는비트들의개수인제1 프로그램카운트정보가저장된다. 리드전압들을이용한상기플래시메모리셀들의리드시에, 상기플래시메모리셀들의상기제1 페이지로부터리드되는데이터의비트들중에서상기제1 논리값을갖는비트들의개수를계수하여제1 리드카운트정보가획득된다. 상기제1 프로그램카운트정보와상기제1 리드카운트정보의차이를기초로상기리드전압들의전압레벨들이조절된다.
Abstract translation: 提供了根据本发明调整闪存器件的读取电压的方法。 根据该读取电压控制方法，在对具有至少一个页面的闪存单元进行编程时，在闪存单元的第一页中待编程的数据的位中具有第一逻辑值的位的数量， 计数信息被存储。 计算在使用读取电压读取闪存单元时从闪存单元的第一页读取的数据位中具有第一逻辑值的位的数量，以获得第一前导计数信息 是的。 基于第一节目计数信息与第一读取计数信息之间的差异来调整读取电压的电压电平。
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公开(公告)号：KR101767649B1
公开(公告)日：2017-08-14
申请号：KR1020110044133
申请日：2011-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418
Abstract: 여기에제공되는플래시메모리장치는복수의페이지들을구성하는메모리셀들을갖는어레이와; 상기페이지들각각에대응하는시드들을저장하는시드선택회로와; 그리고선택된페이지에저장될데이터를랜덤화하도록구성된랜덤화및 디-랜덤화회로를포함하며, 상기각 페이지는섹터오프셋값들에의해서각각지정되는복수의섹터들로구성되고, 상기각 페이지에대응하는시드는대응하는페이지의섹터들에각각대응하는시드값들로구성되며; 상기시드선택회로는액세스요청시입력된열 오프셋값이속하는상기선택된페이지의섹터를나타내는섹터오프셋값에의거하여상기선택된페이지의시드값들중 하나를선택하고, 상기랜덤화및 디-랜덤화회로는상기시드선택회로에의해서선택된시드값에의거하여상기선택된페이지에저장될데이터를랜덤화한다.
Abstract translation: 本文提供的闪存器件包括具有构成多个页面的存储器单元的阵列; 种子选择电路，用于存储对应于每个页面的种子; 随机化和去随机化电路被配置为随机化要存储在所选页面中的数据，其中每个页面由分别由扇区偏移值指定的多个扇区组成， 种子由各自对应于相应页面的扇区的种子值组成; 其中种子选择电路基于表示访问请求中输入的列偏移值所属的所选页面的扇区的扇区偏移值来选择所选页面的种子值之一， 通过种子选择电路选择的种子值随机化要存储在所选页面中的数据。
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