Abstract:
본 발명은 퍼플루오로폴리이써(Perfluoropolyether) 유도체와 감광성 고분자 또는 이들의 공중합체를 포함하는 보호막 형성용 조성물 및 이에 의한 보호막을 포함하는 유기박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 유기박막 트랜지스터는 산소 및 수분의 침입을 차단하여 외기에 의한 성능저하를 방지할 수 있고, 동시에 유기박막의 열화를 예방하고 패턴형성이 용이하므로 우수한 전자적 특성을 제공할 수 있다. 보호막, 퍼플루오로폴리이써, 감광성 고분자, 광경화제, 유기박막 트랜지스터
Abstract:
An organic thin film transistor using a surface-modified carbon nano-tube is provided to form a semiconductor layer having a high adhesive characteristic by using a surface-modified carbon nano-tube and a conductive polymer. An organic thin film transistor using a surface-modified carbon nano-tube includes a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, source/drain electrodes, and an organic semiconductor layer. The organic semiconductor layer is made of a composition including a surface-modified carbon nano-tube, and a conductive polymer. The surface-modified carbon nano-tube is formed by modifying a surface of a carbon nano-tube by using a hardening functional group. The hardening functional group corresponds to an oxirane group or an anhydride group.
Abstract:
화학식 1로 표시되는 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 유기 전자소자가 제공된다: [화학식 1] . 본 발명에 따른 유기반도체용 공중합체는 우수한 용해성, 가공성 및 박막특성을 나타내어 다양한 전자소자에 이용될 수 있으며, 특히 유기박막 트랜지스터의 활성층으로 이용되는 경우 높은 전하이동도 및 낮은 차단누설전류를 나타낸다.
Abstract:
본 발명은 유기절연층의 표면과 소스/드레인 전극의 표면 또는 소스/드레인 전극의 표면 위에 형성된 결정성 유기바인더층을 포함하는 것을 특징으로 하는 계면특성이 향상된 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터는 유기반도체층과 절연체층 사이의 계면 또는 유기반도체층과 전극 사이의 계면에서의 2차원적 기하학적 조화와 계면안정성이 향상되어 소자의 전기적 특성이 향상된 이점을 가진다. 유기박막 트랜지스터, 유기절연층, 소스/드레인 전극, 결정성 유기 바인더층
Abstract:
본 발명은 (i) 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질 및 (ii) 1종 이상의 유기금속 화합물 및/또는 1종 이상의 유기 고분자를 포함하는 유기 절연체 형성용 조성물 및 그를 포함하는 유기 절연체에 관한 것으로, 본 발명의 유기 절연체 형성용 조성물을 포함하는 유기 절연체는 전하 이동도 및 전류점멸비가 높아서 우수한 특성을 나타내며, 또한 유기 박막 트랜지스터에 있어서 히스테리시스를 제거하여 균일한 특성을 시현하게 한다. 유기반도체, 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질, 유기금속화합물, 유기고분자, 알케닐기, 알키닐기
Abstract:
본 발명은 불소를 포함하는 유기절연체 조성물 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 불소를 포함하는 실란계 화합물을 이용하여 유기 박막 트랜지스터의 히스테리시스를 개선시키고, 문턱전압 및 전하이동도 등의 물성을 향상시켜 액정디스플레이(LCD), 광전변환 소자(Photovoltaic Device) 등의 각종 전자소자 제조에 유용하게 활용할 수 있는 유기 박막 트랜지스터를 제공할 수 있다. 유기 절연체, 유기 박막 트랜지스터, 불소, 실란계 화합물, 히스테리시스, 전하이동도
Abstract:
A composition for forming a passivation layer is provided to prevent the degradation of performance of an organic thin film transistor by blocking moisture and oxygen, and the deterioration of the organic layer. A composition for forming a passivation layer comprises a perfluoro polyether derivative of the chemical formula 1: [A-CF2O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A] or the chemical formula 2: [CF3O(CF2CF2O)m(CF2O)nCF2-A], a photosensitive polymer or their copolymers, and a photocurable agent. In the chemical formula 1 and the chemical formula 2, A is A 'or RA', wherein A' is COF, SiX1X2X3 (X1, X2 and X3 are independently C1-10 alkyl group, and at least one of them is C1-10 alkoxy group), silanol, chlorosilane, carboxylic acid, alcohol, amine, phosphoric acid and their derivatives; R is C1-C30 substituted or non-substituted alkylene group, wherein the substitution radical is at least one selected from the group consisting of -OH, C1-10 alkyl group, hydroxy alkyl group, amide group, nitro group, C2-30 alkenyl group, C1-30 alkoxy group, and C2-30 alkoxy alkyl group; and m is 1-50 and n is 1-50.
Abstract:
Novel aromatic enediyne derivatives, organic semiconductor thin film using the same are provided to allow a coating by a normal temperature wet process. A method of manufacturing organic semiconductor thin film includes: coating a substrate with aromatic enediyne and precursor solution including organic solvent to form a coating film; and heating the coating film to form a thin film. The precursor solution is manufactured by mixing at least two kinds of the aromatic enediyne derivatives. The aromatic enediyne derivatives of 0.001 to 30 weight % is contained among the precursor solution of 100 %. The organic solvent is one selected from the group consisting of aliphatic hydrogen solvent, aromatic hydrocarbon solvent, ketone-based solvent, ether-based solvent, acetate-based solvent, alcohol-based solvent, amide-based solvent, halogen-base solvent, silicon-based solvent, or a compound thereof.
Abstract:
Provided is an organic insulator composition, which has a fluorine-based surface treatment agent function to simplify a production process of an organic insulating film and improves charge mobility and hysteresis of an organic thin film transistor. The organic insulator composition comprises (i) a compound represented by a formula 1 of R1SiX1X2X3 or a formula 2 of R1R2SiX1X2, a mixture thereof, a polymer thereof, or a silane-based compound obtained by mixing or copolymerizing the compound with a compound represented by a formula 3 of SiX1X2X3X4, a formula 4 of R3SiX1X2X3, or a formula 5 of R3R4SiX1X2, (ii) an organometallic compound, (iii) an organic solvent, and (iv) an organic or inorganic polymer matrix.
Abstract:
본 발명은 질소를 포함하는 헤테로아로마틱계 리간드/전이금속 착화합물, 이를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층을 포함하는 전자소자에 관한 것으로, 신규한 착화합물로서 질소를 포함하는 헤테로아로마틱계 리간드/전이금속 착화합물을 제공하며, 이를 포함하는 버퍼층을 형성하여 전자소자에서 전하 주입(carrier injection) 및 전하이동(transport)을 향상시켜 전자소자의 효율을 향상시킬 수 있다. 질소를 포함하는 헤테로아로마틱계 리간드/전이금속 착화합물, 버퍼층