公开(公告)号：KR1020130065226A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：KR1020110131994

申请日：2011-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손양수 ,  문혜림 ,  조학주 ,  한정남 ,  홍준구

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/401 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve electrical reliability by increasing an effective channel length of a gate by an active pattern which is more protruded than a device isolation pattern. CONSTITUTION: A substrate includes a first area receiving a low voltage and a second area receiving a high voltage. A gate insulating pattern and a sacrificial pattern have vertically stacked structures on the first and second areas. Interlayer insulating patterns(30) are formed between the structures. The sacrificial patterns of the first and second areas are removed. A gate insulating pattern(42) of the first area is removed. A gate insulating film is formed on a gate insulating pattern(46) of the second area, the substrate of the first area, and the interlayer insulating patterns. A conductive film is formed on the gate insulating film. [Reference numerals] (AA) First area; (BB) Second area

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过比器件隔离图案更突出的有源图案增加栅极的有效沟道长度来提高电可靠性。 构成：衬底包括接收低电压的第一区域和接收高电压的第二区域。 栅极绝缘图案和牺牲图案在第一和第二区域上具有垂直堆叠的结构。 在结构之间形成层间绝缘图案（30）。 去除第一和第二区域的牺牲图案。 去除第一区域的栅极绝缘图案（42）。 在第二区域的栅极绝缘图案（46），第一区域的基板和层间绝缘图案上形成栅极绝缘膜。 在栅极绝缘膜上形成导电膜。 （附图标记）（AA）第一区域; （BB）第二区

公开(公告)号：KR1020160130591A

公开(公告)日：2016-11-14

申请号：KR1020150062534

申请日：2015-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문혜림 ,  최명훈

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/861

Abstract: 병합콘택플러그(merged contact plugs)를갖는반도체소자에관한것이다. 기판상에 N개의하위-핀들(sub-fin)을갖는멀티-핀활성영역이형성된다. 상기하위-핀들상에불순물영역들이형성된다. 상기불순물영역들상에상기멀티-핀활성영역보다좁은폭을갖는콘택플러그가형성된다. N는 8 이상 1000 이하의정수이다. 상기 N개의하위-핀들은상기멀티-핀활성영역내의최 외곽에형성된제1 하위-핀및 상기제1 하위-핀에가까운(near) 제2 하위-핀을갖는다. 상기콘택플러그의측면을지나고상기기판의표면에수직한직선은상기제1 하위-핀및 상기제2 하위-핀의사이를지나거나상기제2 하위-핀상을지난다.

Abstract translation: 半导体器件包括合并的接触插头。 在基板上形成具有N个副散热片的多翅片主动元件。 在杂质区域上形成接触塞。 N是大约八（8）到大约一千（1000）之间的整数。 N个子散热片包括形成在多翅片活性物体的最外部分中的第一子鳍和形成在第一子鳍附近的第二子鳍。 垂直于基板的表面并穿过接触插塞的虚拟底部边缘的直线设置在第一子散热片和第二子散热片之间，或通过第二子散热片。 接触插塞的虚拟底部边缘限定在在接触插塞的侧表面上延伸的相关线的交叉点和与接触插塞的最下端接触并且平行于衬底的表面的水平线。