公开(公告)号：KR100666328B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020050011544

申请日：2005-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서윤범 ,  공명석 ,  민병호

IPC: G06F12/14 ,  G06F15/78

CPC classification number: G06F21/79

Abstract: 제 1 보안키를 소정 영역에 저장하는 온 칩 메모리부, 제 2 보안키를 저장하는 제 2 보안키 저장부, 칩 내부로부터 온 칩 메모리부에 대한 억세스 신호를 발생시키는 메모리 컨트롤러, 칩 외부로부터 온 칩 메모리부에 대한 억세스를 요청하기 위한 테스트 인에이블 신호와 온 칩 메모리부에 대한 억세스 신호를 수신하는 외부 입출력 핀, 온 칩 메모리부로부터 메모리 컨트롤러를 통하여 제 1 보안키를 읽어들이고, 제 2 보안키 저장부로부터 제 2 보안키를 읽어들여 비교하고 보안키 비교 신호를 출력하는 비교 로직부, 및 보안키 비교 신호에 응답하여, 외부 입출력 핀을 통하여 수신된 온 칩 메모리부에 대한 억세스 신호의 허용 여부를 결정하는 억세스 제어부를 포함하여 온 칩 메모리를 이용한 기밀 정보 보안 장치를 구성한다. 따라서, 제품의 생산 과정에서는 기밀 정보의 저장 및 변경을 가능하게 하고, 제품이 출하된 다음에는 기밀 정보의 파괴 및 유출을 방지할 수 있도록 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020020071404A

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：KR1020010011540

申请日：2001-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  신동화 ,  민병호 ,  최재흥

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2026

Abstract: PURPOSE: A method for exposing a peripheral part of wafer and apparatus for performing the same are provided to perform an accurate exposing process for the peripheral part of the wafer on which photoresist is coated. CONSTITUTION: A wafer(W) is loaded on a wafer chuck(30). A photoresist layer(32) is formed on an upper portion of the wafer(W). A photoresist pattern is formed by exposing the photoresist layer(32). The photoresist layer(32) of a circumference part of the wafer(W) is partially removed by injecting a cleaning solution including acetone to the peripheral part when the photoresist layer(32) is formed on the upper portion of the wafer(W). The first drive portion(34) is connected with the wafer chuck(30) in order to drive the wafer chuck(30). The first drive portion(34) has a rotary shaft(34a) for rotating the wafer chuck(30). A rail(34b) is installed at a lower portion of the rotary shaft(34a). A moving portion(34c) is used for driving the rotary shaft(34a). A light source(36) is used for providing the light. A test portion(38) is used for testing a state of exposure. The second drive portion(40) is connected with the test portion(38) and the light source(36) in order to drive the light source(38).

Abstract translation: 目的：提供一种用于曝光晶片的周边部分的方法及其执行装置，以对其上涂覆有光致抗蚀剂的晶片的周边部分进行精确的曝光处理。 构成：将晶片（W）装载在晶片卡盘（30）上。 在晶片（W）的上部形成有光致抗蚀剂层（32）。 通过曝光光致抗蚀剂层（32）形成光致抗蚀剂图案。 当在晶片（W）的上部形成光致抗蚀剂层（32）时，通过向外围部分注入包括丙酮的清洁溶液，来部分去除晶片（W）的圆周部分的光致抗蚀剂层（32）。 第一驱动部分（34）与晶片卡盘（30）连接以驱动晶片卡盘（30）。 第一驱动部分（34）具有用于旋转晶片卡盘（30）的旋转轴（34a）。 轨道（34b）安装在旋转轴（34a）的下部。 移动部（34c）用于驱动旋转轴（34a）。 光源（36）用于提供光。 测试部分（38）用于测试曝光状态。 第二驱动部分（40）与测试部分（38）和光源（36）连接以驱动光源（38）。

公开(公告)号：KR1020010026999A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990038550

申请日：1999-09-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전성훈 ,  민병호

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An apparatus for applying process liquid is provided to effectively prevent yield from being decreased by particles, by detecting an exhausting state of remaining gas by a pressure detecting unit mounted in an output terminal of an air exhausting valve, and by informing a user of a state of the air exhausting valve according to a pressure value outputted from the pressure detecting unit. CONSTITUTION: A wafer(22) is mounted on the center of a plate(21) which has a gas outlet in the periphery of the wafer. A spray unit is installed on an upper portion of the center of the plate, and sprays process liquid toward the wafer. A gas exhausting pipe(25) is installed in a lower portion of the plate, and exhausts remaining gas absorbed through the gas outlet to the exterior. The first valve(27) is connected to a predetermined portion of the gas outlet. An air exhausting valve(31) exhausts air induced from the exterior at high pressure. The second valve(29) is so installed that the remaining gas induced through the first valve is exhausted to the exterior by pressure of the air supplied from the air exhausting valve. A pressure detecting unit(36) is installed in an output terminal of the air exhausting unit. A control unit(32) outputs an alarm signal according to a signal value outputted from the pressure detecting unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于施加处理液体的装置，通过检测由安装在排气阀的输出端子上的压力检测单元检测剩余气体的排出状态，有效地防止产品被颗粒减少，并且通知用户 根据从压力检测单元输出的压力值的排气阀的状态。 构成：将晶片（22）安装在板（21）的中心，该板的中心在晶片的周边具有气体出口。 喷雾单元安装在板的中心的上部，并向处理液喷射处理液。 排气管（25）安装在板的下部，并将通过气体出口吸收的剩余气体排出到外部。 第一阀（27）连接到气体出口的预定部分。 排气阀（31）在高压下排出外部感应空气。 第二阀（29）被安装成使得通过第一阀感应的剩余气体通过从排气阀供给的空气的压力被排出到外部。 压力检测单元（36）安装在排气单元的输出端子中。 控制单元（32）根据从压力检测单元输出的信号值输出报警信号。

公开(公告)号：KR1019990033659A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970055075

申请日：1997-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호 ,  민영민 ,  유희용

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 타이틀러를 이용한 웨이퍼의 코드마킹방법에 관한 것이다.
본 발명은, 셔터의 개폐작동으로 웨이퍼 상에 상기 웨이퍼를 식별하는 코드를 마킹하는 타이틀러를 이용하여 상기 웨이퍼 상에 식별코드 및 선택코드를 순차적으로 마킹하는 타이틀러를 이용한 웨이퍼의 코드마킹방법에 있어서, 상기 선택코드의 마킹은 상기 식별코드가 마킹된 자리수만큼 상기 타이틀러를 셔터의 개폐작동없이 이동시킨 후, 상기 선택코드의 마킹을 수행함을 특징으로 한다.
따라서, 공정수행의 소요시간을 단축시킬 수 있어 생산성이 향상되고, 타이틀러의 셔터의 수명을 연장시킬 수 있어 제조설비의 유지보수가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990028079A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970050626

申请日：1997-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 포크부의 각도조절이 가능하여 포크교정이 용이하고, 재질변경으로 부품의 내구성을 향상시킨 반도체 웨이퍼 이송암에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 이송암은, 내부에 진공라인이 형성된 본체와, 상기 본체에 연결되고, 웨이퍼의 후면에 접촉되어 진공압에 의한 흡착이 가능하도록 형성된 진공홀과, 상기 본체의 진공라인에 연결되고, 상기 진공홀에 진공압을 형성하는 진공라인이 형성된 얇은 막대판 형상의 포크를 포함하여 이루어지는 포크부 및 상기 본체와 상기 포크부의 연결부에 설치되고, 상기 포크부의 각도를 조절하는 각도조절부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 포크부에 각도조절부를 설치하여 포크교정이 용이하고, 스텐레스 스틸 재질을 사용하여 파티클을 방지하고, 포크두께를 줄이고, 포크간격과 테이퍼길이를 넓혀서 웨이퍼충돌 및 포크홈충돌을 방지하게 하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019980022568A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960041749

申请日：1996-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호 ,  최규상

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 확산장비의 과열예방장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 확산장비의 과열예방장치는, 일단이 전압인가부에 연결되고 릴레이 구동 솔레노이드와, 반도체 확산설비의 냉각수의 흐름을 감지할 수 있도록 설치된 플로우 스위치(Flow Switch)가 순차적으로 연결된 후 접지되는 제 1라인, 일단이 전압인가부에 연결되고 상기 릴레이 구동 솔레노이드에 의해 구동되는 릴레이와 경보장치가 순차적으로 연결된 후 접지되는 제 2라인을 구비하여 이루어진다.
따라서, 반도체 확산설비에서 냉각수의 흐름에서의 이상유무를 미리 파악하여 냉각기가 과열되기 전에 이상을 보수하는 조치를 취할 수 있다는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970077139A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960016218

申请日：1996-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호

IPC: H01L21/20

Abstract: 히팅어셈블리(Heating Assembly)를 코일(Coil)로 하여 공정챔버(Chamber)를 가열시키도록 하는 반도체 제조용 플라즈마 증착설비에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버 내부에 설치되어 있는 가열판의 상부에 웨이퍼를 안착시켜서 중착이 이루어지는 반도체 제조용 플라즈마 증착설비에 있어서, 상기 공정챔버 하부에 설치되어 상기 공정챔버 내부의 상기 가열판을 가열시키는 히팅어셈블리(Heating Assembly)는 코일을 포함하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하여 코일로 공정챔버의 가열판을 전달하므로 설비로 인한 불량을 방지할 수 있고, 또한 설비의 수명연장으로 인한 유지보수가 용이한 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050007104A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020040001105

申请日：2004-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호 ,  박현우 ,  홍근철

IPC: G06F3/00

Abstract: PURPOSE: A multi-port interfacing device using one ADC(Analog Digital Converter) and a multi-function interfacing method on a semiconductor IC are provided to solve a problem to install the ADC to each port by making one ADC selectively convert analog input signals received from the ports into a digital output signal and outputting/storing it to a corresponding register. CONSTITUTION: The ports(111-114) receive the analog input signals. Multiplexers(121-124) are respectively connected to the ports and are respectively enabled by the first to 'n'th selection signals. One ADC(130) is connected to the multiplexers and converts the analog input signal into the digital out signal.

Abstract translation: 目的：提供在半导体IC上使用一个ADC（模拟数字转换器）和多功能接口方法的多端口接口设备，以通过使一个ADC选择性地转换接收的模拟输入信号来解决将ADC安装到每个端口的问题 从端口转换为数字输出信号，并将其输出/存储到相应的寄存器。 结构：端口（111-114）接收模拟输入信号。 多路复用器（121-124）分别连接到端口，并分别由第一至第n选择信号使能。 一个ADC（130）连接到多路复用器，并将模拟输入信号转换成数字输出信号。

公开(公告)号：KR100435215B1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：KR1019990066030

申请日：1999-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  최기영

Inventor： 신영수 ,  최기영 ,  민병호 ,  장영훈

IPC: G06F13/14

CPC classification number: G06F13/4217 ,  H03M5/04 ,  H04L25/49 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/151

Abstract: 본 발명은 내로우 데이터 버스를 사용하는 저전력 디지털 신호 프로세서 시스템을 위한 버스 인코딩/디코딩 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 데이터 버스의 n비트 데이터를 인코딩하는 장치는 n비트 데이터의 최상위 비트의 값이 1이면, 하위 (n-1)비트 데이터를 비트단위로 인버팅하는 조건부인버팅수단; 버스로 출력된 마지막 n비트 데이터를 저장하는 저장수단; 및 조건부인버팅수단에서 조건부로 인버팅된 하위 (n-1)비트 데이터를 저장수단에 저장된 하위 (n-1)비트 데이터와 비트 단위로 배타논리합하는 제1 배타논리합연산수단을 포함하고, n비트 데이터의 최상위 비트와 제1 배타논리합연산수단에 의해 배타논리합된 (n-1)비트의 데이터를 출력하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기존의 기술에 의한 BI 코딩 방법과 BITS 코딩 방법에서 사용하던 여분의 라인과 데이터의 인버팅 여부를 결정하는 회로를 제거함으로써 코아(core)와의 인터페이스 문제와 추가회로에 대한 오버헤드를 줄여 칩 면적을 감소시키고 소비전력를 절감시킬 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种使用窄数据总线的低功率数字信号处理器（DSP）的总线编码/解码设备和方法。 用于编码数据总线的n位数据的设备包括：条件反转单元，用于当n位数据的最高有效位为1时，反转n数据的（n-1）个低位中的每一个;存储单元，用于 存储输出到总线的最后n位数据，以及第一异或运算单元，用于对由条件反转单元反转的较低位（n-1）位或数据执行逐位异或运算， 和已经存储在存储单元中的n个数据的较低位（n-1）位，其中作为结果获得的n位数据和（n-1）位数据中的最高有效位 输出由第一异或运算单元执行的按位异或运算。 因此，通过去除在传统的BI和BITS编码方法中使用的用于确定是否反转数据的额外电路和额外线路，从而降低了用于附加电路的内核和开销的接口问题，从而降低了功耗并且 芯片的面积。

公开(公告)号：KR1020000014881A

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019980034499

申请日：1998-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 민병호 ,  김한성

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: The method improves the productivity according to the fabrication of a semiconductor device by taking an appropriate measure when an inferiority occurs in forming a BPSG film. CONSTITUTION: The method is to form a BPSG film used as an interlayer insulation film. The method is to form an oxide film and a BPSG film in sequence on a semiconductor substrate where a pattern including a gate structure is already formed. In case that an inferiority occurs in forming the BPSG film, after removing the inferior source and BPSG film using HF solution weakened in a deionized water by 90:1 or 100:1, then a BPSG is formed again on the oxide film revealed by the removal of the BPSG film.

Abstract translation: 目的：该方法通过在形成BPSG膜时发生劣化时采取适当的措施来提高根据半导体器件制造的生产率。 构成：该方法是形成用作层间绝缘膜的BPSG膜。 该方法是在半导体衬底上依次形成氧化物膜和BPSG膜，其中已形成包括栅极结构的图案。 在形成BPSG膜时发生劣化的情况下，使用在去离子水中以90:1或100:1削弱的HF溶液除去劣质源和BPSG膜之后，再次在氧化膜上形成BPSG， 去除BPSG膜。