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公开(公告)号：KR101278526B1
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020070087663
申请日：2007-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014
Abstract: 반도체 장치는 반도체 칩, 보호막 패턴, UBM(Under Bump Metallurgy)막 및 도전성 범프를 포함한다. 반도체 칩은 패드와 가드링(guard ring)을 갖는다. 보호막 패턴은 상기 패드와 상기 가드링이 노출되도록 상기 반도체 칩 상에 형성된다. UBM막은 상기 보호막 패턴 상에 형성되어, 상기 패드 및 상기 가드링과 직접적으로 접촉한다. 도전성 범프는 상기 패드 상에 위치한 상기 UBM막 부분 상에 형성된다. UBM막과 가드링이 직접 접촉하게 되므로, UBM막의 두께 차이에 상관없이 패드들 상에 위치한 UBM막 부분들로 균일한 전류를 공급할 수가 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020090022365A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070087663
申请日：2007-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014
Abstract: A semiconductor device, a flip chip package including the same, and a manufacturing method thereof are provided to form conductive bumps with a uniform size by supplying uniform current to all UBM(Under Bump Metallurgy) layers regardless of the thickness difference of the UBM layer. A semiconductor chip(110) includes a pad and a guard ring. A protective pattern(130) is formed on the semiconductor chip and exposes the pad and the guard ring(124). The UBM layer(140) is formed on the protective pattern and contacts the guard ring and the pad directly. A conductive bump(150) is formed in a part of the UBM layer positioned on the pad. The semiconductor chip has an insulating layer pattern(116). The insulating layer pattern includes a trench(118) formed along the circumference of the pad.
Abstract translation: 提供半导体器件，包括该半导体器件的倒装芯片封装及其制造方法，以形成具有均匀尺寸的导电凸块，而不管UBM层的厚度差如何，通过向所有的UBM（低于Bump冶金）层提供均匀的电流。 半导体芯片（110）包括焊盘和保护环。 在半导体芯片上形成保护图案（130）并露出焊盘和保护环（124）。 UBM层（140）形成在保护图案上并直接接触保护环和垫。 导电凸块（150）形成在位于垫上的UBM层的一部分中。 半导体芯片具有绝缘层图案（116）。 绝缘层图案包括沿着垫的圆周形成的沟槽（118）。
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公开(公告)号：KR1020080105621A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070053421
申请日：2007-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L29/6656
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the etching consume rate of the element isolation film side corresponding to the residual amount of the second space pattern in the common contact hole formation. A semiconductor device comprises the element isolation film(102), the gate insulating layer(104), the gate electrode(105a), the first spacer(106a) and the second spacer(107b), the source/drain regions(103a, 103b), and the stress liner film. The element isolation film limits the active area(101) to the semiconductor substrate(100). The gate insulating layer is located on the active area. The gate electrode is located on surface the gate insulating layer. The first spacer is positioned in the gate electrode side wall. The second spacer has the upper side lower than the first spacer. The source/drain region is positioned in the active area of the gate electrode both side. The stress liner film covers the gate electrode and the first and the second spacer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，以减少与公共接触孔形成中的第二空间图案的残留量相对应的元件隔离膜侧的蚀刻消耗率。 半导体器件包括元件隔离膜（102），栅极绝缘层（104），栅极电极（105a），第一间隔物（106a）和第二间隔物（107b），源极/漏极区域（103a，103b） ）和应力衬垫膜。 元件隔离膜将有源区域（101）限制到半导体衬底（100）。 栅极绝缘层位于有源区上。 栅电极位于栅极绝缘层的表面上。 第一间隔件位于栅电极侧壁中。 第二间隔件的上侧比第一间隔件低。 源极/漏极区域位于栅电极的两侧的有源区域中。 应力衬垫膜覆盖栅极电极和第一和第二间隔物。
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公开(公告)号：KR1020050031214A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020030067441
申请日：2003-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박건우
IPC: H01L27/04
Abstract: A MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor and a fabricating method thereof are provided to increase an area of a dielectric pattern and a capacitance of the MIM capacitor by surrounding a top face and a lateral face of a bottom electrode by the dielectric pattern and a top electrode. A bottom electrode(120) of a capacitor is formed on a first interlayer dielectric(110). A dielectric pattern(150) is used for surrounding a top face and a lateral face of the bottom electrode of the capacitor. A top electrode(160) of the capacitor is used for surrounding the dielectric pattern. A second interlayer dielectric(140) is formed on the first interlayer dielectric. The bottom electrode of the capacitor, the dielectric pattern, and the top electrode of the capacitor are formed within an opening(142) of the second interlayer dielectric.
Abstract translation: 金属 - 绝缘体 - 金属电容器及其制造方法通过电介质图案围绕底部电极的顶面和侧面来增加MIM电容器的电介质图形的面积和电容， 顶部电极。 电容器的底部电极（120）形成在第一层间电介质（110）上。 电介质图案（150）用于围绕电容器的底部电极的顶面和侧面。 电容器的顶部电极（160）用于围绕电介质图案。 在第一层间电介质上形成第二层间电介质（140）。 电容器的底部电极，电介质图案和电容器的顶部电极形成在第二层间电介质的开口（142）内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070019247A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050074005
申请日：2005-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/14
Abstract: 비휘발성 메모리의 소거 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리의 소거 방법은 기판에 접지 전압보다 큰 양의 전압을 인가하고, 드레인에 기판에 인가되는 전압보다 크거나 같은 전압을 인가하고, 소오스에 기판에 인가되는 전압보다 큰 전압을 인가하고, 게이트에 접지 전압보다 작은 음의 전압을 인가하여 핫 홀 주입 방법에 의해 소거를 실시한다.
핫 홀 주입, 비휘발성 메모리-
公开(公告)号：KR1020050112586A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040037687
申请日：2004-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/7687 , H01L23/5223
Abstract: 금속-절연체-금속 커패시터를 갖는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 본 발명은 비아 형성을 위한 텅스텐 CMP 전에 커패시터 유전막 CMP를 먼저 실시하여 텅스텐 CMP 시간을 단축시킴으로써, 텅스텐막에 응력이 누적되는 것을 억제하여 크랙 발생을 방지함으로써 커패시터의 불량을 감소시키는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020160134564A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160058782
申请日：2016-05-13
Abstract: 바이스가감성을분석하는방법에있어서, 긍정적인감성을나타내는적어도하나의키워드를포함하는제 1 키워드그룹및 부정적인감성을나타내는적어도하나의키워드를포함하는제 2 키워드그룹을포함하는제 1 감성단어장을획득하는단계; 소셜네트워크로부터제 1 감성단어장에포함되지않는제 3 키워드를포함하는소셜네트워크데이터를수집하는단계; 소셜네트워크데이터내에서, 제3 키워드가제 1 키워드그룹에포함되는적어도하나의키워드와공통등장(co-occurrence)하는빈도및 제 3 키워드가제 2 키워드그룹에포함되는적어도하나의키워드와공통등장하는빈도에기초하여, 제 3 키워드를제 1 키워드그룹또는제 2 키워드그룹에추가함으로써, 제 2 감성단어장을생성하는단계; 를포함하는방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过设备分析情绪的方法，包括以下步骤：获取包括第一关键字组的第一情绪词列表，所述第一情绪词列表包括至少一个表示正情绪的关键字，以及包括至少一个关键字的第二关键字组 代表负面情绪; 从社交网络收集包括不包括在所述第一情绪单词列表中的第三关键字的社交网络数据; 以及通过将所述第三关键字添加到所述第一关键字组或所述第二关键字组中，基于所述第三关键字与所述社交网络中的所述第一关键字组中包括的至少一个关键字共同发生的频率来生成第二情绪词列表 数据以及第三关键字与包含在社交网络数据中的第二关键字组中的至少一个关键字共同出现的频率。
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公开(公告)号：KR100835959B1
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020070020211
申请日：2007-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: A portable terminal and an illegal device mobile identity change prevention method thereof are provided to prevent an illegal device mobile identity change from being attempted, and to change a device mobile identity if a legal change of a device mobile identity is attempted. In case of a device mobile identity change request, new authentication information is received and stored, and the authentication information is encoded to generate encoded authentication information(S202-S212). It is decided whether the first prestored authentication information exists(S214). If not, a device mobile identity is stored, and the encoded authentication information is stored to generate the first authentication information(S215,S217).
Abstract translation: 提供便携式终端和非法设备移动身份变化防止方法，以防止尝试非法设备移动身份改变，并且如果尝试设备移动身份的合法改变，则改变设备移动身份。 在设备移动身份改变请求的情况下，接收并存储新的认证信息，并对认证信息进行编码以生成编码认证信息（S202-S212）。 确定是否存在第一预存储认证信息（S214）。 如果没有，则存储设备移动身份，并且存储编码的认证信息以生成第一认证信息（S215，S217）。
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