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公开(公告)号：KR101963227B1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：KR1020120109266
申请日：2012-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
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公开(公告)号：KR101946008B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020120077923
申请日：2012-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
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公开(公告)号：KR1020150019723A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130096895
申请日：2013-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1058 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)와 그 제조방법 및 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 HEMT는 일부 영역이 선택적으로 활성화된 불순물 함유층을 포함할 수 있다. 상기 불순물 함유층의 활성화 영역을 디플리션 형성요소로 사용할 수 있다. 상기 활성화 영역 양측의 불순물 함유층 내에 비활성화 영역이 존재할 수 있다. 상기 활성화 영역의 수소 함유량은 상기 비활성화 영역의 수소 함유량보다 낮을 수 있다. 다른 측면에서, HEMT는 디플리션 형성요소를 포함할 수 있고, 상기 디플리션 형성요소는 수평 방향으로 물성(예컨대, 도핑 농도)이 변화되는 복수의 영역을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法以及包括该高电子迁移率晶体管的电子器件。 所公开的HEMT包括其部分被选择性活化的含杂质层。 使用含杂质层的激活区域作为耗尽形成区域。 灭活区存在于含杂质层的活化区的两侧。 活化区的氢含量低于灭活区的氢含量。 根据本发明的另一方面，HEMT包括耗尽形成元件。 耗尽形成元件包括其特性（例如，掺杂密度）在水平方向上改变的多个区域。
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公开(公告)号：KR1020140061145A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020120128376
申请日：2012-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: Disclosed are a high electron mobility transistor (HEMT) and a method of manufacturing the same. The disclosed HEMT may include a channel layer; a channel supply layer formed on the channel layer; a source electrode and a drain electrode which are formed on the channel layer or the channel supply layer; a gate electrode which is arranged between the source electrode and the drain electrode and extended from the channel supply layer to a part of the channel layer; a metal layer which is arranged in the lower part of the gate electrode and touches the channel layer with ohmic contact; and a gate insulating layer which insulates the gate electrode from the metal layer, the channel layer and the channel supply layer.
Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 所公开的HEMT可以包括信道层; 形成在沟道层上的沟道供给层; 形成在沟道层或沟道供给层上的源电极和漏极; 栅电极，其设置在所述源电极和所述漏电极之间并且从所述沟道供给层延伸到所述沟道层的一部分; 金属层，其布置在栅电极的下部并且与欧姆接触的沟道层相接触; 以及使栅电极与金属层，沟道层和沟道供给层绝缘的栅极绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140046855A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020120113034
申请日：2012-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H03K3/012
Abstract: Disclosed are a high electron mobility transistor and a method of driving the same. The disclosed high electron mobility transistor includes a channel supply layer, which induces a 2D electron gas in a channel layer, a depletion formation layer, which is prepared on the channel supply layer, a first gate, which is prepared on the depletion formation layer between a source and a drain, and at least one second gate, which is prepared on the depletion layer between the source and the first gate.
Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管及其驱动方法。 所公开的高电子迁移率晶体管包括在通道层中诱导2D电子气体的通道供应层，在通道供应层上制备的耗尽形成层，第一栅极，其在消耗形成层之间 源极和漏极以及至少一个第二栅极，其在源极和第一栅极之间的耗尽层上制备。
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公开(公告)号：KR1020140020043A
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020120086396
申请日：2012-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/7786
Abstract: Disclosed is a high electron mobility transistor. The high electron mobility transistor includes a channel supply layer inducing a 2D electron gas on a channel layer, a source electrode and a drain electrode formed in both sides of the channel supply layer, and a deflation formation layer formed on the channel supply layer to form a deflation region in the 2D electron gas and touching the source electrode.
Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管。 高电子迁移率晶体管包括在沟道层上形成2D电子气体的沟道供给层，形成在沟道供给层两侧的源电极和漏电极，以及形成在沟道供给层上的形成 2D电子气体中的放气区域并接触源电极。
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公开(公告)号：KR101946009B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020120113034
申请日：2012-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
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