公开(公告)号：WO2019066183A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：PCT/KR2018/005635

申请日：2018-05-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경훈 ,  박영환 ,  서동관 ,  나가라자케샤바 프라사드 ,  김대현 ,  김석진 ,  조한수 ,  김현중

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/04 ,  G06N99/00

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 본 전자 장치는 스토리지 및 스토리지에 저장된 대상 데이터에 커널 데이터가 적용되는 간격을 나타내는 스트라이드(stride) 정보에 기초하여 대상 데이터 및 커널 데이터를 컨볼루션(convolution) 연산하는 프로세서를 포함하며, 프로세서는 제1 스트라이드 정보에 기초하여 대상 데이터를 복수의 서브 데이터로 분할하고, 제1 스트라이드 정보와 상이한 제2 스트라이드 정보에 기초하여 복수의 서브 데이터 및 복수의 서브 데이터에 각각 대응되는 복수의 서브 커널 데이터를 컨볼루션 연산하며, 복수의 연산 결과를 병합하고, 복수의 서브 커널 데이터는 제1 스트라이드 정보에 기초하여 커널 데이터가 분할된 데이터이며, 제2 스트라이드 정보는 대상 데이터에 커널 데이터가 적용되는 간격이 1일 수 있다.

公开(公告)号：WO2018226014A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/KR2018/006400

申请日：2018-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조한수 ,  김경훈 ,  박영환 ,  김석진 ,  김현중 ,  권동욱

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/04 ,  G06F17/30

Abstract: 전자 장치가 개시된다. 전자 장치는 메모리 및, 뉴럴 네트워크에 의한 학습에 따라 생성된 복수의 필터에서 선정된 주요 패턴의 필터 별로, 뉴럴 네트워크의 입력 데이터를 필터링하기 위한 연산 명령어를 확인하고, 확인된 연산 명령어를 메모리에 저장하는 프로세서를 포함한다.

公开(公告)号：KR102113253B1

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：KR1020130049618

申请日：2013-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45

公开(公告)号：KR101980197B1

公开(公告)日：2019-05-20

申请号：KR1020120097864

申请日：2012-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기열 ,  전우철 ,  박영환 ,  신재광 ,  하종봉 ,  황선규

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR101927409B1

公开(公告)日：2018-12-10

申请号：KR1020120086396

申请日：2012-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  김종섭 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉 ,  황선규

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 고전자이동도 트랜지스터가 개시된다. 개시된 고전자이동도 트랜지스터는, 채널층에 2차원 전자가스를 유발하는 채널공급층과, 상기 채널공급층의 양측에 마련되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 채널공급층 상에 마련되어 상기 2차원 전자가스에 디플리션 영역을 형성하는 것으로 소스 전극과 접촉하도록 형성되는 디플리션 형성층을 포함한다.

公开(公告)号：KR101922122B1

公开(公告)日：2018-11-26

申请号：KR1020120109267

申请日：2012-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  박영환 ,  오재준 ,  김경연 ,  김준용 ,  박기열 ,  신재광 ,  황선규

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 노멀리오프고전자이동도트랜지스터가개시된다. 개시된노멀리오프고전자이동도트랜지스터는, 제1 질화물반도체를포함하는채널층과, 상기채널층상에서제2 질화물반도체를포함하며, 상기채널층에 2차원전자가스를유발하는채널공급층과, 상기채널공급층의양측의소스전극및 드레인전극과, 상기채널공급층상에서상기 2차원전자가스에디플리션영역을형성하며, 적어도두개의두께를가진디플리션형성층과, 상기디플리션형성층상의게이트절연층과, 상기게이트절연층상에서상기디플리션형성층과접촉하는게이트전극을포함한다.

公开(公告)号：KR101900273B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020110070544

申请日：2011-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영환 ,  안정착 ,  이상주 ,  박종은 ,  장영흡

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641

Abstract: 본발명에따른이미지센서는, 밀러효과를통해소스폴로워증폭기로동작하는드라이브트랜지스터의입력캐패시턴스를감소시켜변환이득을증가시킬수 있다. 이를위해, 센싱노드와메탈콘택사이를격리시켜이들간의기생캐패시턴스를최소화하도록배치한다. 출력라인과센싱노드사이의캐패시터는소스폴로워증폭기의피드백캐패시터로작용하며, 상기기생캐패시턴스를상쇄시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020170052382A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020150154758

申请日：2015-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동관 ,  김석진 ,  박영환

IPC: G06F9/38 ,  G06F9/30 ,  G06T1/20

CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G06F9/3001 ,  G06F9/30018 ,  G06F9/30021 ,  G06F9/30036 ,  G06F9/3004 ,  G06F9/30043 ,  G06F12/00

Abstract: 메모리접근주소에의해데이터들을메모리에서읽고, 읽은데이터들중 동일한메모리의주소를가지는데이터를확인하고, 확인된데이터들중 하나를제외한나머지데이터들에대하여마스킹을하고, 확인된데이터를이용하여보정값을생성하고, 데이터들및 보정값을이용하여연산하고, 마스킹하지않은데이터에대해연산한데이터를메모리에저장하는, 데이터를병렬처리하는방법및 이를위한장치가개시된다.

Abstract translation: 通过存储器访问地址从存储器读取数据，检查读取数据中具有相同存储器的地址的数据，除了一个确认数据之外的其余数据被屏蔽， 公开了一种用于并行处理数据的方法和设备，所述数据产生值，使用数据和校正值进行操作，并且将针对非掩蔽数据计算的数据存储在存储器中。

公开(公告)号：KR101703746B1

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020100053033

申请日：2010-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  안정착 ,  이상주 ,  박영환 ,  장동윤 ,  장영흡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361

CPC classification number: H04N5/361 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3594

Abstract: 본발명은백사이드로입사되는장파장의빛이스토리지다이오드로의영향을최소한으로하는단위이미지센서, 상기단위이미지센서로구현된이미지센서어레이및 상기이미지센서어레이의빛 샘보상방법을개시한다. 상기단위이미지센서는, 포토다이오드(photo diode) 및스토리지다이오드(storage diode)를구비하는백사이드일루미네이션(Backside illumination) 방식이적용되며, 백사이드로인가되는빛은상기포토다이오드의하나의전극을형성하는영역만으로수신하며, 상기포토다이오드의다른전극을형성하는영역및 상기스토리지다이오드의두 개의전극을형성하는영역은웰(Well)에의해서로격리된다.

Abstract translation: 背面照明方式的漏光补偿单元图像传感器包括：光电二极管和存储二极管，其中仅通过形成光电二极管的电极的区域仅接收单元图像传感器背面的光，以及区域 用于形成光电二极管的另一个电极和用于形成存储二极管的两个电极的区域由阱彼此分离，从而补偿光泄漏。

公开(公告)号：KR1020140023611A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：KR1020120089672

申请日：2012-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778

CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875

Abstract: An electronic device including a transistor and a method for operating the same are disclosed. The disclosed electronic device can include a first transistor, a second transistor, a constant voltage applying member for applying constant voltage to a gate of the first transistor, and a switching member for applying a switching signal to the second transistor. The first transistor can obtain normally-on characteristics. The second transistor can obtain normally-off characteristics. The first transistor may be a high electron mobility transistor (HEMT). The second transistor may be a field-effect transistor (FET). The constant voltage applying member can include a diode connected to the gate of the first transistor and a constant current source connected to the diode.

Abstract translation: 公开了一种包括晶体管的电子器件及其操作方法。 所公开的电子设备可以包括第一晶体管，第二晶体管，用于向第一晶体管的栅极施加恒定电压的恒压施加构件，以及用于向第二晶体管施加开关信号的开关构件。 第一晶体管可以获得常开特性。 第二晶体管可以获得常态特性。 第一晶体管可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）。 第二晶体管可以是场效应晶体管（FET）。 恒压施加部件可以包括连接到第一晶体管的栅极的二极管和连接到二极管的恒流源。