公开(公告)号：KR1020020024685A

公开(公告)日：2002-04-01

申请号：KR1020000056458

申请日：2000-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이천용 ,  박래삼

IPC: H01L21/203

Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a metal layer for fabricating a semiconductor is provided to improve reliability, by minimizing generation of particles caused by a metal material absorbed to the first and second rings and by minimizing defects generated by the particles. CONSTITUTION: Particles having high energy collide with a target composed of the same material as a material stacked on a substrate. The material separated from the target is stacked on the substrate in a process chamber. The substrate is placed on a plate installed inside the process chamber. A collimator(20) is installed between the substrate and the target, having a hole of a lattice structure. The collimator makes the material separated from the target pass through the hole and approach the substrate. The first ring(30a) comes in contact with the upper circumferential portion of the collimator. The contact section is downward inclined. The second ring(30b) comes in contact with the lower circumferential portion of the collimator. The contact surface of the second ring is smaller than that of the first ring. A coupling member(30c) fixes the collimator by coupling the first ring to the second ring.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成用于制造半导体的金属层的装置，通过最小化由吸收到第一和第二环的金属材料引起的颗粒的产生并且最小化由颗粒产生的缺陷来提高可靠性。 构成：具有高能量的颗粒与由与堆叠在基板上的材料相同的材料构成的靶材碰撞。 与目标分离的材料在处理室中堆叠在基板上。 将基板放置在安装在处理室内的板上。 准直器（20）安装在基板和靶之间，具有格状结构的孔。 准直器使材料与目标分离通过孔并接近基板。 第一环（30a）与准直仪的上圆周部分接触。 接触部分向下倾斜。 第二环（30b）与准直器的下圆周部分接触。 第二环的接触表面小于第一环的接触表面。 耦合构件（30c）通过将第一环耦合到第二环来固定准直器。

公开(公告)号：KR1020030003572A

公开(公告)日：2003-01-10

申请号：KR1020010039489

申请日：2001-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영규 ,  박래삼

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer transferring apparatus having a sensor is provided to prevent a damage of a wafer by detecting a contacting state between a pick arm and an upper face of a wafer in a wafer transferring process and performing a control operation according to the contacting state. CONSTITUTION: A sensor portion(40) detects a contacting state between a pick arm(32) and an upper face of a wafer(12b) in a wafer loading/unloading process. The sensor portion(40) includes a sensor(42) for detecting the contacting state between the pick arm(32) and the wafer(12b), an amplification portion(44) for amplifying a signal generated from the sensor(42), and a control portion(46) for controlling a wafer transferring apparatus including the pick arm(32) by using an amplified signal of the amplification portion(44). The control portion(46) controls operations of the wafer transferring apparatus according to the contacting state between the pick arm(32) and the wafer(12b).

Abstract translation: 目的：提供具有传感器的晶片传送装置，通过在晶片传送处理中检测拾取臂和晶片的上表面之间的接触状态，并根据接触状态执行控制操作来防止晶片损坏。 构成：传感器部分（40）在晶片装载/卸载过程中检测拾取臂（32）和晶片（12b）的上表面之间的接触状态。 传感器部分（40）包括用于检测拾取臂（32）和晶片（12b）之间的接触状态的传感器（42），用于放大由传感器（42）产生的信号的放大部分（44），以及 用于通过使用放大部分（44）的放大信号控制包括拾取臂（32）的晶片传送装置的控制部分（46）。 控制部分（46）根据拾取臂（32）和晶片（12b）之间的接触状态来控制晶片传送装置的操作。

公开(公告)号：KR1020010109748A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020000030334

申请日：2000-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영규 ,  박래삼

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67265 ,  H01L21/67778

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 이송 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 이송 장치의 픽 암이 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로 로딩/언로딩하는 과정에서 픽 암의 하부면과 웨이퍼 카세트에 적재된 웨이퍼 사이의 접촉에 따른 웨이퍼의 손상을 억제하기 위해서, 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 로딩/언로딩하는 픽 암과; 상기 픽 암에 연결되어 상기 픽 암을 전후좌우로 이동시키는 구동부; 및 상기 웨이퍼 카세트의 특정의 적재홈에 한 장의 웨이퍼가 로딩/언로딩된 이후에 다음 적재홈에 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위해서 상기 웨이퍼 카세트를 위 또는 아래로 운동시키는 엘리베이터;를 포함하며, 상기 픽 암의 하부면에 설치되어, 상기 픽 암의 하부면과 상기 웨이퍼 카세트에 적재된 웨이퍼 상부면과의 접촉 여부를 감지하는 감지기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020060095018A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：KR1020050015859

申请日：2005-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배동관 ,  고영범 ,  김정주 ,  박래삼 ,  주교철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4407

Abstract: 본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 금속 증착챔버의 실드 세정방법을 개시한다. 그의 세정방법은, 실드 표면에 유발된 이물질을 물리적으로 이탈시키기 위해 상기 실드를 비드 처리하는 단계; 상기 비드 처리된 상기 실드를 제 1 연마하는 단계; 상기 제 1 연마가 완료된 상기 실드를 제 1 세정하는 단계; 상기 제 1 세정된 상기 실드를 베이킹 시키면서 질소가스에 반복적으로 노출시켜 제 1 건조하는 단계; 상기 제 1 건조된 상기 실드의 표면에서 상기 금속 이물질을 전기적으로 이탈시키기 위해 상기 실드를 플라즈마 처리하는 단계; 상기 플라즈마 처리된 상기 실드를 제 2 연마하는 단계; 상기 제 2 연마된 상기 실드를 제 2 세정하는 단계; 및 상기 제 2 세정된 상기 실드를 베이킹 시키면서 상기 질소가스에 반복적으로 노출시켜 제 2 건조하는 단계를 포함함에 의해 종래의 단순 물리적 방법의 세정에 비해 신뢰성을 높일 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
실드(shield), 챔버(chamber), 단속기, 연마(polishing), 플라즈마(plsma)

公开(公告)号：KR1020010106897A

公开(公告)日：2001-12-07

申请号：KR1020000027934

申请日：2000-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성노 ,  박래삼 ,  장현복

IPC: H01L21/306

Abstract: 웨이퍼 에지부위 아킹 및 에지 오버 에칭현상을 제거 또는 최소화하기 위하여, 고주파 식각 챔버내의 개선된 인슐레이터 및 페데스탈 구조가 개시되어 있다. 고주파 식각 챔버내에 설치되는 인슐레이터 및 페데스탈 구조는, 상기 인슐레이터의 접촉 외경부를 웨이퍼의 외경에 대응되게 하고 상기 페데스탈의 외경을 상기 쿼르츠 인슐레이터의 내경에 대응되게 하되, 상기 페데스탈에는 리프트핀 통과용 개구가 형성되어 있지 아니한 것을 특징으로 함에 의해 웨이퍼 에지부위의 파워집중이 방지되어 아킹 및 에지 오버 에칭현상이 제거 또는 최소화된다.

公开(公告)号：KR1019970052041A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950049318

申请日：1995-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박래삼 ,  조홍일

IPC: H01L21/203

公开(公告)号：KR1020060082306A

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020050002827

申请日：2005-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구경모 ,  박래삼 ,  주교철

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76828 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 비아 콘택 형성방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명에서는, 하부 배선 및 상부 배선을 전기적으로 연결시키는 비아 콘택을 구현함에 있어서, 상기 하부 배선을 0~100℃의 낮은 온도하에서 형성한 뒤, 상기 알루미늄막의 일부 상부 표면을 노출시키는 비아홀을 형성한다. 그리고, 상기 비아홀의 내부에 베리어막을 300~500℃의 고온 공정하에서 형성함으로써, 낮은 온도에서 형성된 상기 알루미늄막이 액티베이션되어 비아홀을 통해 상부로 부풀어오르도록 한다. 그 결과, 상기 부풀어오른 알루미늄막의 높이만큼 비아홀의 종횡비가 감소되어 갭 필 마진이 보다 확보되며, 이처럼 확보된 갭 필 마진으로 인하여 비아 콘택으로서 기능하는 도전물질의 필링 특성이 향상되어 전체 반도체 소자의 신뢰성이 우수해진다.

반도체, 금속 배선, 비아, 블랙 비아, 말뚝 디펙

公开(公告)号：KR100599071B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020000056458

申请日：2000-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이천용 ,  박래삼

IPC: H01L21/203

Abstract: 타겟으로부터 이탈하는 물질이 직진성을 갖고 기판에 도달시키기 위한 콜리메이터를 포함하는 반도체 제조를 위한 금속막 형성 장치가 개시되어 있다. 타켓으로부터 이탈하는 물질을 기판상에 적층하기 위한 가공 챔버가 구비된다. 상기 가공 챔버 내에 플레이트가 구비된다. 상기 타겟으로부터 이탈하는 물질이 직진성을 갖고 상기 기판에 도달시키기 위한 콜리메이터가 구비된다. 상기 콜리메이터는 상측 주연부에 면접하고, 상기 면접하는 단면은 하향 경사진 형태로 구성되는 제1 링과, 상기 콜리메이터의 하측 주연부에 상기 제1 링이 면접하는 면적에 비해 작은 면이 면접하는 제2 링 및 결합 부재를 사용하여 고정시킨다. 콜리메이터 및 콜리메이터를 고정시키는 링을 포함하는 주변에 최소한의 금속 물질만이 흡착된다.

公开(公告)号：KR1019990011631A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970034791

申请日：1997-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박래삼 ,  강진문

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치 및 이 제조 장치에 장착되는 단위 요소의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 콜리메이터 코어가 장착되어 있는 물리적 기상 증착 장치 및 콜리메이터 코어의 제조방법에 관한 것이다. 콜리메이터 코어는, 물리적 기상 증착 방식으로 웨이퍼 상에 소정의 물질을 증착할 때, 증착 물질의 직진성을 높여주기 위해 타겟과 웨이퍼 사이에 장착한다. 피복층은 콜리메이터 코어에서 불순물 가스가 아웃게싱되는 것을 방지하기 위해 콜리메이터 코어의 전표면에 형성한다.