公开(公告)号：KR1020140145667A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：KR1020130067884

申请日：2013-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주연 ,  박상덕 ,  서재경 ,  윤광섭 ,  윤인구

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/66545

Abstract: 반도체 소자의 단채널 효과를 경감시켜 반도체 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 형성하되, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 각각 상기 기판의 제1 영역 및 제2 영역에 형성되고, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 상에, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극을 따라 도전성 버퍼막을 형성하고, 상기 버퍼막 상에, 상기 기판의 제1 영역을 덮는 제1 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제1 마스크 패턴을 이온 주입 공정의 마스크로 이용하여, 상기 제2 게이트 전극의 양측에 있는 상기 기판 내에 제1 불순물 영역을 형성하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 提供一种通过衰减半导体器件的短沟道效应来制造用于提高半导体器件的性能的半导体器件的方法。 在制造半导体器件的方法中，第一栅电极和第二栅极设置在衬底上，第一栅电极和第二栅极分别形成在衬底的第一区和第二区中。 导电缓冲层沿着第一栅电极和第二栅电极的侧壁以及第一栅电极和第二栅电极的上表面形成。 形成覆盖缓冲层上的基板的第一区域的第一掩模图案。 使用第一掩模图案作为离子注入工艺的掩模，在第二栅电极的侧面的基板中形成第一杂质区。

公开(公告)号：KR1020140145419A

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：KR1020130067851

申请日：2013-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주연 ,  이철웅 ,  김태선 ,  박상덕 ,  윤범준 ,  하태원

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체 소자의 누설 전류를 경감시켜 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 기판 상에, 제1 트렌치와 제2 트렌치를 포함하는 층간 절연막을 형성하고, 상기 제1 트렌치의 측면과 바닥면을 따라 제1 도전막을 형성하고, 상기 제2 트렌치의 측면과 바닥면을 따라 제2 도전막을 형성하고, 상기 제2 도전막 상에, 상기 제2 트렌치를 매립하고, BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)인 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여, 상기 제1 도전막을 제거하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，其减少半导体器件的漏电流并提高半导体器件的产量。 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成包括第一沟槽和第二沟槽的层间电介质，沿着第一沟槽的横向和底表面形成第一导电层，沿着侧面形成第二导电层， 第二沟槽的底表面，将第二沟槽埋在第二导电层上，形成掩模图案作为BARC（底部抗反射涂层），以及通过使用掩模图案去除第一导电层。

公开(公告)号：KR1020010001404A

公开(公告)日：2001-01-05

申请号：KR1019990020593

申请日：1999-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상덕

IPC: H04L12/26

Abstract: PURPOSE: An instrument for monitoring by using network is provided to automatically vary the frequency of the output signal from the network instrument at every certain period in response to the request of a measurer, and to service the time the measured result is made so that a user can collectively monitor the target devices to be measured. CONSTITUTION: An E1 signal receiver(102) receives an E1 signal from the target devices that will be measured, and supplies it to an E1 signal measuring part(106). An E1 signal transmitter(104) sends the E1 signal from the part(106) to the target devices. The part(106) detects the quality of the E1 signal from the receiver(102), and stores measurement result and the time of the measurement result. The part(106) provides the E1 signal to the transmitter(104), and includes the function for interfacing with a controller(120). A clock divider(108) divides the clock applied from a phased-locked loop(110), and thereby supplies the divided clock to the part(106). A controller(120) controls the overall operations of the network instrument. A display device(122) shows the warning state of the E1 signal under the control of the controller(120).

Abstract translation: 目的：提供一种用于通过网络进行监控的仪器，用于响应于测量者的要求，每隔一定时间自动改变网络仪器输出信号的频率，并对测量结果进行处理 用户可以集中监视要测量的目标设备。 构成：E1信号接收机（102）从将被测量的目标设备接收E1信号，并将其提供给E1信号测量部件（106）。 E1信号发送器（104）将E1信号从部件（106）发送到目标设备。 部分（106）检测来自接收机（102）的E1信号的质量，并存储测量结果和测量结果的时间。 该部分（106）向发射机（104）提供E1信号，并且包括用于与控制器（120）进行接口的功能。 时钟分频器（108）对从锁相环（110）施加的时钟进行分频，从而将分频时钟提供给部分（106）。 控制器（120）控制网络仪器的整体操作。 显示装置（122）在控制器（120）的控制下示出E1信号的警告状态。

公开(公告)号：KR102050214B1

公开(公告)日：2019-12-02

申请号：KR1020130067884

申请日：2013-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주연 ,  박상덕 ,  서재경 ,  윤광섭 ,  윤인구

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

公开(公告)号：KR1020170083822A

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020160003178

申请日：2016-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보순 ,  이정윤 ,  박기관 ,  김현지 ,  박상덕 ,  오영묵

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51

Abstract: 게이트올 어라운드구조를갖는트랜지스터의문턱전압을다양하게조절함으로써, 소자성능을개선할수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는제1 영역및 제2 영역을포함하는기판; 상기제1 영역의상기기판상에, 상기기판과이격되는제1 와이어패턴; 상기제2 영역의상기기판상에, 상기기판과이격되는제2 와이어패턴; 상기제1 와이어패턴의둘레를감싸는제1 게이트절연막; 상기제2 와이어패턴의둘레를감싸는제2 게이트절연막; 상기제1 게이트절연막상에, 상기제1 와이어패턴과교차하고, 내부에제1 금속산화물막을포함하는제1 게이트전극; 상기제2 게이트절연막상에, 상기제2 와이어패턴과교차하는제2 게이트전극; 상기제1 게이트전극의측벽상의제1 게이트스페이서; 및상기제2 게이트전극의측벽상의제2 게이트스페이서를포함한다.

Abstract translation: 一种半导体器件，能够通过不同地调整具有全栅结构的晶体管的阈值电压来改善器件性能。 该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域; 第一导线图案，与上部外围装置板的第一区域上的衬底间隔开; 在上基板的第二区域上与基板间隔开的第二导线图案; 围绕第一导线图案的外围的第一栅极绝缘层; 围绕第二线图案的外围的第二栅绝缘层; 第一栅极绝缘膜上的第一栅电极，第一栅电极与第一导线图案相交并且其中包括第一金属氧化物膜; 第二栅极绝缘膜上的第二栅极，第二栅极与第二导线图案交叉; 第一栅极电极的侧壁上的第一栅极间隔物; 以及在第二栅电极的侧壁上的第二栅极隔离物。

公开(公告)号：KR1020100050073A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080109186

申请日：2008-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상덕

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04M1/72547

Abstract: PURPOSE: A multimedia data size adjusting method and a portable terminal therefor are provided to prevent the message from being re-created by adjusting the size of multimedia data in case the size of the message including made multimedia data exceeds the size possible for transmitting. CONSTITUTION: A memory(250) stores one or more multimedia data among a text, an image and an audio data. An input unit(260) receives the input selecting the multimedia data included in the message and the input controlling the size of multimedia data. A controller(240) compares the size of message and the electrical transmission available size. If the size of message exceeds the electrical transmission available size, the controller controls the size of multimedia data according to input from the input unit. The controller magnifies or reduces the image into the predetermined rate.

Abstract translation: 目的：提供一种多媒体数据大小调整方法及其便携式终端，以防止在包括制作的多媒体数据的消息的大小超过可能发送的大小的情况下，通过调整多媒体数据的大小来重新创建消息。 构成：存储器（250）在文本，图像和音频数据之间存储一个或多个多媒体数据。 输入单元（260）接收选择消息中包含的多媒体数据的输入和控制多媒体数据的大小的输入。 控制器（240）比较消息的大小和电传输可用尺寸。 如果消息的大小超过电传输可用的大小，则控制器根据输入单元的输入来控制多媒体数据的大小。 控制器将图像放大或缩小到预定速率。

公开(公告)号：KR1020170085177A

公开(公告)日：2017-07-24

申请号：KR1020160004336

申请日：2016-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이원혁 ,  이정윤 ,  이용석 ,  김보순 ,  박상덕 ,  오승철 ,  오영묵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는기판상에제공되어제1 및제2 서브활성패턴들을정의하는소자분리막, 상기제1 및제2 서브활성패턴들을각각가로지르는제1 및제2 게이트전극들, 및상기제1 및제2 서브활성패턴들사이의상기소자분리막상에제공되는분리구조체를포함한다. 상기제1 및제2 서브활성패턴들은제1 방향으로연장되고상기제1 방향으로서로이격된다. 상기소자분리막은상기제1 및제2 서브활성패턴들사이의상기소자분리막부분으로정의되는확산방지영역(diffusion break region)을포함하고, 상기분리구조체는확산방지영역의상면을덮는다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件。 一种半导体器件包括：设置在衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一和第二子活动图案;分别与第一和第二子活动图案交叉的第一和第二栅电极;以及第一和第二有源图案 在器件隔离膜之间的器件隔离膜上提供隔离结构。 第一和第二子活动图案沿第一方向延伸并且在第一方向上彼此间隔开。 器件隔离膜包括由第一和第二有源图案之间的器件隔离膜部分限定的扩散中断区域，并且隔离结构覆盖防扩散区域的上表面。

公开(公告)号：KR1020170061233A

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020150165687

申请日：2015-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용석 ,  이정윤 ,  박기관 ,  신거명 ,  김현지 ,  박상덕

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848

Abstract: 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자에관한것으로, 보다상세하게는, 기판상의소자분리패턴에의하여정의되는측벽들및 상기소자분리패턴의상면으로부터돌출된상부를갖는활성패턴, 상기활성패턴의측벽상의라이너절연막, 상기활성패턴상의게이트구조체및 상기게이트구조체양 측의소스/드레인영역들이제공된다. 상기라이너절연막은제 1 라이너절연막및 상기제 1 라이너절연막보다높은상면을갖는제 2 라이너절연막을포함한다. 상기소스/드레인영역들각각은상기제 2 라이너절연막에의하여정의되는제 1 부분및 상기제 2 라이너절연막위로돌출되고, 상기제 1 라이너절연막의상면을덮는제 2 부분을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括一个场效应晶体管，更具体地，活动模式，一个半导体器件，其中具有上部分从侧壁突出和元件分离图案的通过在基板上的器件隔离图案所限定的上表面上的有源图案 提供有源图案上的栅极结构以及栅极结构两侧的源极/漏极区。 衬垫绝缘膜包括第一衬垫绝缘膜和具有比第一衬垫绝缘膜更高的表面的第二衬垫绝缘膜。 源极/漏极区中的每一个投影到所述第二绝缘衬垫的第一部分和所述第二绝缘膜由衬垫来限定，而第二部分覆盖所述第一绝缘衬垫的上表面上。

公开(公告)号：KR1020150144192A

公开(公告)日：2015-12-24

申请号：KR1020140073018

申请日：2014-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주연 ,  노동현 ,  박상덕 ,  윤일영 ,  한정남 ,  윤종밀

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/7813

Abstract: 반도체장치의제조방법에서, 기판상에더미게이트절연막패턴, 더미게이트전극및 게이트마스크를포함하는더미게이트구조물을형성한다. 토즈를사용하여더미게이트구조물을커버하는층간절연막을기판상에형성한다. 게이트마스크가노출될때까지층간절연막상부를평탄화하여층간절연막패턴을형성한다. 노출된게이트마스크및 그하부의더미게이트전극및 더미게이트절연막패턴을제거하여기판상면을노출시키는개구를형성하되, 층간절연막패턴은남기면서더미게이트절연막패턴은불산(HF)을포함하는식각액을사용하여제거된다. 개구를채우는게이트구조물을형성한다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成包括伪栅极绝缘图案，虚拟栅电极和栅极掩模的虚拟栅极结构; 通过在基板上使用调色硅氮烷（TOSZ）形成覆盖虚拟栅极结构的层间电介质; 通过平坦化层间电介质层的上部直到栅极掩模露出来形成层间电介质图案; 并且通过去除暴露的栅极掩模，以及在其下侧上形成伪栅电极和伪栅极绝缘图案，形成露出衬底的上表面的开口。 在离开层间介质图案的同时，通过使用包括HF的蚀刻剂来去除伪栅极绝缘图案。 形成了填充开口的门结构。

公开(公告)号：KR1020070103843A

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：KR1020060035686

申请日：2006-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이강빈 ,  정환경 ,  장인철 ,  정화규 ,  박상덕

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for cleaning a substrate and a method for cleaning a substrate by using the same are provided to reduce a process time by shortening an exchange time of a polishing pad. An apparatus(100) for cleaning a substrate includes a bottom station(110) and a polishing unit(120). The bottom station supports or fixes a liquid crystal panel(200) to a top surface thereof. The polishing unit is placed at a vertical top portion from the bottom station. The polishing unit removes foreign materials on the liquid crystal panel with rotating/moving at a predetermined speed by being in contact with a top surface of the liquid crystal panel. The polishing unit includes a polishing pad(130) coupled to a fixing unit. A polishing film is attached to the polishing pad.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁基板的装置和使用该基板的方法来清洁基板，以通过缩短抛光垫的更换时间来缩短处理时间。 用于清洁衬底的设备（100）包括底部工位（110）和抛光单元（120）。 底部站将液晶面板（200）支撑或固定到其顶面。 抛光单元被放置在从底部站的垂直顶部。 抛光单元通过与液晶面板的顶面接触而以预定速度旋转/移动来去除液晶面板上的异物。 抛光单元包括联接到定影单元的抛光垫（130）。 抛光膜附着在抛光垫上。