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    비휘발성 메모리 장치의 구동 방법
    1.
    发明公开
    비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 审中-实审
    使用电阻元件驱动非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020150116285A

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：KR1020140041330

    申请日：2014-04-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박은혜 ,  신준호

    IPC: G11C16/34 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G06F11/00 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1032 ,  G11C16/3459

    Abstract: 비휘발성메모리장치의구동방법이제공된다. 비휘발성메모리장치의구동방법은, 페이지버퍼에데이터를저장하되, 상기데이터는제1 데이터블록및 제2 데이터블록을포함하고, 상기제1 데이터블록을메모리셀 영역에라이트하고, 상기메모리셀 영역의제1 데이터블록을검증리드(verify read)하고, 상기제2 데이터블록을상기메모리셀 영역에라이트하고, 상기메모리셀 영역의제2 데이터블록을검증리드하는것을포함하되, 상기제1 데이터블록및 상기제2 데이터블록의크기는상기페이지버퍼의크기보다작다.

    Abstract translation: 提供了一种非易失性存储装置的操作方法。 操作方法包括以下步骤：将数据存储在页缓冲器中，其中数据包括第一数据块和第二数据块; 将第一数据块写入存储单元区域; 验证和读取存储器单元区域的第一数据块; 将第二数据块写入存储单元区域; 以及验证和读取存储单元区域的第二数据块。 第一数据块和第二数据块的大小小于页缓冲器的大小。

    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법
    2.
    发明公开
    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：KR1020150002949A

    公开(公告)日：2015-01-08

    申请号：KR1020130074628

    申请日：2013-06-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이용준 ,  정회주 ,  권용진 ,  권효진 ,  박은혜

    IPC: G11C13/00 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/1039 ,  G11C7/1042 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0061 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

    Abstract: 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 버퍼 메모리; 상기 버퍼 메모리에 저장된 제1 데이터를 제1 리드하는 리드 회로; 상기 제1 리드 동작 중에, 상기 버퍼 메모리에 제2 데이터를 제1 라이트하라는 제1 내부 라이트 명령이 발생되어도, 상기 제1 리드 동작이 종료된 후에, 상기 제1 라이트 동작을 수행하는 라이트 회로를 포함한다.

    Abstract translation: 提供一种使用电阻元件来提高可靠性的非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括缓冲存储器，执行存储在缓冲存储器中的第一数据的第一读取操作的读取电路和在第一读取操作完成之后执行第一写入操作的写入电路，即使第一内部 在第一读取操作中生成在缓冲存储器中执行第二数据的第一写入操作的写入命令。

    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법
    5.
    发明公开
    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件及其驱动方法

    公开(公告)号：KR1020140108984A

    公开(公告)日：2014-09-15

    申请号：KR1020130023004

    申请日：2013-03-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박은혜 ,  정회주 ,  권용진 ,  권효진 ,  이용준

    IPC: G11C13/00 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G11C13/0061 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C2213/72

    Abstract: A non-volatile memory device using a resistive element and a driving method thereof are provided. The non-volatile memory device comprises an input/output circuit which receives, in order, a first packet signal and a second packet signal which are responding signals to a single core read operation; and a read circuit which carries out a part of the core read operation by using the first packet signal before decoding the second packet signal.

    Abstract translation: 提供了使用电阻元件的非易失性存储器件及其驱动方法。 非易失性存储器件包括输入/​​输出电路，其按顺序接收作为单核读取操作的响应信号的第一分组信号和第二分组信号; 以及读取电路，其在解码第二分组信号之前，通过使用第一分组信号来执行核心读取操作的一部分。

    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치
    9.
    发明公开
    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 审中-实审
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：KR1020140108985A

    公开(公告)日：2014-09-15

    申请号：KR1020130023007

    申请日：2013-03-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권효진 ,  정회주 ,  김채훈 ,  권용진 ,  박은혜 ,  이용준

    IPC: G11C13/00 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2213/72

    Abstract: Provided is a nonvolatile memory device using a variable resistive element. The nonvolatile memory device includes a memory array which includes a plurality of nonvolatile memory cells, a first read circuit which performs a first read operation of first data from the memory array and provides a protection signal to show a victim period in the first read operation, and a second read circuit which performs a second read operation of second data from the memory array and provides a check signal to show an aggressor period in the second read operation.

    Abstract translation: 提供了一种使用可变电阻元件的非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括存储器阵列，其包括多个非易失性存储器单元，第一读取电路，其执行来自存储器阵列的第一数据的第一读取操作，并且提供保护信号以在第一读取操作中显示受害时段， 以及第二读取电路，其从存储器阵列执行第二数据的第二读取操作，并提供检查信号以示出第二读取操作中的侵略者周期。

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