公开(公告)号：KR1020170083187A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：KR1020160002184

申请日：2016-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박진우 ,  박재신 ,  박조영 ,  서지웅 ,  이석원

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/0649

Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체메모리소자는제 1 셀어레이영역및 상기제 1 셀어레이영역둘레의주변영역을포함하는기판, 상기주변영역은상기제 1 셀어레이영역을사이에두고제 1 방향으로서로마주보는제 1 및제 2 주변영역들을포함하고, 상기기판의상기제 1 셀어레이영역상에서, 상기제 1 방향에교차하는제 2 방향으로서로이격배치되고, 상기제 1 방향으로연장하는적층구조체들, 상기기판상에배치되며, 상기적층구조체들을덮는절연막및 상기기판의상기제 1 및제 2 주변영역들중 적어도어느하나상에서상기제 2 방향으로연장하며, 상기기판의상부면에대해수직방향으로상기절연막을관통하는적어도하나이상의분리구조체를포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体存储器件包括：衬底，包括第一单元阵列区域和在第一单元阵列区域周围的外围区域，外围区域包括在第一方向上的第一单元阵列区域 以及第二单元阵列区域，所述第二单元阵列区域设置在所述第一单元阵列区域上并且在与所述第一方向相交并沿所述第一方向延伸的第二方向上彼此间隔开， 在基板的第一和第二周边区域中的至少一个和覆盖多层结构的绝缘膜中的第二方向上延伸并且沿与基板垂直的方向布置在基板上， 并且可以包括至少一个或多个穿透绝缘膜的隔离结构。