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公开(公告)号：KR1020160117854A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150045728
申请日：2015-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L27/0688 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 3차원반도치장치를제공한다. 장치는, 콘택영역, 더미영역및 셀어레이영역을포함하는기판과, 기판상에수직으로적층되복수의전극들을포함하는적층구조체를포함하되, 콘택영역에서전극들은각각의아래전극의단부를노출시키도록계단식으로배치되며, 더미영역에서적어도두 개의전극들의단부들이실질적으로동일한수평위치에그 측벽들을갖는다.
Abstract translation: 如下提供三维半导体器件。 基板包括接触区域，虚拟区域和单元阵列区域。 堆叠结构包括垂直堆叠在基板上的电极。 电极堆叠成在接触区域上具有第一分级结构，在虚拟区域中具有第二阶梯结构。 第二阶梯结构中的至少两个相邻电极的端部具有垂直对准的第一侧壁，使得第一侧壁的水平位置基本相同。
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公开(公告)号：KR1020170027924A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124266
申请日：2015-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/76816 , H01L21/76865 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L27/1157
Abstract: 본발명의소자는기판상에적층된복수개의게이트전극들및 상기게이트전극들사이에개재된절연패턴들을포함하는적층구조체들, 상기적층구조체들각각을관통하여상기기판과연결되는수직채널부, 및상기적층구조체들사이에배치되는분리패턴을포함하되, 상기게이트전극들각각은, 상기절연패턴들사이에배치되고, 상기수직채널부쪽으로함몰되는리세스영역을포함하는제 1 금속패턴, 및상기제 1 금속패턴의상기리세스영역내에배치되고, 상기제 1 금속패턴과동일한금속물질을포함하는제 2 금속패턴을포함하고, 상기제 1 금속패턴에서의평균결정입자크기와상기제 2 금속패턴에서의평균결정입자크기는서로다를수 있다.
Abstract translation: 公开了一种半导体存储器件，其包括在衬底上的堆叠，通过每个堆叠连接到衬底的垂直沟道部分以及布置在堆叠之间的分离图案。 每个堆叠可以包括堆叠在基板上的多个栅电极和插在栅电极之间的绝缘图案。 每个栅电极可以包括第一金属图案，其设置在绝缘图案之间以限定朝向垂直沟道部分凹陷的凹陷区域和设置在凹陷区域中的第二金属图案。 第一和第二金属图案可以包含相同的金属材料，并且可以具有彼此不同的平均晶粒尺寸。
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公开(公告)号：KR1020170083187A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020160002184
申请日：2016-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/76879 , H01L23/5283 , H01L27/0207 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L29/0649
Abstract: 본발명의일 실시예에따른반도체메모리소자는제 1 셀어레이영역및 상기제 1 셀어레이영역둘레의주변영역을포함하는기판, 상기주변영역은상기제 1 셀어레이영역을사이에두고제 1 방향으로서로마주보는제 1 및제 2 주변영역들을포함하고, 상기기판의상기제 1 셀어레이영역상에서, 상기제 1 방향에교차하는제 2 방향으로서로이격배치되고, 상기제 1 방향으로연장하는적층구조체들, 상기기판상에배치되며, 상기적층구조체들을덮는절연막및 상기기판의상기제 1 및제 2 주변영역들중 적어도어느하나상에서상기제 2 방향으로연장하며, 상기기판의상부면에대해수직방향으로상기절연막을관통하는적어도하나이상의분리구조체를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体存储器件包括：衬底，包括第一单元阵列区域和在第一单元阵列区域周围的外围区域，外围区域包括在第一方向上的第一单元阵列区域 以及第二单元阵列区域，所述第二单元阵列区域设置在所述第一单元阵列区域上并且在与所述第一方向相交并沿所述第一方向延伸的第二方向上彼此间隔开， 在基板的第一和第二周边区域中的至少一个和覆盖多层结构的绝缘膜中的第二方向上延伸并且沿与基板垂直的方向布置在基板上， 并且可以包括至少一个或多个穿透绝缘膜的隔离结构。
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公开(公告)号：KR1020170073002A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150181140
申请日：2015-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체소자는셀 영역및 연결영역을포함하는기판, 상기기판상에교대로그리고반복적으로적층된전극패턴들및 절연패턴들을포함하는적층구조체, 및상기셀 영역상에서상기적층구조체를관통하는수직채널구조체를포함한다. 상기전극패턴들은제1 방향을따라연장되며, 상기연결영역상에서상기전극패턴들의각각은그 바로위의상기전극패턴에의해노출되는패드부를포함한다. 상기패드부는제1 방향을따라연장되는제1 측벽및 상기제1 측벽에대향하는제2 측벽을포함한다. 상기제1 측벽은상기제1 방향에교차하는제2 방향으로리세스된리세스부를갖는다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体器件包括：包括单元区域和连接区域的衬底;包括电极图案和绝缘图案交替重复堆叠在衬底上的层叠结构; 还有一个垂直通道结构穿过叠层结构。 电极图案沿第一方向延伸，并且连接区域上的电极图案中的每一个都包括由正上方的电极图案暴露的焊盘部分。 垫部分包括沿第一方向延伸的第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁。 第一侧壁具有在与第一方向交叉的第二方向上凹陷的凹部。
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