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公开(公告)号：KR1020160118421A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150046040
申请日：2015-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 3차원반도체소자는, 제1 영역및 제2 영역을포함하는기판상에제공되는전극구조체를포함한다. 상기전극구조체는상기기판상에차례로적층된접지선택전극, 셀전극들, 및스트링선택전극을포함하고, 상기접지선택전극, 상기셀 전극들, 및상기스트링선택전극은상기제2 영역내에서계단식구조를이루는접지선택패드, 셀패드들, 및스트링선택패드를각각포함한다. 상기소자는, 상기셀 패드들의각각및 상기셀 패드들의각각의아래의상기전극구조체를관통하는복수개의더미필라들, 및상기셀 패드들의각각에전기적으로연결되는셀 콘택플러그를포함한다. 상기더미필라들의각각은상기셀 패드들의각각과이에인접하는패드사이의경계를관통한다. 상기셀 패드들의각각및 상기셀 패드들의각각의양 측의패드들은상기더미필라들을공유한다.
Abstract translation: 三维半导体器件包括在包括第一区域和第二区域的衬底上的电极结构，所述电极结构包括接地选择电极，电池电极和串选择电极，所述接地选择电极，电池电极和串选择电极依次堆叠在所述衬底上， 选择电极，电池电极和串选择电极分别包括在衬底的第二区域中限定阶梯结构的接地选择焊盘，电池焊盘和串选择焊盘，穿过每个电池的多个虚拟柱 电极结构的一部分，以及与每个电极焊盘电连接的电池接触插塞，其中每个虚拟柱穿透相邻的电极焊盘之间的边界，并且其中相邻的电极焊盘共享 虚拟柱子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160070896A
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020140177548
申请日：2014-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/4234 , H01L21/28282 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L23/3171 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/66833 , H01L29/7926 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L27/11556
Abstract: 본발명에따른반도체소자의제조방법은기판상에전극을형성하는것; 상기전극을덮는매립절연막을형성하는것; 상기매립절연막을관통하여상기전극에인접하는콘택홀을형성하는것; 상기콘택홀에인접한상기전극의일부를제거하여상기콘택홀과연결되는개구부를형성하는것; 및상기콘택홀 및상기개구부를채우는콘택플러그를형성하는것을포함하되, 상기개구부의너비는상기콘택홀의너비보다클 수있다.
Abstract translation: 根据本发明，制造半导体器件的方法包括以下步骤：在基片上形成电极; 形成覆盖电极的掩埋绝缘膜; 形成穿过所述掩埋绝缘膜的与所述电极相邻的接触孔; 消除邻近接触孔的电极的一部分以形成连接到接触孔的开口; 以及形成填充接触孔和开口的接触塞。 开口的宽度可以比接触孔的宽度宽。
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公开(公告)号：KR100840309B1
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020010035304
申请日：2001-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법에 관한 것으로, 팬아웃부에서의 배선이 오픈되는 것을 방지하기 위하여, 팬아웃부에서의 게이트선 혹은 데이터선과 중첩되는 더미 배선을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에는, 다수개의 게이트선 및 게이트선 각각의 일단에 다수개의 게이트 패드가 형성되어 있고, 게이트선 각각에 교차하여 표시 영역에 다수개의 화소 영역을 정의하는 다수개의 데이터선과 데이터선 각각의 일단에 형성되는 다수개의 데이터 패드가 형성되어 있다. 화소 영역 각각에는 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되는 다수개의 박막 트랜지스터 및 다수개의 화소 전극이 형성되어 있고, 표시 영역과 패드들의 사이의 영역에 위치하여 게이트선 및 데이터선 중 적어도 하나의 배선에 중첩하는 다수개의 더미 배선이 형성되어 있다. 이렇게 제조된 박막 트랜지스터 기판을 수리하는 방법으로서, 제1 더미 배선 또는, 제2 더미 배선을 레이저로 조사하여 제1 더미 배선을 게이트선과 단락시키거나, 제2 더미 배선을 데이터선과 단락시킬 수 있다.
배선 오픈, 레이저 조사, 단락, 수리-
公开(公告)号：KR101745647B1
公开(公告)日：2017-06-12
申请号：KR1020150071868
申请日：2015-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체메모리장치는기판상에수직으로적층된게이트전극들및 상기게이트전극들을관통하는수직채널부를포함하는적층구조체, 일방향으로상기적층구조체를가로지르며, 상기수직채널부와연결되는비트라인, 및상기적층구조체상에상기게이트전극들과연결되어복수의층들로적층되며, 제 1 도전라인들및 제 2 도전라인들을포함하는도전라인들을포함하되, 상기기판에서제 1 높이에배치된제 1 도전라인들의개수와제 1 높이와다른레벨에위치하는제 2 높이에배치된제 2 도전라인들의개수는서로다를수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的具有一个衬底上的栅极和包括通过所述栅极电极延伸的垂直沟道部的层叠结构，在整个多层结构的一个方向，垂直沟道部上垂直堆叠的实施例的半导体存储器件 并且导电线连接到堆叠结构上的栅电极并堆叠成多层，导电线包括第一导线和第二导线， 1设置在位于在多个所述第一高度和所述不同水平设置在所述高度在所述第一导电线的第二高度的第二导电线的数目可以是彼此不同的。
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公开(公告)号：KR1020160118113A
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020150071868
申请日：2015-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체메모리장치는기판상에수직으로적층된게이트전극들및 상기게이트전극들을관통하는수직채널부를포함하는적층구조체, 일방향으로상기적층구조체를가로지르며, 상기수직채널부와연결되는비트라인, 및상기적층구조체상에상기게이트전극들과연결되어복수의층들로적층되며, 제 1 도전라인들및 제 2 도전라인들을포함하는도전라인들을포함하되, 상기기판에서제 1 높이에배치된제 1 도전라인들의개수와제 1 높이와다른레벨에위치하는제 2 높이에배치된제 2 도전라인들의개수는서로다를수 있다.
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公开(公告)号：KR1020020096614A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035304
申请日：2001-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136259 , G02F2001/136272
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for repairing the same are provided to prevent the line opening in a pan out part and resolve the line open problem by connecting the opened portions with dummy patterns even though the opened portions are generated. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes a plurality of gate lines(22) and a plurality of gate pads(24) formed at an end of each of the gate lines, a plurality of data lines(62) intersecting the gate lines for defining a plurality of pixel areas and a plurality of data pads(64) formed at an end of each of the data lines, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes formed in the pixel areas to be electrically connected to the gate lines and data lines, and a plurality of dummy patterns(28,68) positioned between display areas and the pads and overlapping at least one of the gate or data lines.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管基板及其修复方法，以防止在平坦部分中的线路打开，并且即使产生开口部分，也可以通过将虚拟图案连接开口部分来解决线路打开问题。 构成：薄膜晶体管衬底包括多个栅极线（22）和形成在每条栅极线的端部的多个栅极焊盘（24），与栅极线相交的多个数据线（62），用于限定 多个像素区域和形成在每条数据线的端部的多个数据焊盘（64），形成在要与栅极线和数据线电连接的像素区域中的多个薄膜晶体管和像素电极 以及位于显示区域和焊盘之间的多个虚拟图案（28,68），并且与栅极或数据线中的至少一个重叠。
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