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公开(公告)号：KR1020170042462A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020160046501
申请日：2016-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 측면발광레이저광원, 및이를포함한 3차원영상획득장치가개시된다. 개시된측면발광레이저광원에서, 기판에활성층이구비되고, 활성층에복수개의파장대역의광을발진하는복수개의그레이팅영역을포함하는파장선택섹션이구비될수 있다.
Abstract translation: 公开了侧发射激光源和包括其的三维图像获取装置。 在所公开的侧发射激光源中，可以提供波长选择部分，其包括在基板上的有源层并且包括使有源层中的多个波长带中的光振荡的多个光栅区域。
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公开(公告)号：KR1020170025420A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121834
申请日：2015-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/017 , G02F2201/346 , G02F2201/38 , G02F2202/101 , G02F2203/11 , H01S5/06226 , H01S5/06256 , H01S5/10 , H01S5/1021 , H01S5/1042 , H01S5/187 , H01S5/20 , H01S5/2013
Abstract: 광변조기가개시된다. 개시된광변조기는, 하부반사층, 하부반사층상에형성된활성층, 활성층상에형성된상부반사층을포함한다. 활성층은양자우물층과양자배리어층을포함하는다중양자우물구조로형성된다. 상부반사층을유전체물질로형성된다. 상부반사층내에는복수의마이크로캐비티층이배치된다.
Abstract translation: 提供一种光调制器，包括下反射层，形成在下反射层上的有源层和形成在有源层上的上反射层。 有源层包括包括量子阱层和量子势垒层的多量子阱结构。 上反射层包括电介质材料。 多个微腔层包括在上反射层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160057166A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020140158061
申请日：2014-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N13/204 , G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/06 , G01S17/89 , H04N13/254 , H04N13/286 , H04N13/289
Abstract: 거리영상측정용카메라와그 동작방법에관해개시되어있다. 개시된거리영상측정용카메라는피사체에광을비추는조명장치와, 피사체로부터반사된광을수광하는광 변조광학계와, 상기광 변조광학계를통해입사되는광을수광하여상기피사체에대한영상을제공하는이미지센서를포함하고, 상기광 변조광학계는광축이동일한복수의렌즈와, 2가지동작모드로동작되는광 변조기를포함한다. 상기광 변조기는 TOF 모드와스테레오모드로동작되는광 변조기일수 있다. 상기광 변조광학계는조리개를포함하고, 상기광 변조기는상기조리개에근접하여구비될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于测量深度图像的照相机，其可以获取高分辨率深度图像，而与距离被摄体的距离无关，以及用于操作该深度图像的方法。 用于测量深度图像的相机包括：用于用光照射被摄体的照明装置; 光调制光学系统，用于接收从被摄体反射的光; 以及图像传感器，用于接收通过光调制光学系统入射的光以提供被摄体的图像。 光调制光学系统包括具有相同光轴的多个透镜和以两种操作模式操作的光学调制器。 光调制器以TOF模式和立体声模式操作。 光调制光学系统包括孔径。 光调制器邻近孔设置。
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公开(公告)号：KR1020160022101A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140107762
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N5/2254 , G02F1/017 , G02F2001/0155 , H04N5/2257
Abstract: 일실시예에따른투과형광 셔터는, 제 1 컨택층; 상기제 1 컨택층위에부분적으로배치된것으로, 특정파장을갖는입사광의세기를변조하는에피택시층; 상기에피택시층위에배치된제 2 컨택층; 상기제 1 컨택층위에배치된제 1 전극; 상기제 2 컨택층위에배치된하나이상의제 2 전극; 및상기제1 컨택층의하부에배치된기판; 을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的透射式光学快门可以包括：第一接触层; 外延层，其部分布置在第一接触层上，并调制具有特定波长的入射光的强度; 布置在所述外延层上的第二接触层; 布置在所述第一接触层上的第一电极; 布置在第二接触层上的多于一个的第二电极; 以及布置在第一接触层的下部上的基板。
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公开(公告)号：KR1020160010216A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140091313
申请日：2014-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/01708 , G02B6/12002 , G02B6/124 , G02B6/134 , G02B2006/12104 , G02B2006/12128 , G02B2006/12142 , G02F1/017 , G02F1/01716 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2001/01733 , G02F2001/01741 , G02F2201/307 , G02F2202/108
Abstract: 투과형고흡수광 변조기및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된광 변조기는기판상에형성된하부 DBR층과, 상기하부 DBR층상에형성된하부클래드층과, 상기하부클래드층상에형성되고, 양자우물층과양자배리어층을포함하는활성층과, 상기활성층상에형성된상부클래드층과, 상기상부클래드층상에형성된상부 DBR층과, 상기양자우물층에캐리어를공급하는도핑층을포함한다. 이러한광 변조기에서, 상기도핑층은상기양자배리어층에포함될수 있다. 상기도핑층은상기상부및 하부클래드층중 적어도어느하나에포함될수 있다.
Abstract translation: 公开了透射型高吸收光调制器及其制造方法。 所公开的光调制器包括：形成在基板上的下DBR层; 形成在下DBR层上的下包层; 形成在下包层上并包含量子阱层和量子势垒层的有源层; 形成在有源层上的上覆层; 形成在上包层上的上DBR层; 以及向量子阱层提供载流子的掺杂层。 在光调制器中，掺杂层可以包括在量子势垒层中。 掺杂层可以包括在上包层和下包层中的至少一个中。
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9.发明公开GaAs 기판에 격자 정합되는 다중 양자 우물 구조를 포함하는 광학 소자, 이를 포함하는 깊이 영상 획득 장치 및 3차원 영상 획득 장치 审中-实审光学装置，包括与GAAS基板匹配的多量子结构图，深度图像采集装置和采用光学装置的三维图像采集装置
公开(公告)号：KR1020150066154A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151346
申请日：2013-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , G01B11/22 , H04N13/00
CPC classification number: G02F1/017 , G01S7/4816 , G01S17/89 , G02B5/1861 , G02B27/1006 , G02F1/0081 , G02F2001/0157 , G02F2001/01766 , G02F2202/101
Abstract: 개시된광학소자는 GaAs 기판; 상기 GaAs 기판상에형성되고, 양자우물층과양자장벽층을구비하는다중양자우물구조;를포함하며, 상기양자우물층은상기 GaAs 기판보다밴드갭에너지가낮고상기 GaAs 기판으로부터압축응력을받는반도체물질로이루어지고,상기양자장벽층은상기 GaAs 기판보다밴드갭에너지가높고상기 GaAs 기판으로부터인장응력을받는반도체물질로이루어진다.
Abstract translation: 公开的光学器件包括GaAs衬底; 多量子阱结构，其形成在GaAs衬底上并且包括量子阱层和量子势垒层。 量子阱层由半导体材料制成。 量子阱层的带隙能量低于GaAs衬底的带隙能量。 将来自GaAs衬底的压力应力施加到量子阱层。 量子势垒层由半导体材料制成。 量子势垒层的带隙能量高于GaAs衬底的带隙能量。 来自GaAs衬底的拉伸应力被施加到量子势垒层。
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